超15亿！2个SiC项目开工/即将投产

原创第三代半导体风向 2025-05-12 18:21

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近日，国内外又新增2个碳化硅项目动态：

扬杰科技：SiC车规级模块项目总投资10亿，已正式开工；

EYEQ Lab：8英寸SiC晶圆厂今年9月投产，年产能为14.4万片。

扬杰科技

5月10日，扬杰科技在官微宣布其SiC车规级功率半导体模块封装项目正式开工，中共扬州市委副书记及秘书长焦庆标、扬杰科技董事长梁勤和总裁陈润生等领导出席开工仪式。

据悉，本次开工项目计划总投资10亿元，占地62亩，规划建筑面积约11.2万平米。项目聚焦车规级框架式、塑封式IGBT模块，SiC MOSFET模块等第三代半导体产品，对标国际标杆，产品技术指标直追国际领先水平，可实现进口替代。项目全面达产后，预计可实现年开票销售10亿元，税收3000万元。

值得注意的是，扬杰科技在2024年年报中透露，他们计划于 2025 年 Q4 开展全国产主驱碳化硅模块的工艺、可靠性验证。

此外，扬杰科技投资的 SiC 芯片工厂在报告期内完成厂房装修、设备搬入和产品通线，采用 IDM 技术实现了650V/1200V 的 SiC SBD 产品从第二代升级到第四代， 650V/1200V 的 SiC MOS 产品从第二代升级到第三代，其中1200V SiC MOS 平台的比导通电阻（RSP）已做到 3.33 mΩ·cm²以下。

EYEQ Lab

5月12日，EYEQ Lab在官网透露，他们在釜山机张郡建设的韩国首家 8 英寸碳化硅功率半导体制造工厂将于今年9月竣工投产。

IQLAB在釜山柏悦酒店举办技术发布会，宣布开发出采用DICH技术的8英寸SiC功率半导体器件。釜山广域市、产业界、研究机构、大学以及ICSCRM 2025组委会等出席了此次活动，分享了技术成果并探讨了合作计划。

与此同时，他们宣布开发出采用沟槽技术的8英寸SiC功率半导体器件，在减小芯片面积的同时，电气稳定性和耐用性显著提高。这也是韩国首次采用自主设计和沟道技术成功开发的器件，将为今年9月竣工的机张郡工厂推进功率半导体的国产化奠定基础。

据“行家说三代半”此前报道，EYEQ Lab的8英寸工厂举行了奠基仪式，项目初始投资约1000亿韩元（约5.44亿人民币），SiC晶圆产能为14.4万片/年，投产时间预计为2025年9月。EYEQ Lab成立于 2018 年 5 月，是一家功率半导体无晶圆厂公司，通过建设8吋SiC工厂，意味着该无晶圆厂公司将成为功率半导体领域的综合性半导体公司。