HBM - 电子工程专辑

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海力士DDR、LPDDR、GDDR、HBM存储型号对照表，更新至2025年6月

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芯存社 2025-06-20 61浏览
HBM，十年预告

HBM，未来已来。HBM利用 3D 堆叠的 DRAM 架构，提供卓越的数据带宽和效率。与依赖更宽总线和更高时钟速度的传统内存模块不同，HBM 将多个内存芯片垂直堆叠，并与处理器紧密集成。这种方法显著拓宽了通信接口，同时降低了延迟和功耗。HBM 由 JEDEC 标准化，最初由三星、AMD 和 SK&n

半导体工艺与设备 2025-06-20 70浏览
HBM大爆发：芯片战升级为“设备战”！

2024年，高带宽内存（HBM）成为全球半导体产业链的焦点。受益于AI大模型、高性能计算（HPC）和数据中心需求的爆发式增长，HBM作为下一代内存技术已从“技术先锋”走向“市场核心”。尤其是在AI训练过程中，HBM因其超高带宽与极低延迟成为不可替代的关键部件。据Counterpoint数据，2024年HBM市场规模同比增长超过250%，预计将在2025年达到近100亿美元。SK海力士在此波浪潮中表

半导体工艺与设备 2025-06-18 209浏览
中微公司发力HBM先进封装，TSV设备技术再突破

6月9日，中微公司（688012）在投资者关系互动平台上，针对投资者关心的前沿技术布局与发展战略问题作出积极回应，释放出其在高带宽内存（HBM）及先进封装领域全面发力的信号。有投资者提问，中微公司的TSV（硅通孔）蚀刻设备是否可应用于HBM高带宽存储芯片的制造流程？对此，公司董秘明确表示，目前中微公司在先进封装领域，尤其是涵盖HBM工艺的相关制程设备方面已全面布局，产品包括刻蚀、CVD（化学气相沉

半导体工艺与设备 2025-06-17 166浏览
HBM带宽限令：对AI算力芯片影响分析

2024年 12月，美国进一步修订管制条例，将技术参数从传统的技术节点（nm）细化升级，限制存储单元面积小于 0.0019µm²或存储密度大于 0.288Gb/mm²的 DRAM，从而控制本身就是多个DRAM 通过 TSV 工艺堆叠封装的 HBM。2025 年 1 月，美国发布新一轮禁令，

智能计算芯世界 2025-06-17 136浏览
三星eMMC、UFS、DDR、LPDDR、HBM、eMCP、uMCP存储芯片对照表-免费获取EXCEL表格

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芯存社 2025-06-14 111浏览
三星DDR、LPDDR、GDDR、HBM存储芯片对照表-含详细参数和产品状态-更新至2025年6月

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芯存社 2025-06-12 323浏览
HBM 深度剖析

最近关于 HBM 的讨论越来越多，尤其是在涉及 AI 芯片领域时。HBM 即高带宽内存（High Bandwidth Memory），是一种特殊的 DRAM，通过垂直堆叠并利用硅片内名为 TSV（硅通孔，Through-Silicon Vias）的微小导线与处理器连接。TSV 技术允许直接连接多个 HBM DRAM 芯片，从而提升整体内存带宽。为何 HBM 如此重要？HBM 的核心优势如下：高速性

ittbank 2025-06-09 146浏览
HBM 介绍及发展历程

1. HBM 概述HBM 是一种创新的 3D 堆叠 DRAM 技术，由 AMD 和 SKhynix 联合开发。它通过垂直堆叠多层 DRAM 芯片，并使用高带宽串行接口与 GPU 或 CPU 直连，提供远超传统 DRAM 的带宽和容量。高带宽内存（HBM）它象征着内存技术的革命性跨越，尤其在高性能计算（HPC）、人工智能（AI）、数据中心和高端游戏等领域。2. HBM

半导体工艺与设备 2025-06-08 360浏览
功耗减半！软银携手英特尔开发新内存，不同于HBM

据日经亚洲报道，日本科技投资公司软银（SoftBank）与英特尔（Intel）携手合作，致力于开发一种新型的人工智能（AI）内存，预计将大幅降低功耗，为日本的AI基础设施建设提供支持。这项合作计划获得了东京大学等机构的支持，并计划开发一种堆叠式DRAM芯片结构，这种结构将采用与目前先进的高带宽存储器（HBM)不同的接线方式，预计能将功耗减少约一半。这项计划的启动，标志着软银在AI存储器领域的进一

EETOP 2025-06-01 306浏览
专供中国！NVIDIA新款GPU来了：HBM变成GDDR7、价格便宜一半

根据TrendForce最新调查，NVIDIA将针对中国市场推出RTX PRO 6000（原B40）的低压降规版，内存从原定搭载HBM减配为GDDR7，预估最快于2025年下半年问世。此前，美国于4月公布新审查禁令，要求NVIDIA H20或其他于存储器带宽、互连带宽等性能等同的芯片输出中国市场时，需取得额外许可。新出口禁令公布后，NVIDIA在中国的云端服务供应商（CSP）客户目前无法顺利取得H

硬件世界 2025-05-28 136浏览
消息称美光与力成达成独家协议，外包成熟 HBM2 封装以专注先进 HBM 内存制造

据市场消息，美光已同台湾地区集成电路力成封装测试服务厂商力成科技 (Powertech, PTI) 敲定 HBM2 内存的独家封装订单外包协议。HBM 高带宽内存目前已发展到 HBM3E 量产、HBM4 发布的时间点，但英特尔 Gaudi 3 和小型芯片企业的 AI ASIC 仍在使用价格低廉的 HBM2 (E)，对成熟产品的需求仍然存在。台湾地区同时是美光 DRAM 内存前后端生产重镇，将 HB

52RD 2025-05-27 60浏览
联发科或进军HBM市场

联发科对下一代高带宽存储器（HBM）HBM4 表示了兴趣。 HBM4 预计将于今年下半年量产，预计该领域的领导者联发科将试图扩大其影响力，因为作为大脑的逻辑芯片的设计比以往产品更为重要。联发科首席执行官蔡力行5月20日在台湾台北举行的Computex 2025主题演讲中表示，“随着内存设计和生产的复杂性不断增加，HBM4已经成为所有半导体公司的挑战”，并强调，“不仅是内存供应商，而且代工厂、联发科

WitDisplay 2025-05-20 440浏览
HBM的“暗战”

2024年，HBM成为半导体产业最炙手可热的产品之一。随着AI大模型和高性能计算的狂飙突进，英伟达等巨头对HBM的需求水涨船高，内存厂的HBM订单早已售卖一空，尤其是SK海力士，其在HBM市场占有率高达70%，更是赚得盆满钵满。然而，就在这股浪潮背后，名为“TCB（Thermal Compression Bonding）键合机”的设备，正在悄然决定HBM产业链的上限，不论是SK海力士，还是美光三星

半导体工艺与设备 2025-05-19 130浏览
20周年iPhone或导入移动HBM

据韩国媒体《ETNews》报导，为了纪念 iPhone 问世 20 周年，苹果正在开发多项技术创新，其中一项核心技术是「行动高频宽存储器」（Mobile HBM）。HBM 是一种先进的 DRAM 技术，透过「硅通孔」（TSV）将存储器芯片垂直堆栈，显著提升讯号传输速度。该技术目前广泛应用于 AI 服务器，因此也常被称为「AI 存储器」，可搭配 GPU 支援大规模 AI 运算。所谓「移动HBM」，即

WitDisplay 2025-05-16 126浏览
英伟达降规版H20抛弃HBM，导入GDDR利好三星

据悉，再次受特朗普政府对华出口限制影响的英伟达计划推出中国定制GPU——“H20”低配版本，预计供应HBM（高带宽内存）的内存公司也将发生变化。低规格新产品可能会使用 GDDR 代替 HBM，而三星电子很可能与一直引领 HBM 供应的 SK 海力士一起成为主要供应商。据路透社近日等外媒报道，由于美国政府修改出口法规，实际上已经禁止了H20在中国市场的销售，因此英伟达正准备发布低性能版本的H20来替

WitDisplay 2025-05-15 440浏览
HBM介绍及发展历程

1. HBM 概述HBM 是一种创新的 3D 堆叠 DRAM 技术，由 AMD 和 SKhynix 联合开发。它通过垂直堆叠多层 DRAM 芯片，并使用高带宽串行接口与 GPU 或 CPU 直连，提供远超传统 DRAM 的带宽和容量。高带宽内存（HBM）它象征着内存技术的革命性跨越，尤其在高性能计算（HPC）、人工智能（AI）、数据中心和高端游戏等领域。2. HBM 原理HBM 的核心在于独特的

半导体工艺与设备 2025-05-13 503浏览
搞事情！韩国要断供中国HBM关键设备！

近日据知情人士透露，韩国设备厂商韩美半导体（Hanmi Semiconductor）通知中国客户，将暂停供应热压键合机（TC Bonder）。要知道，热压键合是生产高带宽内存（HBM）芯片的核心装备，韩国此次断供明显是冲着中国HBM产业来的，企图将打断中国HBM产业的发展进程。一、热压键合：HBM芯片的“精密焊工”我们知道自从人工智能爆发以来，HBM就成为炙手可热的核心部件之一，其是一种通过垂直堆

飙叔科技洞察 2025-05-10 2238浏览
传SK海力士HBM设备商断供中国！

业界爆料称，韩国设备厂商「韩美半导体」（Hanmi Semiconductor）已经向中国厂商发出即将断供热压键合机（TC Bonder）通知，TC Bonder则是高频宽存储器（HBM）制造及先进封装所需的关键设备。预估可能将会在对中国国内造成一定的负面影响。据了解，TC Bonder是利用热压键结技术将芯片堆栈到已加工的晶圆上，对HBM良率至关重要。近年来，受惠于AI带动的HBM和先进封装的需

WitDisplay 2025-05-10 1262浏览
传！韩国断供HBM设备

据知情人士透露，韩国政府计划限制高带宽内存（HBM）设备的出口，特别是关键的热压键合机（TC Bonder；TCB）设备。据悉，韩国政府已要求本土主要的TCB设备制造商，暂停向特定国家和地区的客户交付设备，同时收紧对相关技术出口的审批流程。这恐将严重影响中国HBM产业发展。如今，人工智能（AI）和高性能计算（HPC）的发展势头强劲，导致对HBM的需求呈现出爆发式增长。据TrendForce的数据预

芯极速 2025-05-10 1308浏览
ESD放电模型：HBM&IEC61000-4-2&ISO10605差异对比

▼关注公众号：硬件微讲堂▼大家好，我是硬件微讲堂。这是我第114篇原创文章。为避免错过干货知识，欢迎关注公众号回答问题加入免费技术交流群，抱团取暖，共同进步！上周在公众号上提了一个问题，有不少同学在评论区参与讨论，感谢各位的积极参与。同学们的真知灼见，已经把问题的重点说出来。今天我们就来聊一聊这个问题。 01 一道问题照例，先抛出一道问题：为什么芯片标称可以支持到8kV，但实际产品做ESD测

硬件微讲堂 2025-05-06 1444浏览
两年内，国产HBM实现自给自足？没那么简单！

最近韩国媒体对于中国半导体产业，或是极度“贬低”，或是极力“捧杀”。最近由于国产半导体的进步和发展，明显“捧杀”的次数越来越多了。·最近4月25日，韩国媒体《Newdaily》又预测认为：中国存储器半导体公司可能在两年内开始量产第五代HBM（高带宽存储器）“HBM3E”。为规避美国管制而大力开发通用存储器技术的中国，最近成功实现DDR5量产，凭借着正在加速AI投资的中国国内市场，中国国内市场正在快

飙叔科技洞察 2025-04-27 1297浏览
SK海力士与HBM设备商闹僵！美光疯狂采购

SK海力士正在为其“TC键合机”寻找多元化的合作伙伴，TC键合机是高带宽存储器（HBM）的重要制造设备。据业界4月21日透露，SK海力士上个月曾两次与韩华半导体签署了约10台（420亿韩元）HBM用TC键合机的供货合同。除了现有的韩美半导体外，还新增了韩华半导体。SK海力士在市场主流、第5代HBM“HBM3E 12层”的制造过程中，全部采用韩美半导体的设备。然后，它选择韩华半导体作为新的合作伙伴，

WitDisplay 2025-04-22 342浏览
韩美HBM设备，或成三星逆袭王牌

随着韩美半导体与SK海力士的合作关系出现裂痕，外界将目光投向韩美半导体与三星电子的潜在合作。热压键合机（TCB）是高带宽存储器（HBM）的关键设备。TCB在HBM制造过程中起着至关重要的作用，它通过施加热量和压力，将多个DRAM芯片精准地堆叠并连接起来，直接影响HBM的品质。2017年，韩美半导体成功开发出用于HBM的TCB设备，并自2022年起独家供应给SK海力士。韩国业内普遍认为，SK海力士在

芯极速 2025-04-22 496浏览
SK海力士偏心，HBM设备商气炸了！

据了解，SK海力士与韩美半导体正在幕后协调，以解决热压键合设备（TC键合机）的冲突。虽然两家公司都没有对最近出现的冲突发表官方声明，但 SK 海力士已经拜访了韩美半导体，试图调解分歧。据称，即使在冲突中，两家公司也没有放弃作为“关键合作伙伴”的共同立场。据业界消息人士4月18日透露，已确认SK海力士为解决近期出现的冲突，已访问韩美半导体总部并试图调解分歧。TC键合机是生产高带宽存储器（HBM）必不

WitDisplay 2025-04-18 547浏览

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