衬底 - 电子工程专辑

衬底

杨德仁院士团队国际领先！100毫米(010) 面单晶氧化镓衬底问世

2025年5月，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称镓仁半导体）在氧化镓大尺寸晶体生长与衬底加工技术方面取得突破性进展，基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备，使用垂直布里奇曼（VB）法制备出100毫米(010)面氧化镓单晶衬底，该成果属国际上首次报道。扫描二维码，加入氧化镓行业交流群此前，镓仁半导体采用垂直布里奇曼（VB）法成功生长出了100毫米氧化镓单晶，经过工艺迭代优化，成功实现了100毫米(01

未来产链 2025-06-11 454浏览
稳懋半导体发布基于SiC衬底的0.12μm GaN HEMT

氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）技术正迎来重大突破。近日，纯化合物半导体代工厂#稳懋半导体（WIN Semiconductors）推出基于SiC衬底的0.12微米栅极长度D型GaN HEMT技术，预计2025年第三季度量产，这将显著提升高频射频电路性能，加速GaN技术在5G/6G通信、雷达、电子战及电力电子等高功率、高频率应用领域的商业化进程。图片来源：稳懋半导体近日，稳懋半导体正式推出了其基

集邦化合物半导体 2025-06-06 174浏览
住友电工和大阪公立大学成功在2英寸多晶金刚石衬底上制作GaN-HEMT

住友电气工业株式会社与大阪公立大学（Osaka Metropolitan University）在日本科学技术振兴机构（JST）的联合研究项目中，成功在2英寸多晶金刚石（PCD）基板上制造了氮化镓晶体管（"GaN-HEMT"）。该技术是实现移动通信和卫星通信领域核心器件大容量化及低功耗化的重要一步。图1 英寸多晶金刚石衬底上实现高频器件用的GaN-HEMT结构近年来，随着无线通信中传输的信息量的不

未来产链 2025-06-05 98浏览
2英寸多晶金刚石衬底GaN HEMT问世，通信核心器件迎来高功率低功耗新时代

Carbontech2025第九届国际碳材料大会暨产业展览会（12月9-11日上海），以“材料创新驱动产业变革”为主线，构建覆盖全产业链的三大主题展馆，其中N1半导体碳材料馆聚焦金刚石及超硬材料的最新成果与应用。欢迎扫码申请加入专业交流群日本住友电气工业株式会社（SEI）和大阪公立大学（OMU）在与日本科学技术振兴机构（JST）的联合研究项目中，在 2 英寸多晶金刚石（PCD）衬底

DT半导体材料 2025-06-03 394浏览
12英寸SiC再添新玩家，8吋衬底已量产

插播：天科合达、天岳先进、同光股份、烁科晶体、合盛新材料、三安半导体、东尼电子、中电化合物、芯聚能、安海半导体、凌锐半导体、士兰微、泰坦未来、恒普技术、华卓精科、快克芯装备、京航特碳、奥亿达半导体及成都炭材等已确认参编《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》及《2025碳化硅器件与模块产业调研白皮》，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。5月31日，合盛硅业在官微宣布，其下属单位

第三代半导体风向 2025-06-03 256浏览
聚焦SiC光波导降本！6家衬底企业指出破局路径

插播：天科合达、天岳先进、同光股份、烁科晶体、合盛新材料、三安半导体、东尼电子、中电化合物、芯聚能、安海半导体、凌锐半导体、士兰微、泰坦未来、恒普技术、华卓精科、快克芯装备、京航特碳、奥亿达半导体及成都炭材等已确认参编《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》及《2025碳化硅器件与模块产业调研白皮》，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。自2024年Meta宣布其AR眼镜采用碳化

第三代半导体风向 2025-05-20 595浏览
新一代离子束技术在金刚石衬底现任国防科技大学副研究员田野 | 2025未来半导体产业创新大会（5月22-24日江苏苏州）

扫描文末二维码，加入金刚石行业交流群启明会议 5月22-24日，“2025未来半导体产业创新大会”将于江苏苏州（吴中希尔顿逸林酒店）召开。本次大会由国家第三代半导体创新中心（苏州）、西安交通大学、Flink 启明产链联合举办，并由赵正平、王宏兴、江南三位教授担任大会主席。大会将以“金刚石+”为核心，围绕金刚石+化合物半导体、半导体用金刚石等关键产业应用难题，从高功率器件散热、晶圆衬底制备

未来产链 2025-05-19 500浏览
碳化硅晶圆衬底金刚石加工技术现状与趋势河南工业大学教授栗正新| 2025未来半导体产业创新大会（5月22-24日江苏苏州）

扫描文末二维码，加入金刚石行业交流群启明会议 5月22-24日，“2025未来半导体产业创新大会”将于江苏苏州（吴中希尔顿逸林酒店）召开。本次大会由国家第三代半导体创新中心（苏州）、西安交通大学、Flink 启明产链联合举办，并由赵正平、王宏兴、江南三位教授担任大会主席。大会将以“金刚石+”为核心，围绕金刚石+化合物半导体、半导体用金刚石等关键产业应用难题，从高功率器件散热、晶圆衬底制备

未来产链 2025-05-17 125浏览
碳化硅晶圆衬底金刚石加工技术现状与趋势河南工业大学教授栗正新| 2025未来半导体产业创新大会（5月22-24日江苏苏州）

扫描文末二维码，加入金刚石行业交流群启明会议 5月22-24日，“2025未来半导体产业创新大会”将于江苏苏州（吴中希尔顿逸林酒店）召开。本次大会由国家第三代半导体创新中心（苏州）、西安交通大学、Flink 启明产链联合举办，并由赵正平、王宏兴、江南三位教授担任大会主席。大会将以“金刚石+”为核心，围绕金刚石+化合物半导体、半导体用金刚石等关键产业应用难题，从高功率器件散热、晶圆衬底制备

未来产链 2025-05-16 88浏览
【光电集成】半导体的衬底和外延区别

今日光电有人说，20世纪是电的世纪，21世纪是光的世纪；知光解电，再小的个体都可以被赋能。追光逐电，光引未来...欢迎来到今日光电！----追光逐电光引未来----来源：漫谈大千世界申明：感谢原创作者的辛勤付出。本号转载的文章均会在文中注明，若遇到版权问题请联系我们处理。----与智者为伍为创新赋能----【说明】欢迎企业和个人洽谈合作，投稿发文。欢迎联系我们诚招运营合伙人，对新媒体感兴

今日光电 2025-05-14 57浏览
天科合达：8英寸SiC衬底和外延技术进展

插播：倒计时6天！三菱电机、意法半导体、Wolfspeed、三安半导体、天科合达、元山电子、大族半导体、香港大学、长飞先进、宏微科技、利普思、昕感科技、国扬电子、国基南方、芯长征、合盛新材料、瀚天天成、芯研科、国瓷功能材料、季华恒一等邀您参加上海“电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会”，点击文章底部“阅读原文”即可报名参会。5月15日，“行家说三代半”将在上海召开“电动交通&数字能源S

第三代半导体风向 2025-05-09 508浏览
这一企业8英寸SiC衬底小批量生产

Carbontech2025第九届国际碳材料大会暨产业展览会（12月9-11日上海），以“材料创新驱动产业变革”为主线，构建覆盖全产业链的三大主题展馆，其中N1半导体碳材料馆聚焦金刚石及超硬材料的最新成果与应用。欢迎扫码申请加入专业交流群近日，合盛硅业发布了2024 年年度报告。其中透露，他们在 8 英寸碳化硅衬底研发方面，凭借自研体系和高效研发，已开始小批量生产，未来将加速 8 英寸碳化硅量产

DT半导体材料 2025-05-08 161浏览
论文精选丨山东大学彭燕/徐现刚团队在金刚石-碳化硅复合衬底：GaN基器件高效散热的 “秘钥”

添加文末微信获取完整论文随着科技的飞速发展，GaN 基器件在高频高压领域大放异彩，然而散热难题却成为制约其性能提升与可靠性的关键瓶颈。近期，科研团队创新性地提出金刚石 - 化硅（SiC）复合衬底策略，巧妙融合 SiC 的结构优势与金刚石的超凡热导率，为 GaN 基器件的热管理开辟全新路径，成果斐然。01GaN基器件的散热困境GaN 作为 III-V 族化合物半导体，凭借高击穿电场与电子迁移率，在无

未来产链 2025-05-04 334浏览
大族半导体8/12英寸SiC衬底激光剥离实现3大新突破

插播：英诺赛科、能华半导体、致能半导体、京东方华灿光电、镓奥科技等已确认参编《2024-2025氮化镓（GaN）产业调研白皮书》，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。当前，碳化硅衬底价格下降压力较大，亟需降本。传统切割工艺普遍依赖传统多线切割技术，但该工艺效率低、材料损耗，很难满足6-8英寸大尺寸碳化硅晶锭加工需求，尤其是在12英寸光波导碳化硅镜片制备的难度较大。针对激光剥离技术

第三代半导体风向 2025-04-25 442浏览
山东大学成功研制 4英寸高质量 GaN 单晶衬底制备

5月22-24日，“2025未来半导体产业创新大会”将于江苏苏州（吴中希尔顿逸林酒店）召开。本次大会由国家第三代半导体创新中心（苏州）、西安交通大学、Flink 启明产链主办，并由赵正平、王宏兴教授担任大会主席。大会将以“金刚石+”为核心，围绕金刚石+化合物半导体、半导体用金刚石等关键产业应用难题，从高功率器件散热、晶圆衬底制备、异质融合、抛磨技术、封装集成等关键环节进行详细探讨，目前已有30+家

未来产链 2025-04-18 152浏览
氧化镓异质衬底集成技术研究新进展！

氧化镓异质衬底集成技术已从实验室探索步入工程验证阶段，在功率电子和深紫外光电领域展现出独特优势，但热管理、界面缺陷和规模化成本仍是产业化核心障碍。然而，氧化镓固有的极低热导率和p 型掺杂困难问题限制了其器件性能和结构设计。异质集成是突破单一材料性能极限，变革提升器件性能的关键技术。未来5-10年，随着金刚石衬底集成、AI驱动工艺优化和新型缓冲层材料的突破，Ga₂O₃异质器件有望在电动汽车快充、智能

未来产链 2025-04-10 38浏览
金刚石半导体衬底研磨抛光技术研究现状及展望（三）

相关阅读：金刚石半导体衬底研磨抛光技术研究现状及展望（一）金刚石半导体衬底研磨抛光技术研究现状及展望（二）3 化学机械抛光（CMP）在满足某些条件时，金刚石能与一些气体、液体或金属氧化物发生化学反应，使金刚石中的碳转化为气体或其他物质，CMP正是利用机械研磨和氧化剂（如 NaNO3、H2O2等）的复合作用与金刚石发生反应来实现材料的去除，CMP设备示意图及抛光前后表面如图7所示。Thornton发

DT半导体材料 2025-03-24 396浏览
金刚石半导体衬底研磨抛光技术研究现状及展望（二）

相关阅读：金刚石半导体衬底研磨抛光技术研究现状及展望（一）2 热化学抛光（TCP）Grodzinski在实验中发现，把金刚石放置在600 ℃至 1 800 ℃的铁、镍等金属板上，金刚石的接触面会溶解到金属中，使金刚石表面变得平整，从而提出了热金属板辅助抛光金刚石的方法。Weima在用热化学法抛光 CVD 多晶金刚石薄膜过程中发现了 1 353 cm-1的纳米晶石墨、1 453 cm-1的非晶态碳和

DT半导体材料 2025-03-21 162浏览
住友电工和大阪公立大学成功在2英寸多晶金刚石衬底上制作GaN-HEMT

住友电气工业株式会社与大阪公立大学（Osaka Metropolitan University）在日本科学技术振兴机构（JST）的联合研究项目中，成功在2英寸多晶金刚石（PCD）基板上制造了氮化镓晶体管（"GaN-HEMT"）。该技术是实现移动通信和卫星通信领域核心器件大容量化及低功耗化的重要一步。图 2英寸多晶金刚石衬底上实现高频器件用的GaN-HEMT结构近年来，随着无线通信中传输的信息量的不

未来产链 2025-03-17 28浏览
金刚石半导体衬底研磨抛光技术研究现状及展望（一）

近年来，随着5G、人工智能领域的飞速发展，其内部电子器件越来越朝着精密化、集成化、小型化发展。电子器件不断变小，电路运行中产生的热量累积会影响电子器件的运行，甚至造成损害，如何解决其散热问题，保证系统的稳定运行越来越重要。常温下，金刚石的热导率＞2 000 Wm-1K-1，具有优异的介电性能以及较低的热膨胀系数等（如表1所示），是制造半导体器件理想的散热材料。但由于金刚石在生长过程中往往会产生厚度

DT半导体材料 2025-03-14 414浏览
金刚石半导体衬底研磨抛光技术研究现状及展望

摘要随着半导体电子器件的集成化与小型化发展，金刚石优异的热导性、电导性成为制备半导体衬底的理想材料。为了满足半导体行业对电子器件高精度和高可靠性能的要求，需对金刚石表面进行抛光处理。然而，金刚石高硬度、高耐磨性、高化学惰性的特点，使金刚石的加工面临诸多困难，现有的金刚石抛光技术都有一定的自身优势和不足，急需一种在保证效率的情况下，同时获得光滑、平整、低损伤的金刚石表面抛光技术。因此，本文

未来产链 2025-03-13 87浏览
“终极半导体”破局之路：大尺寸单晶金刚石衬底制备技术突破与挑战

【DT半导体】获悉，金刚石是由单一碳原子组成的具有四面体结构的原子晶体，属于典型的面心立方(FCC)晶体，空间点群为 oh7-Fd3m。每个碳原子以 sp3杂化的方式与其周围的 4 个碳原子相连接，碳原子密度 1.77×1023 cm-3，碳-碳键长 0.154 nm，键角 109°28′，这种紧密堆积的结构使得金刚石拥有 348 kJ/mol 的高键能，也由此赋予其诸多优异的性质，使其在

DT半导体材料 2025-03-07 1900浏览
20万片！又一8英寸SiC单晶衬底项目开工！

2月11日，河北同光半导体股份有限公司国家企业技术中心揭牌暨年产20万片8英寸碳化硅单晶衬底项目启动仪式，在保定国家高新技术产业开发区举行。“项目预计总投资8.82亿元，2027年全部投产，对于我市提升第三代半导体的核心技术自主化、产业链高端化、产业集群规模化水平意义重大。”该公司董事长郑清超说。河北同光半导体股份有限公司生产车间碳化硅单晶作为第三代半导体材料的核心代表，处在碳化硅产业链的最前端，

未来产链 2025-02-12 9浏览
松下汽车：OBC采用GaN衬底HEMT器件

1月10日，据外媒报道，日本名古屋大学和松下汽车系统公司的团队正在开发一种用于电动汽车 (EV) 的紧凑型车载充电器 (OBC)，该充电器采用了基于GaN单晶衬底的1200V 横向GaN HEMT器件。近年来，为了缩短充电时间，电动汽车电池的电压不断提高。为了应对这些趋势，业界正在开发的OBC旨在实现800V和22kW的高电压和高输出功率。但是，功率转换损耗会随着输出的增加而增加，并且更高的电压需

行家说汽车半导体 2025-01-17 722浏览
芯报丨中科院基于新型SiC复合衬底的低成本MOSFET取得重要进展

·聚焦:人工智能、芯片等行业欢迎各位客官关注、转发每日芯报0112期❶中科院基于新型SiC复合衬底的低成本MOSFET取得重要进展近日，中科院微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与青禾晶元公司、南京电子器件研究所等团队合作,基于新型6英寸SiC复合衬底成功实现高性能低成本1200V SiC MOSFET。该复合衬底表现出与高质量衬底相当的缺陷密度,界面热阻低至2.8 +1.4/-0.7 m²K/G

AI芯天下 2025-01-12 603浏览

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