Intel 4工艺Meteor Lake 14代酷睿晶圆首秀:2023年发布

电源Fan 2021-07-30 08:45

Intel前天宣布了全新的工艺路线图,一个最核心的变化就是改名:10nm Enhanced SuperFin改名为Intel 7,7nm改名为Intel 4,未来还有Intel 3,以及全新晶体管架构的Intel 20A、Intel 18A。

Intel表示,此前的工艺节点命名规则始于1997年,都是以实际的栅极宽度来定义(xxnm),但是近些年来,工艺命名和栅极宽度已经不匹配,因此Intel启用了新的命名方式,便于产业、客户、消费者理解。

Intel 7工艺号称能耗比相对于10nm SuperFin提升大约10-15%,今年底的Alder Lake 12代酷睿首发,明年第一季度还有Sapphire Rapids四代可扩展至强。


Intel 4工艺全面引入EUV极紫外光刻,能效比再提升大约20%,明年下半年投产,2023年产品上市。

首发消费级产品是Meteor Lake,已在今年第二季度完成计算单元的六篇,数据中心产品则是Granite Rapids。

Meteor Lake预计将隶属于14代酷睿家族,它之前还有一代Raptor Lake,后者也是Intel 7工艺。


今天的会议上,Intel也首次展示了Meteor Lake的测试晶圆,除了新工艺还有Foveros 3D立体封装。

这一代,也将是Intel消费级处理器第一次放弃完整的单颗芯片,引入不同工艺、不同IP的模块,借助新的封装技术,整合在一起。


再往后,Intel 3工艺进一步优化FinFET、提升EUV,能效比继续提升大约18%,还有面积优化,2023年下半年投产。

它也是最后一代FinFET晶体管,2011年的22nm二代酷睿Ivy Bridge第一次引入。


之后就是后纳米时代了,工艺命名又改了新的规则,首先是Intel 20A,拥有两项革命性技术,RibbonFET就是类似三星的GAA环绕栅极晶体管,PoerVia则首创取消晶圆前侧的供电走线,改用后置供电,也可以优化信号传输。2024年投产。

接下来是Intel 18A,预计2025年初投产,继续强化RibbonFET,还有下一代高NA EUV光刻,与ASML合作。


RibbonFET晶体管

PowerVia

传统晶圆(左)、Powervia晶圆(右)供电和信号走线对比:图片上方对应晶圆前侧





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来源:快科技

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