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对于需要常关器件的应用，可以将低压硅（Si） MOSFET与常开碳化硅（SiC） JFET串联使用，以创建共源共栅（cascode）结构。在这种设置中，SiC JFET负责处理高电压，而Si MOSFET提供常关功能。这种组合充分利用了SiC JFET的高性能以及Si MOSFET易于控制的优点。
安森美 Combo JFET 将一个 SiC JFET 和一个低压Si MOSFET 集成到一个封装中，在满足小尺寸需求的同时，还具有高性能的常关特性。 此外，通过各种栅极驱动配置，该 Combo JFET 还提供了诸如与具有 5V 阈值的硅器件的栅极驱动兼容性、更高可靠性和简化速度控制等优势。
Combo JFET 将一个 SiC JFET 和一个低压Si MOSFET 集成到一个封装中，SiC JFET 和低压 MOSFET 的栅极均可使用。
图 1 Combo JFET 结构
由于 JFET 和低压 MOSFET 栅极均可使用，Combo JFET 具有多种优势。 这些优势包括过驱动（overdrive）时 RDS（on）降低，通过外部cascode 简化栅极驱动电路，通过 JFET 栅极电阻调节开关速度，以及通过测量栅极-源极压降来监测 JFET 结温。
表 1 和图 2 显示了 Combo JFET产品和可用封装。
表 1 Combo JFET产品清单
图 2 Combo JFET封装和原理图
表 2 总结了 安森美 SiC Combo JFET器件的特性和优势。
表 2 安森美 SiC Combo JFET的特性和优势
本节评估的静态特性包括 RDS（on）、峰值电流 (IDM)、RθJC（从结点到外壳的热阻）。 对于电路保护和多路并联应用，dv/dt 可控性至关重要。 以 750V 5mOhm TOLL 封装 (UG4SC075005L8S) 器件为例，评估其静态特性和动态特性。
未完待续，后续推文将继续介绍静态特性、动态特性、功率循环，并提供仿真工具、装配指南、热特性、可靠性和合格性文档的相关链接。
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