MOSFET - 电子工程专辑

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新品 | 用于CoolSiC™ MOSFET FF6MR20W2M1H_B70的双脉冲测试评估板

新品用于CoolSiC™ MOSFET FF6MR20W2M1H_B70的双脉冲测试评估板评估板是用于评估采用1ED3890MC12M栅极驱动器的FF6MR20W2M1H_B70 CoolSiC™ SiC MOSFET模块。用户可以通过双脉冲测试来评估器件性能。目标应用为电动汽车充电，ESS PFC，直流-直流变换器和太阳能等。这是一个用于测试半桥配置的2kV CoolSiC™ Easy

英飞凌工业半导体 2025-06-12 62浏览
新品 | 适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET

~兼具更宽SOA范围和更低导通电阻，被全球知名云平台企业认证为推荐器件~全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出100V耐压的功率MOSFET*1“RY7P250BM”，是AI服务器的48V电源热插拔电路*2以及需要电池保护的工业设备电源等应用的理想之选。RY7P250BM为8×8mm尺寸的MOSFET，预计该尺寸产品未来需求将不断增长，可以轻松替代现有产品。另外，新产品同时实现了

罗姆半导体集团 2025-06-11 75浏览
新品 | 英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模块

新品英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™SiC MOSFET 1200V模块英飞凌EconoDUAL™ 3 1200V/1.4mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET半桥模块，增强型1代M1H芯片、集成NTC温度传感器和PressFIT引脚，还可提供预涂导热材料TIM版本(FF1MR12MM1HP_B11)或基板背面的Wave波浪结构，用于直接液体冷却(FF1MR12MM1HW_B

英飞凌工业半导体 2025-06-10 80浏览
CoolSiC™ MOSFET Gen2性能综述

英飞凌新发布了CoolSiC™ MOSFET Gen2系列产品，单管有D2PAK-7L表贴式和TO-247-4HC高爬电距离通孔式两种封装形式。与上一代产品相比，英飞凌全新的CoolSiC™ MOSFET 650V和1200V Gen2技术在确保质量和可靠性的前提下，进一步提升了MOSFET的主要性能指标，拥有更高的效率和功率密度。Gen2 SiC性价比提高了15%，是各种工业应用的理想

英飞凌工业半导体 2025-06-09 111浏览
瞻芯电子与浙江大学联合发表10kV SiC MOSFET研发成果

近日，#瞻芯电子与浙江大学在一场行业会议上联合发表了10kV等级SiC MOSFET的最新研究成果，受到了各界广泛关注。这一成果彰显了瞻芯电子在SiC功率器件领域的创新引领地位。10kV等级SiC MOSFET器件在下一代智能电网、高压大容量功率变换系统等领域有广阔的应用场景。但受困于材料及工艺成熟度问题，早期的相关工作多局限于芯片功能展示，芯片面积普遍较小，通流能力较差。如何进一步增

集邦化合物半导体 2025-06-09 106浏览
理想发表车规级碳化硅MOSFET芯片重要成果

Carbontech2025第九届国际碳材料大会暨产业展览会（12月9-11日上海），以“材料创新驱动产业变革”为主线，构建覆盖全产业链的三大主题展馆，其中N1半导体碳材料馆聚焦金刚石及超硬材料的最新成果与应用。欢迎扫码申请加入专业交流群近期，理想汽车在第37届ISPSD（功率半导体器件和集成电路国际会议）上发表了与车规级碳化硅相关的论文，题为《Analysis on BVDSS Outlier

DT半导体材料 2025-06-06 159浏览
罗姆开发100V功率MOSFET新产品，适用于AI服务器

6月3日，#罗姆宣布开发出适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET。图片来源：罗姆半导体集团新产品已经暂以月产100万个的规模投入量产。前道工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.（日本滋贺工厂），后道工序的生产基地为OSAT（泰国）。另外，新产品已经开始通过电商进行销售，通过电商平台均可购买。随着AI技术的飞速发展，数据中心的负载急剧增加，服务器功耗也逐年攀

集邦化合物半导体 2025-06-05 30浏览
ROHM开发出适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET

~兼具更宽SOA范围和更低导通电阻，被全球知名云平台企业认证为推荐器件~全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)于6月3日宣布，开发出100V耐压的功率MOSFET*¹“RY7P250BM”，是AI服务器的48V电源热插拔电路*²以及需要电池保护的工业设备电源等应用的理想之选。RY7P250BM为8×8mm尺寸的MOSFET，预计该尺寸产品未来需求将不断增长，可以轻松替代现有产品。另外，

皇华电子元器件IC供应商 2025-06-04 116浏览
新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC™ 2kV SiC MOSFET模块

新品采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC™ 2kV SiC MOSFET模块英飞凌EasyDUAL™和EasyPACK™ 2B 2kV、6mΩ半桥和三电平模块采用CoolSiC™ SiC MOSFET增强型1代M1H芯片，集成NTC温度传感器，PressFIT触点技术和氮化铝陶瓷DCB。目标应用直流-直流变换器，电动汽车充电，光伏和储能系统等。产品型号：■ FF6MR20W2

英飞凌工业半导体 2025-06-03 102浏览
功率MOSFET管数据表阈值电压VGS(th)定义

功率MOSFET管的阈值电压VGS(th)，在数据表中定义的测量条件为：VDS=VGS，ID=250uA，对应测试电路如图1所示。图1 VGS(th)测试电路功率MOSFET管的栅极与源极之间加上正向驱动电压VGS，在栅极表面形成正电场，栅极氧化层下面P区的电子就被吸引到P区的上表面；VGS电压增加，P区内部更多电子被吸引到P区的上表面；正常条件下，P区多子是空穴，少子是自由电子，源极

松哥电源 2025-06-01 304浏览
新品 | 采用顶部散热 Q-DPAK封装的 CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET

新品采用顶部散热Q-DPAK封装的CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET英飞凌采用顶部散热Q-DPAK封装的CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET单管，专为各种工业应用开发，包括工业驱动、电动汽车充电、太阳能，SSCB，人工智能，不间断电源和CAV等。顶部散热Q-DPAK具有出色的散热性能，更易于组装，从而降低了客户的系统成本。与底部散热解决方案相比，顶部散热器件可实

英飞凌工业半导体 2025-05-29 116浏览
高能效时代，安森美PowerTrench® MOSFET如何让光伏逆变器 “轻装上阵”？

点击蓝字关注我们随着全球对可再生能源需求的快速增长，光伏系统的效率与可靠性成为行业关注的焦点。安森美（onsemi）提供多种MOSFET方案，助力光伏逆变器厂商实现更高性能、更紧凑的系统设计。利用领先的 T10 MOSFET 实现卓越设计安森美先进的PowerTrench®MOSFET解决方案，专为高能效、高性能和紧凑型光伏逆变器而设计。我们领先的屏蔽栅级沟槽型功率MOSFET技术最大限度地减少

安森美 2025-05-27 104浏览
R课堂 | SiC MOSFET：根据开关波形计算损耗的方法

本文将介绍如何根据开关波形计算使用了SiC MOSFET的开关电路中的SiC MOSFET的损耗。这是一种在线性近似的有效范围内对开关波形进行分割，并使用近似公式计算功率损耗的方法。· 开关波形的测量方法· 通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法· 根据测得波形计算功率损耗示例· 各种波形的开关损耗计算示例· 各种波形的导通损耗计算示例【资料下载】SiC功率

罗姆半导体集团 2025-05-21 200浏览
新品 | 实现业界超低导通电阻的小型MOSFET，助力快速充电应用

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）推出30V耐压共源Nch MOSFET*1新产品“AW2K21”，其封装尺寸仅为2.0mm×2.0mm，导通电阻*2低至2.0mΩ（Typ.），达到业界先进水平。新产品采用ROHM自有结构，不仅提高器件集成度，还降低单位芯片面积的导通电阻。另外，通过在一个器件中内置双MOSFET的结构设计，仅需1枚新产品即可满足双向供电电路所需的双向保护等应用需求

罗姆半导体集团 2025-05-21 96浏览
ROHM推出实现业界超低导通电阻的小型MOSFET，助力快速充电应用

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出30V耐压共源Nch MOSFET*¹新产品“AW2K21”，其封装尺寸仅为2.0mm×2.0mm，导通电阻*²低至2.0mΩ（Typ.），达到业界先进水平。新产品采用ROHM自有结构，不仅提高器件集成度，还降低单位芯片面积的导通电阻。另外，通过在一个器件中内置双MOSFET的结构设计，仅需1枚新产品即可满足双向供电电路所需的双向保护

皇华电子元器件IC供应商 2025-05-16 204浏览
150 V MOSFET：在通信、工业、计算应用领域提高效率和功率密度

全新功率 MOSFET 凭借业内先进的 5.6 mΩ RDS(ON) 和 336 mΩ*nC 的 RDS(ON)*Qg FOM 提高效率 TrenchFET® 器件采用 PowerPAK® SO-8S 封装

Vishay威世科技 2025-05-08 136浏览
开关电源的MOSFET如何选择，看这篇就够了

▲ 点击上方蓝字关注我们，不错过任何一篇干货文章！DC/DC 开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流并不足以选择到合适的 MOSFET。要想让 MOSFET 维持在规定范围以内，必须在低栅极电荷和低导通电阻之间取得平衡。在多负载电源系统中，这种情况会变得更加复杂。图 1—降压同步开关稳压器原理图DC/DC 开关电源因其高效率而广泛应用于现代许多电

电子工程世界 2025-04-30 90浏览
MOSFET选型，别掉进规格书里的“坑”

我们这里当然不是说规格书在挖坑，规格书的数据都是用仪器一个个测出来的，是刚正不阿的存在！规格书的数据测试是遵循特定的标准的，之所以遵循这些标准来测试，是因为作为一个规格书，必须规定一个测试标准，让不同的人在不同的时候测出的数据是一样的。而电源的设计对MOS的要求是五花八门的，所以，在参看MOSFET规格书的时候，要“透过现象看本质”，才能找到适合你产品需求的MOSFET。那就让我们一起来看看这些主

EDN电子技术设计 2025-04-28 5浏览
MOSFET关断过程中的开关损耗如何计算？800字手把手教你搞定这个电路知识点

▼关注微信公众号：硬件那点事儿▼Part 01前言上一篇文章我们介绍了MOSFET导通过程中的开关损耗的计算方法，接下来就讲一下MOSFET在关断过程中的交叉损耗计算，主要是要估算关断时的交叉时间，然后算出功耗。MOSFET关断时，漏源电压Vds和电流ID不是瞬间变成0的，会有个过渡过程。这段时间里，电压和电流同时存在，功率Vds × ID就变成了损耗。交叉损耗直接影响MOSFET的发热，尤其在高

硬件那点事儿 2025-04-23 507浏览
MOSFET导通过程中的开关损耗如何计算？1200字手把手教你搞定这个电路知识点

▼关注微信公众号：硬件那点事儿▼Part 01前言MOSFET导通过程中的开关损耗这部分内容是关于MOSFET在开关过程中的交叉损耗Cross Loss计算，主要涉及导通时间的估算和功耗分析。公式是什么？如何计算呢？设计中又有哪些需要注意的地方？接下来就把它通俗易懂地讲一下。以下分析基于MOSFET驱动感性负载哦，如果是驱动阻性负载，算法是不一样的，大家注意！交叉损耗是啥？交叉损耗是MOSFET在

硬件那点事儿 2025-04-21 605浏览
MOSFET驱动电路设计时，为什么可以“慢”开，但是要“快”关呢？

▼关注微信公众号：硬件那点事儿▼Part 01前言MOSFET作为开关器件，在驱动电路中主要用于控制电流的通断，比如在DC-DC转换器、电机驱动或者功率放大电路中。它的开关过程（开和关）会直接影响电路的效率、发热和可靠性。“慢开快关”的这个设计原则，背后有什么电路设计原理呢？咱们从MOSFET的工作原理和实际应用场景来分析分析一下。MOSFET的开关过程中开和关的本质是什么呢？MOSFET的开关过

硬件那点事儿 2025-04-09 598浏览
文末有惊喜！国内唯一量产，双面散热车规MOSFET推荐，对标东芝TPWR7904PB

一、概述一款40V/150A车规认证的N沟道MOSFET，采用双面散热封装工艺，相比常规DFN封装，热阻降低20%，导通电阻有效降低12%，封装电流提升15%以上。二、主要性能电压40V，导通电阻0.79mΩ，电流150A，可对标东芝TPWR7904PB。三、应用场景1. 汽车EPS2. 汽车DC-DC转换器3. 电机驱动、负载开关等应用福利：机器人开发套件火热订购中！添加二维码联系小编，优惠放送

全芯时代 2025-04-04 50浏览
逆变器的消失 | 保时捷144颗MOSFET变革驱动系统的故事

- 关于保时捷创新型"交流电池系统"概念的解读- 文字原创，素材来源：保时捷、网络- 本篇为知识星球节选，完整版报告与解读在知识星球发布- 1200+最新电动汽车前瞻技术报告与解析已上传知识星球，欢迎学习交流导语：2025年03月19日，保时捷工程公司推出了一项革新性的“交流电池”概念（AC Battery），为电动车的驱动系统带来了全新的解决方案。这一概念将多个组件集成到一个单一部件中，并通过一

SysPro系统工程智库 2025-03-31 37浏览
一键下载罗姆MOSFET资料，了解产品优势与技术亮点

高效能与低功耗已成为产品设计的核心需求，罗姆凭借其创新的技术和卓越的产品性能，为各行各业不断提供可靠的解决方案。本文将重点介绍罗姆的MOSFET系列产品，带您了解其技术优势和应用场景，更多信息您可点击文内相关链接查看。罗姆MOSFET具有低导通电阻、高速开关的特点，其产品线覆盖小信号器件至800V高耐压规格，广泛适用于电源、电机等多元化应用场景。同时，MOSFET是汽车电动化的必需品，罗姆的车载M

罗姆半导体集团 2025-03-26 118浏览
用两个NPN三极管搭建一个MOSFET驱动电路，1000字讲解清楚原理和选型

▼关注微信公众号：硬件那点事儿▼Part 01前言今天分析一下下面的这个电路，一个基于NPN三极管的MOSFET栅极自偏置关断电路。电路很简单，里面可是藏着不少门道，既有设计亮点，也有效率与延迟问题。咱们一边分析，一边看看器件选型和计算的门道，争取把这电路的“前世今生”讲透了！Part 02电路分析这个电路的核心任务是驱动MOSFET，通过控制其栅极电压来实现开关动作。从电路图来看，驱动器的输出信

硬件那点事儿 2025-03-19 934浏览

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