无源晶振匹配电容—计算方法

硬件工程师 2019-10-13 15:41

以前有写过一篇文章“晶振”简单介绍了晶振的一些简单参数,今天我们来说下无源晶振的匹配电容计算方法:

如上图,是常见的的无源晶振常见接法,而今天来说到就是这种常见电路的电容计算方法,有两种:

A,知道晶振的负载电容Cload,需要计算Ce1与Ce2;

B,某些IC有推荐Ce1与Ce2,那么需要去求晶振的Cload,然后再去找对应的物料。


方法A:

如上图:Ce1=Ce2=2*[Cl-(Cs+Ci)]

其中,Ce1,Ce2为晶振外部的负载电容,也即是匹配电容

Cl为晶振规格书的负载电容

Cs为PCB板的走线、IC PAD的寄生电容的和

Ci为IC的PIN寄生电容。

计算开始:

Cl通过规格书获取,一般为20pF。

Cs与Ci采用估算值,Cstray=Cs+Ci。一直范围为3pF~7pF。

那么:Ce1(min)=Ce2(min)=2*[20-7]=26pF

Ce1(max)=Ce2(max)=2*[20-3]=34pF

则这时候在这个区间选一个容值即可,基本没多大问题。


方法B:

C1,C2为晶振的外部匹配电容

Cstray为trace,pad and chip的寄生电容

Cl则为我们需要的晶振参数。

计算开始:

如果chip有要求C1=C2=22pF,而Cstray范围为3pF~7pF

那么:CL=11+(3~7)pF

CL(min)=14pF,CL(max)=18pF。

则可以拿着参数去找对应的晶振型号。


总结:上面两种方法,一种是先确定了晶振的参数,然后对应去算匹配电容范围,简单方便。另外一种是根据平台推荐的匹配电容,去算晶振的参数,然后去选择对应的型号。仔细看看,这两种方法其实是一样的。


推荐阅读:

晶振


文末:秀下今天的饺子

硬件工程师 分享电路设计知识,并助于在实际中应用。
评论
热门推荐
相关推荐
我要评论
0
0
点击右上角,分享到朋友圈 我知道啦
请使用浏览器分享功能 我知道啦