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成功研发12英寸导电型SiC晶体
5月13日，晶盛机电在官微宣布，他们的子公司浙江晶瑞电子材料有限公司实现12英寸导电型碳化硅（SiC）单晶生长技术突破，首颗12英寸SiC晶体成功出炉——晶体直径达到309mm，质量完好。
据了解，浙江晶瑞基于自主研发的SiC单晶生长炉以及持续迭代升级的8-12英寸长晶工艺，经过多年的技术攻关，创新晶体生长温场设计及气相原料分布工艺，成功攻克12英寸SiC晶体生长中的温场不均、晶体开裂等核心难题，实现了12英寸超大尺寸晶体生长的重要突破。
值得注意的是，今年3月，浙江晶瑞还在SEMICON展会上展示了多晶12英寸碳化硅衬底。晶盛机电表示，这不仅标志着晶盛机电在SiC领域实现了6-12英寸全尺寸长晶技术的自主可控，更为我国SiC产业链的自主化发展提供了强有力的技术支撑。
目前，浙江晶瑞作为晶盛机电子公司，始终专注于碳化硅和蓝宝石抛光片等化合物半导体材料的研发与生产，其自主研发的8英寸碳化硅衬底已实现批量生产。
发布12英寸导电型SiC衬底
值得关注的是，南砂晶圆自成立以来，一直致力于碳化硅单晶材料的研发和生产，拥有广州、中山、济南三大生产基地，形成了完整的碳化硅单晶生长和衬底制备生产线，产品还包括6英寸和8英寸的导电型和半绝缘型碳化硅衬底。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
