中国大陆第三代半导体发展动态

EETOP 2021-06-15 11:27


来源:集帮咨询

中国大陆厂商的SiC衬底技术与国际龙头Cree仍存在较大差距,但差距正在逐步缩小。

中国大陆SiC衬底与外延现况

衬底:中国大陆厂商与国际龙头Cree在衬底技术差距仍大,但正逐步缩小。现阶段中国多数衬底厂商具备6吋量产能力,山西烁科8吋SiC衬底片已研发成功,虽仅落后Cree一年,但量产进程还远远不及(Cree位于美国北卡罗莱纳州的8吋SiC产线预计2022上半年开始产能爬坡)。

外延:中国纯粹外延片供应商主要有两家:厦门瀚天天成、东莞天域,均可提供4 / 6吋外延片;此外,中电科13所、55所皆有内部供应的外延片生产部门。

中国大陆GaN衬底与外延现况

衬底:目前全球GaN单晶衬底市场以日本研究水准较高;在中国大陆方面,苏州纳维、东莞中镓、上海镓特等极少数玩家具备GaN衬底制备能力。

外延:主流GaN外延片(Si基/SiC基)供应商依旧集中在欧洲国家和日本,中国大陆厂商尚未进入供给端第一梯队,仅苏州晶湛、聚力成、聚能晶源等厂商参与。

中国大陆SiC衬底产线布局与尺寸、价格趋势

尺寸方面,6吋衬底已全面实现商业化,Cree首批8吋衬底预计2022年试产,2024年全面量产。随着SiC电力电子器件大规模推广应用,对器件成本会越来越敏感,未来大尺寸衬底比例将不断增加。

价格方面,尽管目前4吋SiC衬底成本不到6吋一半,在低阶器件市场如二极体等,4吋衬底尚有一定竞争力,但随着SiC材料技术进一步成熟,6吋衬底降价空间非常大,预计5年左右会降至目前4吋片价格。在8吋衬底方面,前期产能爬坡过程中成本较高,但进入大规模量产阶段后,成本将迅速下降,最终会有成本优势交叉点。

一线新能源车企预计2025年全面采用SiC替代方案,仅逆变器部分就将消耗绝大部分SiC衬底产能,若再将车载OBC、DC/ DC等组件考虑进去,需求量将进一步扩大,因此2025年有望成为SiC衬底价格下降的关键转捩点。

▲ 中国大陆SiC衬底产线布局(Source:集邦咨询,2021.6) 


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