SK海力士与日本铠侠联合开发的碳基半导体选择器技术已获得中国专利。预计韩国和日本领先的存储器公司将组成新的联盟，以进一步提升下一代存储器设备的性能并提高全球竞争力。
据中国国家知识产权局5月6日消息，截至去年10月，国家知识产权局共批准SK集团关联企业2021年申请的99项专利，与上一年（82起）相比增加了约21％。
专利审批历时九天，SK集团平均每天获得11项批准。从关联公司来看，SK海力士获得授权最多，达67起。其次是△SK On（17起）、△SK Innovation（8起）、△SK Enpulse（4起）、△SK Gas（2起）、△SK Geocentric（2起）、△SK Planet（1起）、△SK Chemicals（1起）、△SK Corporation（1起）。
在SK集团上个月收购的专利中，最引人注目的肯定是SK海力士与Kioxia的联合开发专利。该专利名称为“选择器、半导体器件及其制造方法（专利号CN119866175A）”，提出了一种采用碳层的新型选择器结构。该技术通过向碳材料中注入掺杂剂来控制电阻特性，从而实现存储元件的开关操作，与现有的金属基选择器相比，可以提高热稳定性和集成密度。特别适用于3D NAND闪存和新型非易失性存储设备。
选择器是单独控制存储单元的“关键元件”，人们正在尝试利用基于电阻器的元件代替现有的晶体管，尤其是在下一代存储结构中。SK Hynix 和 Kioxia 开发的碳选择器被评估为比现有的基于金属氧化物的选择器在热稳定性和小型化潜力方面具有优势。
继三星电子之后，SK海力士和日本铠侠分别在DRAM和NAND市场争夺第二和第三的位置，而这两家公司开展联合研发以解决共同的技术挑战，这很不寻常。两家公司过去曾合作开展标准化工作，以提高 NAND 闪存产品之间的互操作性，但核心部件的专利申请却很少。这也可以理解为，为了应对精细加工的局限性和高集成度的挑战，需要超越竞争对手的战略合作的一个例子。
SK海力士还获得了与硬件高密度和低功耗实现相关的专利批准，例如用于NAND和DRAM进步的工艺技术、电路设计和封装，从而扩大了技术基础，以应对向半导体微处理的过渡。其中包括‘3D半导体器件（专利号CN119864335A）’、‘包括互补延迟电路的半导体器件和存储器件（专利号CN119811447A）’、‘管理超级块的存储器件和操作存储器件的方法（专利号CN119806385A）’。
SK Innovation 和 SK On 在电池材料和回收领域的技术发展引人注目。 SK Enpulse 开发了一种抛光技术，可以提高半导体工艺的精度并提高工艺产量。
SK Innovation 已获得用于从锂二次电池中回收金属的“流化床反应器和金属回收方法（专利号 CN119895626A）”，增加了废电池回收业务商业化的可能性。此外，海力士还与SK Geocentric合作，申请了‘聚乙烯聚合催化剂的制造方法（专利号CN119775460A）’，正在加速可持续电池材料的开发。 SK On 获得“带电流断路器的电池和电池装置（CN119866573A）”的批准，从而扩大了其电池设计和材料技术组合，从而提高了电池单元的安全性。
