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美光3D NAND芯片已送样,三星独霸时代终结

时间:2016-08-11 作者:网络整理 阅读:
美光 9 日宣布开发出该公司第一款 3D NAND 芯片,采 48 层堆叠,容量为 32GB。这款 3D NAND支持全新的通用闪存存储标准 UFS2.1……

随着移动设备替代个人电脑成为消费者的主要计算设备,用户行为对设备的移动内存和存储要求产生了极大影响,内存的 3D NAND Flash 大战即将开打!EltEETC-电子工程专辑

目前 3D NAND 由三星电子独家量产,但是先有东芝(Toshiba)杀入敌营,日前在美国加州正在举行的 Flash Memory Summit 大会上,美光(Micron)也宣布研发出 3D NAND 芯片,而且已经送样,三星一家独大的情况将画下句点。
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TechRadar、ComputerWorld 报导,美光 9 日宣布开发出该公司第一款 3D NAND 芯片,采 48 层堆叠,容量为 32GB。这款 3D NAND支持全新的通用闪存存储标准 UFS2.1,将用于中高端智能手机,这一细分市场大约占据全球智能手机总量的 50%。EltEETC-电子工程专辑

为满足移动视频和多媒体消费增长所带来的更高硬件需求,以及 5G 无线网络推出后预计出现的更高存储需求,美光 3D NAND 技术以卓越的精度垂直堆叠了多层数据存储单元,利用此技术制成的存储设备容量比采用前一代平面 NAND 技术制成的设备容量高三倍。通过垂直堆叠,美光将更多的存储单元集中到更小的芯片区域内,生产出业内最小的 3D NAND 存储芯片,其面积只有 60.217mm2。更小的芯片让极小的封装得以实现,这可以为电池腾出更多空间,或者让移动设备的规格变得更小。EltEETC-电子工程专辑

美光宣称,新品效能比前代提升 40%,尺寸更是业界最小,美光的 3D NAND 晶粒(die)比相同效能的平面 NAND 晶粒,体积缩小 30%。新品已送样给移动设备厂,预定今年底广泛出货。EltEETC-电子工程专辑

美光移动业务部门发言人 Dan Bingham 说,该公司第二代 3D NAND 将为 64 层,研发时程尚未公布。为了支持虚拟现实和串流影片需求,移动设备的内存容量不断增加,美光预估,2020 年智能手机的内建内存或许会有 1TB,和电脑差不多。EltEETC-电子工程专辑

“美光不断改进 NAND 技术,推出了适用于移动设备的 3D NAND 和 UFS 产品。”美光科技移动产品事业部副总裁 Mike Rayfield 表示,“3D NAND 提高了性能和容量并增强了可靠性,有助于满足客户对移动存储不断增长的需求,并能实现更加卓越的终端用户体验。”EltEETC-电子工程专辑

霸荣(Barronˋs)9 日刊出 Pacific Crest 报告,内容预测 3D NAND 时代将要到来。报告称,英特尔、美光、SK 海力士(SK Hynix)、东芝、Western Digital 的 3D NAND 应该很快就会上市。估计第三、四季 3D NAND 产品将会大增。英特尔和美光的产品已经差不多就绪,东芝和 SK 海力士则可能在 Q4 出货。Pacific Crest 认为,3D NAND 战役中,美光情势有利。该公司的 3D NAND 尽管层数较少,但是密度高,而且美光无可损失。EltEETC-电子工程专辑

“3D NAND 技术对智能手机和其他移动设备的持续发展至关重要。”Forward Insights 的创始人兼首席分析师 Greg Wong 表示,“随着 5G 网络的问世,再加上移动设备对我们数字生活的影响越来越大,智能手机制造商需要最先进的技术来存储和管理不断增长的数据量。美光的移动3D NAND 技术可在高分辨率视频、游戏和摄影方面实现更加卓越的用户体验,完美满足市场上不断发展的数据存储需求。”EltEETC-电子工程专辑

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