三星电子副总裁金在俊4月30日召开的财报电话会议上宣布，“我们已完成向主要客户供应改进型高带宽存储器（HBM）3E产品的样品，第六代“HBM4”与客户进行磋商，加速提升性能的进程。”
金在俊的言论被解读为，由于样品已经提供，如果包括 Nvidia 在内的其他客户通过最终质量测试认证，最早可在第二季度开始销售。
金在俊补充道：“HBM 销售额在第一季度跌至低点，预计每个季度都会逐步回升。”
尽管HBM第一季度的销售额有所下滑，但预计第二季度能够增加新客户。三星电子自去年以来一直在接受质量测试（QUAL），以便向 Nvidia 供应 HBM。
对于下一代HBM4，他们表示，“我们正在开发它，目标是根据客户的项目进度在下半年实现量产，并且我们还在与多家客户讨论定制HBM，就像HBM4和HBM4e一样。”
金在俊还表示，“HBM4 的开发正按照客户项目的进度进行，目标是在今年下半年实现量产”，并补充道，“我们还在与多家客户洽谈基于 HBM4 和 HBM4E 的定制 HBM”。
他补充道，“从 2026 年开始，部分 HBM4 项目将与标准 HBM4 一起为销售做出贡献”，并且“我们将继续投资销售以满足客户需求。”
不过，三星电子第一季度HBM业绩呈现下滑曲线，设备解决方案（DS）部门营业利润仅为1.1万亿韩元，其中，内存销售额为19.1万亿韩元，较上一季度下降17%。分析认为，这是因为尽管服务器DRAM销量扩大，但HBM销量下降的影响却很大。
金在俊解释说：“HBM（第一季度）对改进产品的客户需求有所推迟，而且由于人工智能（AI）半导体的出口管制，存在实际需求缺口。”
据报道，为了配合专注于高附加值产品的战略，继目前较老款 DRAM DDR4 之后的第三代“HBM2E”产品已进入逐步停产阶段。
