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润新微电子：GaN芯片出货1亿颗，外延厂顺利通线

原创 第三代半导体风向 2025-05-19 18:33
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插播：英诺赛科、能华半导体、致能科技、万年晶半导体、京东方华灿光电、镓奥科技、鸿成半导体及中科无线半导体等企业已参编《2024-2025 氮化镓（GaN）产业调研白皮书》，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。

    5月18日，华润微电子在官微透露，华润微电子功率器件事业群润新微电子在大连举办氮化镓亿颗芯片庆典暨外延生产基地通线仪式，华润微电子副总裁庄恒前，华润微电子功率器件事业群总经理李超，润新微电子总经理梁辉南等领导及员工代表出席仪式。
    在仪式现场，润新微电子展示了其最新的技术成果和系列产品，举行了亿颗芯片出货庆典，庆祝GaN芯片成功出货一亿颗。
    与此同时，华润微电子及功率器件事业群管理层、润新微电子管理团队、大连高新区有关领导、项目建设代表共同为外延生产基地通线剪彩。
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    据了解，润新微电子外延生产基地从立项到建成仅用九个月，采用了前沿的工艺技术和创新理念，致力于打造国内一流、国际领先的外延片生产基地。基地升级投产后，润新微将能够为市场提供更加优质、高效的GaN芯片产品，满足国内日益增长的市场需求.
    华润微电子副总裁庄恒前表示，润新微电子外延生产基地的建成，标志着华润微电子在氮化镓产线布局上实现新的关键里程碑。未来，华润微电子将依托该生产基地，结合自身在氮化镓晶圆制造及封测领域的技术优势，通过共享市场销售网络、提供资金保障等措施，助力润新微电子成为国内氮化镓细分领域领军企业。
    “行家说三代半”发现，华润微电子与润新微电子的战略合作主要经历两大阶段：
    2022年，华润微电子通过战略投资控股润新微电子，加速了公司在氮化镓领域的战略布局。近年来，依托华润微电子的IDM全产业链资源优势，润新微电子在D-mode氮化镓领域持续深耕，构建起从外延材料制备到器件工艺优化的完整技术链条，成功与电源管理等领域的头部客户达成合作，市场品牌影响力大幅提升。
    2024年，基于“战略所向、经营所需”的双重考量，华润微电子投资建设润新微电子外延生产基地，通过垂直整合核心制造环节，进一步夯实了在外延能力上的竞争优势。
    值得关注的是，润新微电子此前已建成首条6英寸硅基氮化镓外延及功率器件晶圆生产线，并且曾计划2020年开始持续投入超过10亿元，建设年产8万片6寸硅基氮化镓外延片及1亿颗硅基氮化镓功率器件规模化生产线。
    同时，华润微电子作为润新微的第一大股东，在无锡也建设了GaN生产线。2022年润新微电子发布了新一代氮化镓工艺技术，在华润微现有硅功率器件产线上进行氮化镓工艺改造，于11月份实现批量通线。
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    据不完全统计，近年来国内共有15家氮化镓厂商（包括华润微及润新微）透露了项目建设状况，氮化镓器件产线或将超过19条：
      • 英诺赛科：据2024年年报披露，英诺赛科拥有苏州、珠海两大8英寸生产基地，截至2024年末，英诺赛科晶圆产能达1.3万片╱月，未来计划将产能扩充至2万片晶圆╱月。
      • 士兰微电子：据年报透露，2017年下半年，士兰微电子已建成 6 英寸的硅基氮化镓集成电路芯片中试线，涵盖从材料生长到系统应用的全技术链。2024年，由子公司士兰集昕投建的8吋硅基 GaN 功率器件芯片研发量产线已实现通线，年产能预计为1万片。
      • 三安光电：2024年度业绩说明会上，三安光电透露湖南三安拥有硅基氮化镓产能2000片/月。
      • 京东方华灿光电：据此前调研和公开信息透露，京东方华灿光电拥有一条GaN生产线，2023年已经全面通线，可以实现从外延到芯片的流片，预计2024年可实现年产1.2万片器件能力。此外，义乌工厂氮化镓功率器件晶圆级全流程工艺已经打通，2024 年底进行封装级可靠性评估和小批量战略客户送样， 预期 2025 年 Q2 进行大规模市场推广。
      • 能华半导体：据公开信息透露，能华的8寸氮化镓外延片生产线、6寸氮化镓功率芯片生产线已在运转。2024年4月，能华半导体张家港制造中心（二期）项目已开工建设，投产后将形成月产15000片6英寸GaN外延片的生产能力。
      • 方正微电子：2024年10月，方正微电子在首届湾芯展SEMiBAY开幕式上表示，公司当前有两个Fab。其中，Fab1除了拥有碳化硅晶圆生产能力外，还负责生产氮化镓晶圆，目前月产能为4000片。
      • 新微半导体：2024年4月，新微半导体参加产业交流时透露，他们的Fab1负责建设6英寸氮化镓功率生产线，正在规划建设的Fab2将建设8吋氮化镓功率生产线。
      • 致能科技：2024年3月，致能科技参加产业交流时透露，他们的徐州工厂是6吋氮化镓研发及量产基地，月产能为3500-5000片，封顶产能为1.5万片。
      • 格晶半导体：据了解，格晶半导体旗下江西万年晶半导体有限公司在江西省万年县投建了一个第三代半导体项目，总投资 25 亿元，投产后将成为江西省首个量产氮化镓车载功率器件的晶圆厂，年产量达 20 万片。
      • 镓奥科技：2025年2月，据“德清组工”官微透露，“中大功率氮化镓芯片及其模组”总部项目已落户浙江市德清县，其主体为湖州镓奥科技有限公司。
      • 镓宏半导体：2024年9月，江苏镓宏半导体有限公司组织召开年封测氮化镓电子器件8000万颗及氮化镓电子器件技术研发项目（一期工程）竣工环境保护验收会，并宣布通过了竣工环境保护验收。
      • 新镓能半导体：2024年9月，据“无锡惠山发布”透露，厦门新镓能半导体科技有限公司在当地投资建设了氮化镓功率芯片项目。
      • 誉鸿锦半导体：2023年11月，誉鸿锦半导体二期产业园项目厂房举行了主体结构封顶仪式，该项目首条批量线预计于2024年底前建成，月产能为6-7万片。项目全部建成投产后，每月产能将达到25万片，届时将成为全球最大的GaN IDM工厂。

        本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。

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