智新半导体 | 1700V SiC MOSFET模块正式下线，开启电驱新时代！

差异化竞争优势可总结为以下几大维度：

开关损耗锐减60% 

通过第二代SiC芯片技术优化栅极驱动设计（支持+15~+18V驱动电压）和低寄生电感封装（≤10nH），显著降低Eon/Eoff损耗。对比传统IGBT，系统效率从96%跃升至99%，仅效率提升即可为整车续航延长3%以上。 

导通损耗腰斩 

3mΩ超低导通阻抗（1200V/400A工况下比IGBT低50%），结合纳米银烧结工艺和AMB陶瓷基板，实现高电流承载（450Arms@1200V）与低温升特性。

高压平台适配

直接匹配1200V主驱逆变器需求，可简化电路拓扑（两电平替代三电平），组件数量减少50%以上，同时支持2180V反向阻断电压，提升系统可靠性，相比750V平台，1700V高压架构缩短充电时间达75%，甚至较1200V模块再降20%，完美契合超快充桩与长续航车型需求。

智新半导体作为东风汽车与中车时代半导体合资的功率半导体企业，自2019年成立以来，始终聚焦新能源汽车核心器件国产化。2021年，其首条IGBT产线量产，填补了华中地区车规级功率模块的空白。近年来，随着高压平台需求爆发，智新于2022年成功研制首款碳化硅（SiC）模块，采用纳米银烧结工艺和双面水冷塑封技术，模块体积缩小40%，热阻降低25%，能量转化效率较硅基IGBT提升3%。

产能方面，智新的产能扩张分为三个阶段：

1. 一期产线（2021年投产）
   年产能30万只，主攻400V硅基IGBT模块，为东风风神、岚图等车型供货。

   
   

2. 二期产线（2024年4月投用）
   总投资1.63亿元，兼容生产400V IGBT与800V SiC模块，新增产能40万只/年（含2万只SiC模块），国产化率70%。2025年一季度，IGBT模块产量同比增长170%，单月峰值达3.7万只，日均产能突破2400只。
   
   
3. 三期规划（2025年启动）
   目标新增50万只/年产能，2025年总产能将达120万只，支撑东风“十四五”百万辆新能源车目标。

智新半导体的技术路径揭示了国产碳化硅模块的两大方向——纵向深耕高压高频性能+横向拓展规模化应用。在碳化硅“替代IGBT”的长期竞争中，智新致力于成为国产供应链的关键支点，推动中国新能源汽车从“国产替代”迈向“性能定义”的新阶段。

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