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Ta的
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PCB单层板LAYOUT,QFN封装的中间接地焊盘走线出不来怎么办?
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2025-05-27
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用于防静电的0402封装0.1uF电容被静电打坏了,仿真和实测数据分析
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电平转换电路导致I2C电路通讯速率上不去原因分析
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PADS生成的ASC文件转AD不成功的解决办法
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2025-05-13
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DCDC BUCK通过加RC Snubber解决EMI超标的仿真和实测数据分析
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2025-05-11
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用于防静电的电容为什么还被静电打坏了,仿真和实测数据分析
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2025-04-21
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PADS输出坐标文件时碰到的两个问题以及解决方案
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PCB设计USB插座时,金属外壳都有哪些接地方案?
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2025-03-14
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是否能够通过DeepSeek画史密斯圆图?
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2025-02-28
53浏览
一文搞懂射频两器件匹配结构对应史密斯圆图的区域
硬件驿站
2025-02-21
174浏览
PADS安装后卡死问题解决
硬件驿站
2025-02-19
357浏览
PADS输出两种风格的手工焊接用丝印文件,哪一种更好?
在做完PCB生产后,批量生产的板子肯定会选择做SMT贴片。但如果只是少量的几块板或者板子上器件很少的情况下,大概率都会选择人工焊板。焊接前,除了准备焊接物料之外,工程师还需要打印焊接用图纸资料。一般会有两种方式提供。 一种是把PCB板丝印文件直接打印出来(如下图),再附上BOM表(略)。 另外一种就是在原丝印文件的器件中间增加器件值(如下图), BOM就不一定需要提
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2025-01-08
40浏览
系统级ESD静电设计该如何选取TVS管
在电路设计中,芯片的管脚抗静电能力一般都只有2KV~4KV,甚至一些芯片的指标还更低,如果这些芯片的管脚要外接到PCB板边的接口处,就很容易受到外部的静电影响导致管脚损坏,这个时候就需要加静电保护器件。如下图,在需要保护的I/O管脚增加静电保护器件。TVS管就是一种很常见的用于静电保护的器件。那么,问题来了。1、TVS的那些指标会直接影响保护效果?2、如何选取TVS管?要回答第一个问题,我们先看看
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2025-01-06
158浏览
射频芯片输入端的L型匹配共有8种组合,你会怎样选?
上文聊到射频芯片可以通过不同的射频匹配方案提升抗静电能力,分析了LC和CL两种匹配方式的差异。2.4G射频芯片,通过不同的匹配方案解决静电问题的仿真和实测数据分析我们知道,如果一个射频天线阻抗是50欧姆,芯片也是50欧姆,则两者之间不需要做匹配,通过50欧姆微带线直连就可以。芯片输入端为任意阻抗,如果只有两个匹配器件,最多可以有多少种匹配组合。如下图,两个匹配器件有如下两种匹配结构,1#和2#器件
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2025-01-03
176浏览
2.4G射频芯片,通过不同的匹配方案解决静电问题的仿真和实测数据分析
一个客户的射频2.4G产品,空气放电只能过10KV,表现为RF输入口静电损坏导致通讯距离变近。而产品要求的等级是空气过15KV,有什么比较好的办法可以提升ESD指标?我们先看看客户的射频匹配电路结构如下:从设计上看,也没有任何问题。我们知道,提高ESD性能的方法有多种,最直接的办法就是加ESD管子,除了这种方法,还有没有其它更好的办法呢? 我们先看看IEC61000-4-2静电波形特征。
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2024-12-26
81浏览
PCB单层板LAYOUT,QFN封装的中间接地焊盘走线出不来怎么办?
单面板设计由于成本优势,在很多产品中应用很广泛,由于布局的限制,一些跨线连接都是通过短路线或0欧姆电阻做桥接。如下图,红色圈内为某家电产品单层板上的短路线如下图,为某遥控器单层电路板上的0欧姆电阻。通常情况下,通过上述方案是可以完成所有连线布局设计的。不过,还是有一些特殊情况会面临挑战。如下图,为一款QFN32 4*4封装的芯片尺寸以及推荐的封装设计示意图。
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2024-12-21
102浏览
你的产品中的存储器是否会被磁场干扰而导致损坏?实测MRAM存储器抗磁场干扰能力
大家都知道,磁铁或者通电导线周围都会产生磁场。本文将通过理论和实测验证磁感应强度的大小,以利于在产品设计中对磁感应强度的数量级有一个清晰的认识,在设计某些磁敏感存储器时提前做好规避措施。测试仪器:高斯计实例1:N52钕铁硼磁铁(Φ=10mm,H=5mm)测试测试数据如下表:实例2: 4款TWS耳机充电仓测试测试结果为1850~2180高斯。实例3:通电导线测试电流经过导线,会在周围产生磁场,磁感应
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2024-12-15
229浏览
2.4G射频芯片的压控振荡器工作电流和抗电源纹波干扰有什么关系?
在使用射频2.4G芯片时,其中一个重要的指标就是接收灵敏度,接收灵敏度的定义为,当输入信号衰减到某一个值时,此时接收的误码率BER为0.1%。BER在实际测试中,也可以通过PER衡量,以蓝牙芯片举例,比如一个37字节的数据包,当BER为0.1%时,对应的PER为30.8%。 37个字节是指Payload,比特数是37×8=296bit,计算BER需要加上其它数据一起计算。一个完整的包总的
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2024-12-11
104浏览
MCU通讯时为什么会出现中间电平?
一客户在调试两个MCU通讯的过程中,SCL管脚出现了中间电平,如下图蓝色线,在前几个高低脉冲的输出电平可以达到3.3V,但后面出现了中间电平,电压为1.2V左右。根据MCU的输入和输出各种模式组合判断,可能的原因就是MCU通讯双方都是推挽输出,且一端输出为高电平,一端输出为低电平,从而对VDD 3.3V电压进行了分压。推挽输出示意图如下:输出高电平时,上管PMOS导通,下关NMOS截止。输出低电平
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2024-12-09
78浏览
为什么MCU规格书上给出的静电指标可以过4KV,在产品上测试却2KV都不过?
碰到有工程师提出疑问,为什么拿到的一颗芯片手册标注的ESD指标可以到4KV,在产品上却有时2KV都测试不过?先看看芯片规格书上指标如下:从手册的表格中,我们看到芯片的VESD(HBM)用的是JESD22-A114标准。此标准的等效电路如下:其本质就是100pF的电容经过充电后,再通过1.5K的电阻对待测试芯片放电。l我们再看一下放电时的峰值电流:电容上存储的高电压,然后通过电阻放电,其最大电流近似
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2024-12-03
83浏览
为什么MCU规格书上给出的静电指标可以过4KV,在产品上测试却2KV都不过?
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2024-12-03
47浏览
两款TVS,一款可耐受最高30KV电压,一款耐受8KV电压,是不是30KV的管子就一定比8KV的好?
在选择TVS的时候,厂家都会在规格书里面给出最高耐受的电压数据,并且,各家给出的差异还很大,大都在±8KV~±30KV之间。如果要做器件选型,是不是选±30KV的就一定比±8KV的好?下面我们详细说明。器件A,规格书标注等级如下:器件B, 规格书标注等级如下:从上面数据我们可以看出两个信息,一是TVS的器件电压等级参考的是IEC61000-4-2标准,另外,两家的器件可耐受的电压差异接近4倍。问题
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2024-11-30
73浏览
DCDC BUCK通过加RC Snubber解决EMI辐射超标的仿真和实测数据分析
在设计产品时,必须要考虑到EMC(Electro Magnetic Compatibility,电磁兼容)设计。EMC分为EMI(Electromagnetic Interference,电磁干扰)和EMS(Electromagnetic Susceptibility,电磁耐受性)两种。前面多篇文章讲到的ESD就属于EMS范畴,主要评估产品抗各种攻击的能力,其它比如EFT,Surge都属于这一类。
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2024-11-20
192浏览
PCB走线宽度1mm过1A电流,依据是什么?
在做PCB设计时,如果有大电流,就需要针对不同的电流值设计对应的线宽,以前老师傅给的建议是1mm线宽过1A电流,按这个估算就可以。但这个方法在实际设计中还是会带来不少困扰,比如,有些产品由于板子的结构和面积限制,布板面积并不充裕。如果走0.5mm的线宽,过1A的电流行不行,如果不行,会有什么问题?如果线宽不能加宽,有没有其它方法提升过电流能力。我们再看看更具体的设计,如下表,为嘉立创PCB投板时可
硬件驿站
2024-11-10
71浏览
PADS做LAYOUT设计时,过孔上显示叉叉怎样消除
在使用PADS的时候,有时候会发现过孔上显示叉叉,会影响观察走线。解决方法:在主界面,打开TOOLS→Options→Copper Planes→Thermals→去掉勾选“Show general copper plane indicators”即可。 去除勾选后,过孔上的叉叉消除。
硬件驿站
2024-11-09
289浏览
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