SCR放电管低触发区结构研究2

半导体技术人 2021-04-17


低触发区扩散深度的影响:

(1)室温,TA=300K


(2)低温,TA=250K


(3)高温,TA=400K

************************************************************************

        晶闸管(SCR)由于其深回滞输出特性曲线,低导通电阻,高ESD泄流能力的特点,在ESD保护中得到越来越广泛的应用。除了采用多个器件的组合方案来实现双向ESD保护之外,也可以用单向SCR的衍生器件来实现双向ESD保护,双向SCR器件内部是NPNPN结构。为了对集成电路的输出端口形成有效保护,需要低触发电压的SCR放电管作为ESD保护器件。对于低触发电压SCR放电管,在保证SCR放电管的开启速度不受影响的前提下,通过优化SCR放电管内部结构(如寄生晶体管基区结构、发射区结构、低电压触发结构等)的方法来降低SCR放电管的触发电压。

依据触发电压VS、触发电流IS、维持电流IH及触发电压、维持电流高低温变化率指标要求,利用半导体器件仿真软件进行双向低触发电压横向SCR放电管的设计。双向低触发电压横向SCR放电管是一种对称的ESD保护器件,它没有阳极与阴极的差异,在两个方向的ESD保护性能是等同的。器件中P阳极区、N-衬底、P区构成寄生PNP晶体管,N+阴极区P区、N-衬底区构成寄生NPN晶体管,寄生PNP晶体管与寄生NPN晶体管相互耦合,形成PNPN晶闸管结构。当寄生PNP晶体管与寄生NPN晶体管共基极短路电流放大倍数之和大于1αPNPNPN1)时,PNPN晶闸管结构触发开通

*********************************************************************

评论
热门推荐
相关推荐
X
广告
我要评论
0
0
点击右上角,分享到朋友圈 我知道啦
请使用浏览器分享功能 我知道啦