发改委官宣:同意发债3.5亿建GaN项目

原创 第三代半导体风向 2021-07-22 12:40
7月21日,国家发改委发文称,同意一家企业发行10亿元公司债,其中三分之一资金用于建设氮化镓射频项目。该项目或将约浙江省25亿元项目有关。

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嘉兴科技城投资发展集团有限公司曾向发改委申请发行公司债券,根据通知,7月9日,发改委同意了该申请。
嘉兴科技城预计将发行公司债券10亿元,其中3.5亿元用于氮化镓射频及功率器件标准化厂房建设项目,2.5亿元用于国美智能终端标准化厂房建设项目(一期),4亿元用于补充营运资金。

据介绍,嘉兴科技城成立于20133月,目前落户企业包括斯达半导体、芯动科技、禾润电子、博创科技等十多家集成电路企业。
这次发行的3.5亿债券,很可能用于支持浙江博方嘉芯集成电路科技有限公司。
早在2019年11月,博方嘉芯的氮化镓射频及功率器件产业化项目正式签约落户嘉兴科技城。据悉,该项目总投资25亿元,占地110亩,将引进6英寸晶圆生产线兼容4英寸氮化镓生产线设备,新建大型规模化的GaN射频器件与功率器件生产基地。

2020年3月该项目正式开工,2020年4月正式进场施工,预计2021年7月将全部竣工验收。

此外,在20203月,为了顺利推进氮化镓射频及功率器件产业化项目,促进第三代半导体产业在嘉兴科技城发展,嘉兴科技城与博方嘉芯正式签约,共建第三代半导体产业技术研究院
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