GaN-高功率、高频率应用的理想选择 - 电子工程专辑

GaN

GaN是氮化镓的英文缩写,是一种具有宽禁带和高电子迁移率特性的半导体材料,常用于制造高效、高频、高温的电子器件.

三菱宣布推出用于5G-Advanced的GaN PAM

扫描下方二维码，加入半导体交流群启明会议 9月25-26日，“2025先进封装及热管理大会”将于江苏苏州召开。本次大会聚焦高算力热管理挑战，设置先进封装与异质异构论坛、高算力热管理创新论坛、液冷技术与市场应用论坛三大板块。将汇集来自产业界和学术界的专家和领导者，围绕chiplet、2.5D/3D等先进封装技术、以及热界面材料、碳基（金刚石）热管理、液冷技术等先进封装、热管理技术及相关新材

未来产链 2025-06-15 58浏览
GaN驱动电源革新，多款氮化镓电源产品发布

在科技飞速发展的当下，#氮化镓（GaN）技术正以其卓越的性能，为电源领域带来一场深刻变革。近期，#MPS芯源系统和#小米生态链企业酷态科，分别推出集成氮化镓技术的新产品，引发行业广泛关注。1MPS发布集成氮化镓的高效电源方案6月初，MPS芯源系统发布两款新品——NovoOne开关MPXG2100系列和PFC稳压器MPG44100系列，为快速充电市场、工业系统及消费电子产品，提供高集成度

集邦化合物半导体 2025-06-13 128浏览
GaN企业正通过加强专利来巩固市场地位

Carbontech2025第九届国际碳材料大会暨产业展览会（12月9-11日上海），以“材料创新驱动产业变革”为主线，构建覆盖全产业链的三大主题展馆，其中N1半导体碳材料馆聚焦金刚石及超硬材料的最新成果与应用。欢迎扫码申请加入专业交流群KnowMade 发布了其 2025 年第一季度关于氮化镓（GaN）电子技术的知识产权报告，报告指出，在功率 GaN 企业之间持续的专利纠纷背景下，功率和射频（

DT半导体材料 2025-06-12 70浏览
这项GaN技术获奖，累计创收17.8亿元

插播：英诺赛科、能华半导体、致能科技、万年晶半导体、京东方华灿、镓奥科技、鸿成半导体、中科无线半导体、铭扬半导体、镓宏半导体、镓未来、氮矽科技等企业已参编《2024-2025 氮化镓（GaN）产业调研白皮书》，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。近日，据安徽大学官网报道，该校先进电力电子与电能变换团队自主研发的“超高功率密度直流变换器关键技术与应用”项目，荣获日内瓦国际发明展金奖

第三代半导体风向 2025-06-12 83浏览
产能超25万片！2个GaN项目加速推进

插播：英诺赛科、能华半导体、致能科技、万年晶半导体、京东方华灿、镓奥科技、鸿成半导体、中科无线半导体、铭扬半导体、镓宏半导体、镓未来、氮矽科技等企业已参编《2024-2025 氮化镓（GaN）产业调研白皮书》，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。近日，“行家说三代半”发现，国内新增2个GaN项目动态，分别涉及誉鸿锦、联晶通半导体。据不完全统计，今年以来一共有13个GaN项目透露进

第三代半导体风向 2025-06-12 137浏览
稳懋半导体宣布推出新的0.12μm GaN功率工艺

位于台湾桃园的稳懋半导体股份有限公司为无线、基础设施和网络市场提供纯砷化镓 (GaAs) 和氮化镓 (GaN) 晶圆代工服务，该公司已推出高度稳健的 NP12-0B 毫米波 (mmWave) 碳化硅上氮化镓 (GaN-on-SiC) 技术测试版，扩展了其 RF GaN 技术产品组合。NP12-1B 专为 K 波段至 V 波段频率范围内的苛刻高功率应用而设计，可提供业界领先的高功率前端解决方案，具有

未来产链 2025-06-09 70浏览
英飞凌推出抗辐射GaN HEMT

英飞凌宣布推出首款新型抗辐射 GaN HEMT 系列产品，该产品基于其 CoolGan 技术，由英飞凌自己的代工厂制造。该公司的新产品专为在恶劣的太空环境中运行而设计，据称是第一款内部制造的 GaN 晶体管，获得了美国国防后勤局 (DLA) 为联合陆军海军空间 (JANS) 规范 MIL-PRF-19500/794 指定的最高质量可靠性认证。新型 HEMT 器件专为在轨航天器、载人航天探索和深空探

未来产链 2025-06-08 37浏览
3D钻石封装，助力高功率GaN基射频系统散热

作为新一代固态微波功率器件的代表，GaN半导体具有高二维电子气浓度、高击穿场强、高的电子饱和速度等特点，在微波大功率器件应用领域有较第一、二代半导体材料显著的性能优势，其输出功率密度可以几倍甚至十几倍于GaAs微波功率FET，满足新一代电子产品对更大功率、更高频率、更小体积微波功率器件的要求。目前，氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 是航空航天、通信和先进能源系统中使用的高功率、

未来产链 2025-06-07 178浏览
华为等巨头引领Al能效变革，7家GaN企业加速布局

插播：英诺赛科、能华半导体、致能科技、万年晶半导体、京东方华灿、镓奥科技、鸿成半导体、中科无线半导体、铭扬半导体、镓宏半导体、镓未来等企业已参编《2024-2025 氮化镓（GaN）产业调研白皮书》，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。近年来，人工智能（AI）已成为全球关注的焦点，正重塑着全球经济格局。据国际数据公司IDC报告表明，2024年全球人工智能服务器市场规模为1251亿

第三代半导体风向 2025-06-06 451浏览
稳懋半导体发布基于SiC衬底的0.12μm GaN HEMT

氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）技术正迎来重大突破。近日，纯化合物半导体代工厂#稳懋半导体（WIN Semiconductors）推出基于SiC衬底的0.12微米栅极长度D型GaN HEMT技术，预计2025年第三季度量产，这将显著提升高频射频电路性能，加速GaN技术在5G/6G通信、雷达、电子战及电力电子等高功率、高频率应用领域的商业化进程。图片来源：稳懋半导体近日，稳懋半导体正式推出了其基

集邦化合物半导体 2025-06-06 158浏览
国内首颗机器人关节“ GaN 驱动器芯片”正式商用

Carbontech2025第九届国际碳材料大会暨产业展览会（12月9-11日上海），以“材料创新驱动产业变革”为主线，构建覆盖全产业链的三大主题展馆，其中N1半导体碳材料馆聚焦金刚石及超硬材料的最新成果与应用。欢迎扫码申请加入专业交流群近日，中科无线半导体有限公司宣布，其基于氮化镓（GaN）HEMT工艺的机器人关节ASIC驱动器芯片已正式推出并商用，是专业为具身机器人、工业机器人、医疗机器人关

DT半导体材料 2025-06-05 207浏览
瑞萨电子：从SiC“断臂”到GaN战略性布局

近日，日本半导体大厂#瑞萨电子（Renesas）传出解散其碳化硅（SiC）团队，并取消原定于2025年初的SiC功率半导体量产计划，这一消息在半导体行业激起千层浪。结合多方消息显示，目前瑞萨电子正准备出售其位于群马县高崎工厂的全新碳化硅设备，而其群马县高崎工厂或改回做传统的硅基市场、部分SiC设计小产线，以及为其未来氮化镓器件研发和生产做准备。瑞萨此举不仅仅是企业内部的一次调整，更是当前全球电动汽

集邦化合物半导体 2025-06-05 103浏览
新品 | 首款面向高耐压GaN器件驱动的隔离型栅极驱动器IC开始量产

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）推出一款适用于600V级高耐压GaN HEMT驱动的隔离型栅极驱动器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通过与本产品组合使用，可使GaN器件在高频、高速开关过程中实现更稳定的驱动，有助于电机和服务器电源等大电流应用进一步缩减体积并提高效率。新产品是ROHM首款面向高耐压GaN HEMT的隔离型栅极驱动器IC。在电压反复急剧升降的开关工作中，使用本产

罗姆半导体集团 2025-06-04 153浏览
瑞萨解散SiC团队，转投GaN

据《日经新闻》近日报道，日本汽车IDM大厂瑞萨电子（Renesas）可能将放弃生产面向电动汽车的碳化硅（SiC）功率半导体。除了取消原定2025年初的量产规划，相关团队也解散。供应链人士指出，瑞萨的强项是在运算类逻辑IC，功率元件过往以绝缘栅双极晶体管（IGBT）为主。瑞萨近年来开始涉足SiC和氮化镓（GaN）等第三代半导体领域，主要为了应对电动车（EV）产业的需求。然而，2024年全球电动车市场

芯极速 2025-06-04 57浏览
布里斯托大学团队实现 GaN 突破

近日，英国布里斯托大学研究团队在《自然·电子学》（Nature Electronics）期刊发表突破性研究，首次揭示了氮化镓（GaN）多通道晶体管中锁存效应的物理机制，并成功开发出超晶格城堡场效应晶体管（SLCFET）技术。图片来源：《自然·电子学》期刊截图该研究通过设计超过1000个亚100纳米鳍片构成的多通道结构，观测到当电流达到临界阈值时，器件在局部电场增强作用下发生可逆的电流状态跃迁，实现

集邦化合物半导体 2025-05-31 126浏览
AMEYA360代理丨纳芯微高压半桥驱动NSD2622N：为E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案

纳芯微发布专为增强型GaN设计的高压半桥驱动芯片NSD2622N，该芯片集成正负压稳压电路，支持自举供电，具备高dv/dt抗扰能力和强驱动能力，可以显著简化GaN驱动电路设计，提升系统可靠性并降低系统成本。应用背景近年来，氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)凭借高开关频率、低开关损耗的显著优势，能够大幅提升电源系统的功率密度，明显优化能效表现，降低整体系统成本，在人工智能(AI

皇华电子元器件IC供应商 2025-05-30 150浏览
苏州纳米所在GaN紫外探测领域取得新进展

Carbontech2025第九届国际碳材料大会暨产业展览会（12月9-11日上海），以“材料创新驱动产业变革”为主线，构建覆盖全产业链的三大主题展馆，其中N1半导体碳材料馆聚焦金刚石及超硬材料的最新成果与应用。欢迎扫码申请加入专业交流群紫外光电探测器作为紫外光信号感知与转换的核心元件，在航空航天、防灾减灾及生态监控等领域具有战略意义。氮化镓（GaN）材料凭借其3.4 eV的宽禁带特性和直接带隙

DT半导体材料 2025-05-29 243浏览
布里斯托大学团队实现 GaN 突破

Carbontech2025第九届国际碳材料大会暨产业展览会（12月9-11日上海），以“材料创新驱动产业变革”为主线，构建覆盖全产业链的三大主题展馆，其中N1半导体碳材料馆聚焦金刚石及超硬材料的最新成果与应用。欢迎扫码申请加入专业交流群布里斯托大学的研究可以使基于 GaN 的射频功率放大器更快、更强大、更可靠从而为 6G 传输提供超级动力。这项突破发表在《Nature Electronics》

DT半导体材料 2025-05-28 56浏览
罗姆首款高耐压GaN驱动器IC量产

5月27日，罗姆宣布推出一款适用于600V级高耐压GaN HEMT驱动的隔离型栅极驱动器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通过与本产品组合使用，可使GaN器件在高频、高速开关过程中实现更稳定的驱动，有助于电机和服务器电源等大电流应用进一步缩减体积并提高效率。图片来源：罗姆半导体图为BM6GD11BFJ-LBSOP-JW8 Package(4.90mmx6.00mm,H=Max. 1.65mm）新

集邦化合物半导体 2025-05-28 139浏览
激光技术在可见光领域的重大突破！创世界纪录的单模GaN激光器发布

扫描二维码，参与会后调研近日，澳大利亚激光公司BluGlass展示了其单模氮化镓（GaN）激光器：单个激光芯片成功实现1250 mW的功率输出，且同时维持单空间模式。这一创纪录的性能是通过将蓝色（450 nm）单模激光主振荡器与集成功率放大器组合在单个单片芯片（SM-MOPA）中实现的。该性能显著提高了BluGlass之前报告的750 mW 单模性能（2025年1月在Photonics West上

未来产链 2025-05-27 241浏览
宽禁带科技论|北京大学团队成功研制无阈值电压负漂650V/10A增强型GaN器件

扫描二维码，加入金刚石行业交流群氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管（HEMT）凭借低导通损耗、高开关频率等优势，已成为下一代功率开关应用的有力竞争者。目前肖特基型p-GaN栅HEMT已经实现商业化应用，在消费类电子中获得广泛应用。然而，目前主流的肖特基型p-GaN栅HEMT面临高压开关过程阈值电压(Vth)负漂这一重大挑战，使器件极易发生误开启，严重阻碍了肖特基型p-GaN栅HEMT在工业/汽车等

未来产链 2025-05-25 403浏览
英伟达宣布与纳微半导体合作，GaN和SiC成关键

Carbontech2025第九届国际碳材料大会暨产业展览会（12月9-11日上海），以“材料创新驱动产业变革”为主线，构建覆盖全产业链的三大主题展馆，其中N1半导体碳材料馆聚焦金刚石及超硬材料的最新成果与应用。欢迎扫码申请加入专业交流群近日，英伟达与纳微半导体(Navitas)展开战略合作，开发下一代数据中心供电架构，特别是针对英伟达未来的高性能计算平台。这项合作聚焦于创新的800伏高压直流系

DT半导体材料 2025-05-23 225浏览
京东方华灿GaN电力电子突破：消费级可靠性1000H突破，工业级JEDEC蓄势待发

插播：英诺赛科、能华半导体、致能科技、万年晶半导体、京东方华灿、镓奥科技、鸿成半导体及中科无线半导体等企业已参编《2024-2025 氮化镓（GaN）产业调研白皮书》，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。在GaN功率器件场景化爆发的关键窗口期，京东方华灿以消费类GaN功率器件通过1000H可靠性为起点，正式开启“消费级普及、工业级深化、车规级突破”的三级跃迁战略。作为全球化合物半

第三代半导体风向 2025-05-22 203浏览
氮化镓GaN快充芯片U8732轻松应对充电问题

氮化镓GaN快充芯片U8732轻松应对充电问题深︱圳︱银︱联︱宝︱氮化镓充电器与普通充电器在充电效率方面对比，性能遥遥领先。它支持多种快充协议，如PD、QC等，能够智能识别设备所需的充电功率，实现快速充电。无论是苹果手机、安卓手机，还是笔记本电脑、平板电脑，氮化镓充电器都能轻松应对，一充搞定。充电器自然离不开芯片的支持，今天主推的就是来自深圳银联宝科技的氮化镓GaN快充芯片U8732！氮化镓GaN

开关电源芯片 2025-05-21 212浏览
1250mW！创世界纪录的单模GaN激光器发布

Carbontech2025第九届国际碳材料大会暨产业展览会（12月9-11日上海），以“材料创新驱动产业变革”为主线，构建覆盖全产业链的三大主题展馆，其中N1半导体碳材料馆聚焦金刚石及超硬材料的最新成果与应用。欢迎扫码申请加入专业交流群近日，澳大利亚激光公司BluGlass展示了其单模氮化镓（GaN）激光器：单个激光芯片成功实现1250mW的功率输出，且同时维持单空间模式。这一创纪录的性能是通

DT半导体材料 2025-05-20 295浏览

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