SiC-高性能材料的选择 - 电子工程专辑

SiC

碳化硅（SiC）是一种具有高热导率、高击穿场强和高电子迁移率等特点的材料.它被广泛应用于半导体器件、高温电子器件、高压功率器件、光电子器件等领域.

新能源汽车功率器件到底是SIC还是IGBT?

欢迎加入技术交流QQ群（2000人）：电力电子技术与新能源 1019127379高可靠新能源行业顶尖自媒体在这里有电力电子、新能源干货、行业发展趋势分析、最新产品介绍、众多技术达人与您分享经验，欢迎关注微信公众号：电力电子技术与新能源(Micro_Grid)，论坛：www.21micro-grid.com，建立的初衷就是为了技术交流，作为一个与产品打交道的技术人员，市场产品信息和行业技术

电力电子技术与新能源 2025-06-21 145浏览
签约/动工/投产！新增4个SiC项目动态

插播：天科合达、天岳先进、同光半导体、烁科晶体、泰坦未来、芯聚能、三安半导体、安海半导体、华卓精科、快克芯装备、合盛新材料、京航特碳、恒普技术、奥亿达新材料、凌锐半导体、中电化合物、东尼电子、西格玛、铭扬半导体等已确认参编《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》及《2025碳化硅器件与模块产业调研白皮》，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。近期，“行家说三代半”发现，国内新增4

第三代半导体风向 2025-06-20 82浏览
6家SiC企业公布最新合作/订单进展

插播：天科合达、天岳先进、同光半导体、烁科晶体、泰坦未来、芯聚能、三安半导体、安海半导体、华卓精科、快克芯装备、合盛新材料、京航特碳、恒普技术、奥亿达新材料、凌锐半导体、中电化合物、东尼电子、西格玛、铭扬半导体等已确认参编《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》及《2025碳化硅器件与模块产业调研白皮》，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。近期，“行家说三代半”关注到，钧联电子

第三代半导体风向 2025-06-20 110浏览
昔日SiC巨头即将黯然离场

▲ 点击上方蓝字关注我们，不错过任何一篇干货文章！据路透社等外媒报道，碳化硅（SiC）材料领导厂商 Wolfspeed 即将申请破产，其股价受此消息影响暴跌 30.14%，收于 0.8732 美元 / 股，年初迄今已跌去 86.89%。消息人士透露，Wolfspeed 计划短暂进入破产程序，期间由 Apollo Global Management（阿波罗全球管理公司）带领的债权人接管公司

电子工程世界 2025-06-20 77浏览
理想、东风、芯联集成公布自研SiC模块，有何特点？

插播：天科合达、天岳先进、同光半导体、烁科晶体、泰坦未来、芯聚能、三安半导体、安海半导体、华卓精科、快克芯装备、合盛新材料、京航特碳、恒普技术、奥亿达新材料、凌锐半导体、中电化合物、东尼电子、西格玛、铭扬半导体等已确认参编《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》及《2025碳化硅器件与模块产业调研白皮》，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。近期，“行家说三代半”发现理想汽车、东

第三代半导体风向 2025-06-19 123浏览
新品 | 采用CoolSiC™ 400V SiC MOSFET的ANPC三电平虚拟评估板

新品采用CoolSiC™ 400V SiC MOSFET的ANPC三电平虚拟评估板该虚拟设计（提供设计文件，不提供实物产品）为3L-ANPC拓扑，是带隔离的三相三电平逆变器板。优化的PCB布局最大限度地减少了换流回路电感，降低了开关损耗和电压过冲。该设计是工程师和研究人员实验、验证和优化工业电机驱动器和光伏组串逆变器3L-ANPC系统的理想选择。产品型号：■ EVAL_10KW_3LAN

英飞凌工业半导体 2025-06-19 86浏览
【应用指南】利用SMFA系列非对称TVS二极管实现高效SiC MOSFET栅极保护

引言碳化硅（SiC）MOSFET在电源和电力电子领域的应用越来越广泛。随着功率半导体领域的发展，开关损耗也在不断降低。随着开关速度的不断提高，设计人员应更加关注MOSFET的栅极驱动电路，确保对MOSFET的安全控制，防止寄生导通，避免损坏功率半导体。必须保护敏感的MOSFET栅极结构免受过高电压的影响。Littelfuse提供高效的保护解决方案，有助于最大限度地延长电源的使用寿命、可靠性和鲁棒性

力特奥维斯Littelfuse 2025-06-19 59浏览
智新半导体 | 1700V SiC MOSFET模块正式下线，开启电驱新时代！

2025年6月15日，智新半导体宣布首批1700V碳化硅（SiC）MOSFET模块正式下线，标志着公司在高压功率半导体领域取得重大突破。该产品将全面赋能新能源汽车、电动商用车及超充基础设施，助力行业向1000V以上高压架构快速演进，突破传统硅基（IGBT）性能瓶颈，实现电驱系统高效化、轻量化与长续航。差异化竞争优势可总结为以下几大维度：开关损耗锐减60% 通过第二代SiC芯片技术优化栅极

碳化硅芯观察 2025-06-18 178浏览
国产SiC被飞机采用！这家企业与广汽联手

插播：天科合达、天岳先进、同光半导体、烁科晶体、泰坦未来、芯聚能、三安半导体、安海半导体、华卓精科、快克芯装备、合盛新材料、京航特碳、恒普技术、奥亿达新材料、凌锐半导体、中电化合物、东尼电子、西格玛、铭扬半导体等已确认参编《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》及《2025碳化硅器件与模块产业调研白皮》，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。对每一克重量都“斤斤计较”的eVTOL

第三代半导体风向 2025-06-18 119浏览
理想汽车发布自研高压 SiC 功率模块，提升续航与空间

Carbontech2025第九届国际碳材料大会暨产业展览会（12月9-11日上海），以“材料创新驱动产业变革”为主线，构建覆盖全产业链的三大主题展馆，其中N1半导体碳材料馆聚焦金刚石及超硬材料的最新成果与应用。欢迎扫码申请加入专业交流群在 6 月 13 日举行的 TMC2025 功率半导体创新技术论坛上，理想汽车首次公开了其新一代电驱动核心技术——自研高压碳化硅（SiC）功率模块 LPM（Li

DT半导体材料 2025-06-17 218浏览
SiC外延技术新突破，几乎零缺陷！

插播：天科合达、天岳先进、同光半导体、烁科晶体、泰坦未来、芯聚能、三安半导体、安海半导体、华卓精科、快克芯装备、合盛新材料、京航特碳、恒普技术、奥亿达新材料、凌锐半导体、中电化合物、东尼电子、西格玛、铭扬半导体等已确认参编《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》及《2025碳化硅器件与模块产业调研白皮》，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。前段时间，理想汽车的论文提到碳化硅外延

第三代半导体风向 2025-06-17 303浏览
国产SiC MOS实现主驱应用，将大规模交付

插播：天科合达、天岳先进、同光半导体、烁科晶体、泰坦未来、芯聚能、三安半导体、安海半导体、华卓精科、快克芯装备、合盛新材料、京航特碳、恒普技术、奥亿达新材料、凌锐半导体、中电化合物、东尼电子、西格玛、铭扬半导体等已确认参编《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》及《2025碳化硅器件与模块产业调研白皮》，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。随着新能源汽车的迅猛发展，其对高性能功

第三代半导体风向 2025-06-16 305浏览
传：欧系Tier 1抛售6寸SiC晶圆厂

据台媒报道，近期供应链消息显示，某欧洲一级汽车供应商（Tier 1）正计划以“升级8英寸SiC产线”为由，出售其6英寸SiC晶圆厂。由于Tier 1企业仍掌控SiC元件及模块的关键市场渠道，甚至拥有采购自主权。业内解读：当前8英寸SiC尚未进入真正的商业化量产阶段，该企业表面为升级8寸，实则或因业务获利不佳止损，以缓解经营压力。受此影响，富士康旗下鸿扬、中美晶集团茂矽、朋程、世界先进、汉磊等中国台

芯极速 2025-06-16 189浏览
国产烧结银崛起，助力SiC电驱效率提升12%

插播：天科合达、天岳先进、同光半导体、烁科晶体、泰坦未来、芯聚能、三安半导体、安海半导体、华卓精科、快克芯装备、合盛新材料、京航特碳、恒普技术、奥亿达新材料、士兰微、凌锐半导体、中电化合物、东尼电子、西格玛、铭扬半导体等已确认参编《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》及《2025碳化硅器件与模块产业调研白皮》，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。随着新能源汽车续航里程突破10

第三代半导体风向 2025-06-13 131浏览
聚焦AI和HPC应用，Coherent发布突破性金刚石SiC材料

随着人工智能（AI）和高性能计算（HPC）领域的快速发展，芯片功耗不断攀升，散热问题已成为限制性能和可靠性的关键瓶颈。6月13日，美国#Coherent（高意）宣布，推出其突破性的金刚石-碳化硅（diamond-SiC）复合材料，旨在彻底改变人工智能和高性能计算HPC应用中的热管理解决方案。图片来源：Coherent公告截图Coherent此次发布的专利金刚石-碳化硅材料，其各向同性导热系数突破

集邦化合物半导体 2025-06-13 193浏览
SiC Combo JFET性能评估：静态特性、动态特性等

点击蓝字关注我们安森美粉丝专属福利！汽车线控技术硬核资料免费领，还能赢绿联拓展坞、京东卡！扫码即可参与👇安森美推出了具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET。该器件特别适用于需要大电流处理能力和较低开关速度的应用，如固态断路器和大电流开关系统。得益于碳化硅（SiC）优异的材料特性和 JFET 的高效结构，可实现更低的导通电阻和更佳的热性能，非常适合需要多个器件并联以高效管理大电流

安森美 2025-06-12 113浏览
格力电器：已建立SiC SBD和MOS芯片工艺平台，董明珠卸任零边界董事长

近日，#格力电器在芯片领域的战略布局迎来关键性人事调整与技术突破。格力电器披露，已成功建立起#碳化硅（SiC）SBD和MOS芯片的完整工艺平台，部分产品不仅实现内部批量使用，更已为多家芯片设计公司提供晶圆流片制造服务，这标志着格力在第三代半导体战略已正式进入量产阶段。与此同时，格力电器董事长兼总裁董明珠卸任格力电器全资子公司珠海零边界集成电路有限公司（以下简称“零边界”）的法定代表人及

集邦化合物半导体 2025-06-12 543浏览
又一 SiC 模块封装产线建设项目正式落户

Carbontech2025第九届国际碳材料大会暨产业展览会（12月9-11日上海），以“材料创新驱动产业变革”为主线，构建覆盖全产业链的三大主题展馆，其中N1半导体碳材料馆聚焦金刚石及超硬材料的最新成果与应用。欢迎扫码申请加入专业交流群6月10日，基本半导体（中山）有限公司成功竞得火炬高新区民众街道深中合作区22亩地块，成为火炬工业集团园区闪亮一员。这标志着中山首个碳化硅模块封装产线建设项目正

DT半导体材料 2025-06-11 120浏览
2家SiC企业亮相新技术：10kV、SJ-SBD

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第三代半导体风向 2025-06-11 163浏览
又有9款上新！SiC车型持续火热

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第三代半导体风向 2025-06-11 138浏览
SiC Combo JFET讲解，这些技术细节必须掌握

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安森美 2025-06-10 152浏览
新增3起合作！SiC应用再加速

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第三代半导体风向 2025-06-10 207浏览
基本半导体、奕能电子：2个SiC模块项目稳步推进

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第三代半导体风向 2025-06-10 226浏览
新品 | 英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模块

新品英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™SiC MOSFET 1200V模块英飞凌EconoDUAL™ 3 1200V/1.4mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET半桥模块，增强型1代M1H芯片、集成NTC温度传感器和PressFIT引脚，还可提供预涂导热材料TIM版本(FF1MR12MM1HP_B11)或基板背面的Wave波浪结构，用于直接液体冷却(FF1MR12MM1HW_B

英飞凌工业半导体 2025-06-10 157浏览
经纬恒润与长飞先进达成战略合作，共推国产SiC模块量产上车

Carbontech2025第九届国际碳材料大会暨产业展览会（12月9-11日上海），以“材料创新驱动产业变革”为主线，构建覆盖全产业链的三大主题展馆，其中N1半导体碳材料馆聚焦金刚石及超硬材料的最新成果与应用。欢迎扫码申请加入专业交流群近日，经纬恒润与安徽长飞先进半导体股份有限公司（以下简称“长飞先进”）顺利完成战略合作协议签约。未来，双方将充分发挥各自在汽车动力及碳化硅功率半导体领域的资源优

DT半导体材料 2025-06-09 198浏览

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不错的软件，就是环境配置很难，服务器在外面。下载速度超级慢，

zhusx123 评论文章 2025-06-22

跨平台的嵌入式开发工具链 PlatformIO
islamabadcompanions.online/call-girls-in-islamabads/

用户17504... 评论文章 2025-06-21

嵌入式软件开发过程中那些容易忽略的问题

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