插播：英诺赛科、能华半导体、致能科技、万年晶半导体、京东方华灿光电、镓奥科技、鸿成半导体及中科无线半导体等企业已参编《2024-2025 氮化镓（GaN）产业调研白皮书》，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。
近期，碳化硅领域动态不断，“行家说三代半”关注到，英飞凌、利普思、中宜创芯、纳设智能等众多国内外碳化硅厂商纷纷晒出最新订单与合作进展，详情请看：近日，据eeNEWS等媒体报道，英飞凌相继与伟世通、Rivian达成SiC合作，将在车规级应用上搭载SiC技术：5月，英飞凌已与美国一级供应商伟世通签署协议，共同开发下一代电动汽车电源转换系统。根据协议，伟世通将采用英飞凌的碳化硅和氮化镓器件，用于电池接线盒、DC-DC 转换器和车载充电器，进而提高模块设计的效率和稳定性。伟世通电气化产品线负责人汪涛博士表示：“与英飞凌的合作使我们能够整合尖端半导体技术，这些技术对于提升下一代电动汽车的功率转换效率和整体系统性能至关重要。此次合作将推动技术进步，加速向更可持续、更高效的移动出行生态系统转型。”近日，美国汽车制造商 Rivian 已与英飞凌签约，英飞凌将为“R2”汽车平台提供牵引逆变器电源模块、微控制器和电源 IC，预计将于 2026 年开始。其中，电源模块将采用英飞凌的 HybridPack Drive G2 格式（如图所示），包含硅和碳化硅组件。该封装采用直接液冷，以针状翅片阵列作为散热界面，热阻通常为0.129°C/W。
5月13日，利普思半导体在官微透露，他们携多款SiC新品模块亮相德国PCIM，收获多个订单。据了解，针对新型电网、轨道交通、电动船舶等领域应用，利普思率先推出LPP系列SiC及IGBT模块，最大电流规格可达1800A，同时也首次推出了3300V SiC模块。目前已经获得多个国内和国外客户意向订单，涉及储能、高压级联、船舶动力等多个应用。此外，针对中频电源、电机控制等应用，利普思推出了Easy、SOT227、34mm、62mm、ED3、ED3S等全系列SiC模块，电流规格涵盖数10A到近1000A。这些产品均已经实现了应用和量产，特别是在感应加热、电镀电源、中频电源和电机电控领域的应用案例和海外多地的批量订单。5月6日，CISSOID 宣布与全球领先的汽车行业独立工程服务提供商 EDAG 集团建立战略合作伙伴关系，旨在加速开发用于电动汽车应用的下一代碳化硅 (SiC) 牵引逆变器。
此次合作将CISSOID在SiC功率半导体模块和控制解决方案方面的尖端专业知识与EDAG在电动动力系统设计、集成和验证方面的深厚工程技术相结合。通过优势互补，两家公司旨在为电动汽车原始设备制造商（OEM）和设备供应商提供技术支持和完整的解决方案，助力其高效、可靠且功能安全的SiC牵引逆变器开发。
CISSOID 首席技术官 Pierre Delatte表示：“与 EDAG 的合作使我们能够共同满足对高性能 SiC 牵引逆变器日益增长的需求。我们将携手帮助制造商充分发挥碳化硅技术的潜力，使电动汽车更加高效、紧凑和可靠。” 
5月19日，据平煤神马集团透露，旗下中宜创芯公司建成的年产2000吨电子级碳化硅粉体生产线产品已进入比亚迪、三安光电等行业知名企业供应链，覆盖5G基站、新能源汽车、航空航天等多个重点领域。据了解，该项目于2023年开工建设，用90天时间建成生产线进行试生产，产品纯度达到99.999998%。值得关注的是，中宜创芯已研发出可用于AR眼镜片材料的半绝缘碳化硅粉体。经检测，用他们研发的半绝缘碳化硅粉体制成的AR镜片，光传导效率提升至92%以上，厚度减少40%，重量下降30%。5月18日，据深圳新闻网报道，纳设智能的碳化硅外延设备已实现全面产业化。其中，6英寸碳化硅外延设备成功量产销售，8英寸单腔碳化硅外延设备推向市场后收获复购，市场占有率稳居国内同类设备前列。据悉，针对进口碳化硅外延设备耗材成本高、维护复杂的痛点，纳设智能推出创新的反应腔室设计，使耗材成本降低30%，维护难度也大幅降低，且成功将碳化硅外延设备工艺良率提升至98%。纳设智能成立于2018年，主要从事第三代半导体碳化硅、新型光伏材料、纳米材料等先进材料领域所需的薄膜沉积设备等高端设备的研发、生产和销售。2024年，随着新生产基地正式投产，纳设智能产能大幅提升，设备也顺利实现出口。近期，上海亿鼎技术（集团）有限公司与上海垣麓企业咨询合伙企业（有限合伙）正式达成战略合作，成立了亿威盛半导体科技（上海）有限公司。双方在亿鼎集团总部举行投资签约仪式，此次签约标志着双方将在半导体设备零部件领域展开深度合作。
通过此次这次合作，亿威盛将充分整合各自在技术、资金、市场等方面的优势资源，共同投身于碳化硅刻蚀设备零部件的研发、生产与销售工作，致力于打造出更具市场竞争力的产品，全力满足日益增长的市场需求。
近日，鲁晶半导体透露他们赴山东大学新一代半导体材料研究院开展碳化硅（SiC）功率器件技术交流活动。双方围绕SiC肖特基二极管、MOSFET器件的研发以及产业化应用等展开深度研讨，共探产学研协同创新路径。
未来，鲁晶半导体将依托山东大学新一代材料研究院平台及人才资源，强化技术研发能力；山东大学借助企业产业资源与市场渠道，推动科研成果快速转化。双方将以此次合作为起点，构建“基础研究+技术攻关+产业落地”全链条创新体系，助力国产半导体自主可控。
此外，双方还重点交流了超高压5000V SiC肖特基二极管及大功率MOSFET器件的技术进展。鲁晶半导体技术团队分享了其在器件研发与制造中的阶段性成果，山东大学专家则从学术角度剖析了高频、高效、高温性能优化方案。双方一致认为，SiC功率器件凭借其耐高压、低损耗特性，将成为未来电力电子领域的核心技术方向。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
