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英飞凌工业半导体
英飞凌工业半导体同名公众号是英飞凌功率半导体产品技术和应用技术的交流平台和值得收藏的资料库。提供新产品介绍,应用知识和经验分享,IGBT在线课程,线上线下研讨会发布和回放。 欢迎来稿:IPCWechat@infineon.com。
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Ta的
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功率半导体让生活更美好
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2024-09-19
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新品|英飞凌无芯变压器固态隔离器交流固态开关评估板
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中秋快乐丨2024英飞凌零碳工业应用技术大会北京/深圳热力继续!
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英飞凌率先开发全球首项300mm氮化镓功率半导体技术,推动行业变革
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直播预告|电气隔离新势力——英飞凌新型SSI系列固态隔离器的创新技术与应用设计
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2024-09-11
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参与科普创作大赛,赢取文心一格福利!
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2024-09-10
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新品|6500V、1000A单开关IGBT模块FZ1000R65KE4
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探索PLC系统的未来:揭秘英飞凌尖端SSR芯片组技术
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2024-09-05
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新品|采用第二代1200VCoolSiC™MOSFET的集成伺服电机的驱动器
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2024-09-04
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两位IEEEFellow授课│第三代半导体器件技术与应用高级研修班10月上海开班
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2024-09-03
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新品|600VCoolMOS™8SJMOSFET系列
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2024-09-02
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视频|科普创意与创作技巧——兼谈写作题材的发掘与提炼
科普是每一个工程师的责任!但如何写好科普文章一直在困扰着我们。中国电源学会请了中国科普作家协会副理事长尹传红老师主讲《科普创意与创作技巧——兼谈写作题材的发掘与提炼》课程,助力每一位科学爱好者写好科普文章。点击下方视频即可观看👇👇第二届科普创作大赛进行中,如果你对电力电子这个话题有独到见解,愿意与大家分享你的知识和感悟,还有机会赢取精彩礼品👇👇👇
英飞凌工业半导体
2024-08-31
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经典导读:如何计算驱动芯片的DESAT保护时间
经典导读"经典导读"短视频专栏,致力于回顾并解读英飞凌工业半导体微信公众号上那些深受读者喜爱的经典文章。我们聚焦碳化硅SiC、IGBT、驱动等功率半导体应用主题等,英飞凌的资深工程师们通过视频真人导读方式,分享文章、视频等精彩内容中的技术要点与见解,与您一同重温这些经典之作,欣赏技术的魅力。本期英飞凌产品应用工程师郑姿清精心挑选了《如何计算驱动芯片的desat保护时间》一文, 了解驱动集成电路中d
英飞凌工业半导体
2024-08-30
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新品|集成温度传感器工业和汽车级CoolMOS™S7T和S7TASJMOSFET
新品集成温度传感器工业和汽车级CoolMOS™ S7T和S7TA SJ MOSFET集成温度传感器的CoolMOS™ S7T和S7TA提高了结温测量的准确性和稳健性,测温简单,并实现了功能安全。该器件针对低频和大电流开关应用进行优化。它非常适合固态继电器、固态断路器和SMPS中的输入整流等工业应用,以及汽车中的电池分断、电子保险丝和车载充电器。温度传感器增强了CoolMOS™ S7的功能,减小设计
英飞凌工业半导体
2024-08-29
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深入解析英飞凌固态隔离器的过流保护功能及应用
本视频将详细介绍英飞凌SSI固态隔离器的高级过流保护功能,解析从短路电流的危害到过流保护的具体实现,并通过生动的图示和实例,让您轻松掌握如何在复杂电网环境中保护设备免受损害。立即观看,掌握保护你的电路免受短路损害的关键技术!▲点击上方视频,即可播放观看参考阅读固态继电器和固态断路器时代将至固态继电器如何精准实现通道选择性保护固态继电器:英飞凌SSI系列过温保护技术的深度解析扫描上方二维码欢迎关注微
英飞凌工业半导体
2024-08-28
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系统寄生参数对SiC器件开关的影响分析
*本论文摘要由PCIM官方授权发布/ 摘要/本文分析了系统寄生参数对SiC(碳化硅)器件使用的影响。本文还研究了SiC MOS开关开通时的过流机理,以及开通电流振荡的原因。除了寄生电感对功率器件电压应力的影响外,本文还讨论了系统设计中寄生电容对开通电流应力、电流振荡和开通损耗的负面影响。01导言随着SiC技术的发展和电力电子行业的增长,SiC器件越来越受到工程师们的青睐。主要半导体制造商正在开发从
英飞凌工业半导体
2024-08-27
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新品|EiceDRIVER™2ED314xMC12L6.5A、5.7kV(有效值)双通道隔离栅极驱动器
新品EiceDRIVER™ 2ED314xMC12L 6.5A、5.7kV(有效值)双通道隔离栅极驱动器EiceDRIVER™ 2ED314xMC12L是一个双通道隔离栅极驱动器IC系列,用于驱动Si MOSFET、IGBT和SiC MOSFET。所有产品均采用14引脚DSO封装,输入-输出爬电间距为8mm,加强绝缘。所有型号都具有死区时间控制(DTC)功能和独立驱动通道,这样就可以作为双通道低压
英飞凌工业半导体
2024-08-26
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PCIM2024论文摘要|离网场景下SiCMOSFETs应用于三相四桥臂变流器的优势
*本论文摘要由PCIM官方授权发布/ 摘要/工商业侧储能正以其经济性,电网友好性等特点蓬勃发展,其中离网应用场景下,不平衡负载带载能力,谐波畸变度等都是其PCS的重要指标。三相四桥臂(3P4L)变流器具有最强的不平衡负载能力,但对比三相三线(3P3W)系统,成本增加,谐波畸变度更高。SiC MOSFETs由于其优越的材料特性与器件特性,相较IGBT可大幅提升开关频率,本文通过理论分析结合仿真结果说
英飞凌工业半导体
2024-08-23
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如期而至|IPAC2024年英飞凌零碳工业应用技术大会(附限额开放报名通道)
翘首以盼的2024年度IPAC零碳工业应用技术大会如期而至!作为中国功率半导体行业一年一度的技术盛宴,应用技术大会始终引领功率半导体发展趋势,深入剖析新型电力电子器件的技术特性,广泛覆盖热门行业的应用实例,收获业内众多忠实拥趸。今年的英飞凌零碳工业应用技术大会将继续为您呈现一场技术与应用的盛宴:分享最新产品全景,剖析器件技术特性:带来6500V以下CoolSiC™ MOSFET,CoolGaN™,
英飞凌工业半导体
2024-08-22
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2024PCIMAsia丨英飞凌精彩日程全放送
友情提醒:展会现场凭登记身份证换取胸牌入内,报名后至英飞凌展台签到,即可参与抽奖活动!3大展区,多达120件展品,部分展品亮点抢先看● 绿色能源与工业英飞凌太阳能微型逆变器产品方案高压大电流IGBT7 Primepack助力制氢解决方案英飞凌整体方案助力新一代三相热泵系统XHP2 1.7 kV IGBT5/ 3.3 kV SiC 模块介绍● 电动交通和电动出行HybridPACK™ Drive G
英飞凌工业半导体
2024-08-22
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PCIMAsia2024英飞凌展台路透
英飞凌将携多款新品首次亮相本次PCIM Asia 2024,涵盖最新的碳化硅,IGBT功率模块,以及IPM和固态隔离器等,并首次展示英飞凌在风能、光伏、储能、充电桩,工业驱动和自动化以及采暖通风等应用领域的完整产品解决方案。小编选取部分展品提前路透,更多信息,欢迎来英飞凌展台一探究竟。CoolSiC™ MOSFET G2:再度突破极限,实现更高效率、更低功耗英飞凌出新一代碳化硅(SiC)MOSFE
英飞凌工业半导体
2024-08-21
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新品|CoolSiC™MOSFET1.9mΩ,2.5mΩ3.3kVXHP™2半桥模块
新品CoolSiC™ MOSFET 1.9mΩ,2.5mΩ 3.3kV XHP™ 2半桥模块XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET 3.3kV集成体二极管、XHP™ 2封装,采用.XT互联技术产品型号:■ FF2000UXTR33T2M1 1.9mΩ 3.3kV■ FF2600UXTR33T2M1 2.5mΩ 3.3kV产品特点Inom大损耗低适合高频应用体积小.XT连接技术
英飞凌工业半导体
2024-08-19
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磁悬浮轴承——电力电子在高速旋转机械领域的应用
邀请你一起来创作科普作品,点击报名👇👇作者简介本文是生活中的电、电源与电力电子科普征文大赛的二等奖作品,原标题《磁悬浮轴承——电力电子在高速旋转机械领域的应用》,作者:蒋栋,孙宏博,杨佶昌,刘自程,帅逸轩,来自华中科技大学,强电磁工程与新技术国家重点实验室。1磁悬浮轴承背景介绍电动机想必大家都有所了解,转子“呼呼呼”旋转,带动工业的发展。在工业和国防领域,旋转机械是最重要的动力来源。无论是重工业中
英飞凌工业半导体
2024-08-17
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PCIM2024论文摘要|主驱逆变器应用中不同Zth模型对分立IGBTTvj计算的影响
*本论文摘要由PCIM官方授权发布/ 摘要/在 xEV 应用的主驱逆变器中,关于 IGBT 分立器件热阻网络建模和虚拟结温计算的研究和论文相对较少。本文基于最新的可回流焊接分立式 IGBT 产品(TO247),通过 Ansys FEM 3D 建模和热阻提取,以及典型逆变器条件下的 PLECS 仿真,比较和分析了分立式 IGBT 的三种不同热阻网络模型(外壳和冷却水之间),以及其对 IGBT 和 F
英飞凌工业半导体
2024-08-16
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3300VSiCMOSFETXHP2模块的芯片、封装与应用
英飞凌的产品一直坚持在高可靠性的前提下实现高性能,英飞凌3300V SiC MOSFET XHP2 系列模块产品中又一次充分体现这点,此系列已经正式量产上市,目前上市的有两款型号,分别是标称电流1000A的FF2000UXTR33T2M1, 以及标称电流750A的FF2600UXTR33T2M1。可能你会奇怪为什么1000A的器件名称会是FF2000…? 答案都在以下视频里!视频中,英飞凌工程师孙
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