向右滑动:上一篇 向左滑动:下一篇 我知道了
广告

日本科学家发现磁电双稳态材料,可倍增储存容量

时间:2016-07-13 作者:Peter Clarke 阅读:
北海道大学的科学家开发出一种可利用磁、电信号的组件,能为U盘等传统内存组件提供2倍的储存容量。

信息储存的方法一般分为两种类型:电能或磁性。然而,如果找到一种材料分别具有电性与磁性的双稳态特性,就有可能让相同体积的储存容量增加一倍。hFZEETC-电子工程专辑

日本北海道大学(Hokkaido University)研究所的科学家们展示了锶钴氧化物(SrCoO x)材料的两种形式:一种是绝缘非磁体,另一种是金属磁体。藉由改变电化学氧化/还原的氧含量,就能切换这种材料的磁化状态。
hokkaido600
为此,研究小组开发出一种可在室温空气中安全使用锶钴氧化物的方法,它不至于让碱性溶液泄漏出来。这种方法只要在氧化锶钴层上施加钽钠薄膜即可。当3V电流施加在绝缘的SrCoO 2.5形式时,即可在3秒内逆向切换至其金属磁体形式SrCoO 3。hFZEETC-电子工程专辑

研究人员表示,只要让组件变得更小,就能大幅缩短这种化合物在绝缘体与磁铁之间切换的时间。hFZEETC-电子工程专辑

编译:Susan HonghFZEETC-电子工程专辑

本文授权编译自EE Times,版权所有,谢绝转载hFZEETC-电子工程专辑

EETC wechat barcode


关注最前沿的电子设计资讯,请关注“电子工程专辑微信公众号”。
hFZEETC-电子工程专辑

hFZEETC-电子工程专辑

本文为EET电子工程专辑 原创文章,禁止转载。请尊重知识产权,违者本司保留追究责任的权利。
Peter Clarke
业内资深人士Peter Clarke负责EETimes欧洲的Analog网站。 由于对新兴技术和创业公司的特殊兴趣,他自1984年以来一直在撰写有关半导体行业的文章,并于1994年至2013年为EE Times美国版撰稿。
您可能感兴趣的文章
  • 2019年存储器产业资本支出下滑至416亿美元 随着存储器产业的升级换代与产能扩张计划都已经完成或接近尾声,预计今年DRAM和NAND Flash资本支出共416亿美元,较去年大幅减少104亿美元。
  • 半导体设备市场前景不容乐观,但不乏成长动力 日前国际半导体产业(SEMI)贸易协会发布了修订后的全年预测,称今年晶圆制造设备销售将下降约18%。SEMI目前预计,今年半导体材料的销售额将略微下滑。
  • 美光CEO访问紫光,三星海力士如临大敌 据韩国媒体报道,美光(Micron)CEO Sanjay Mehrotra近期到访中国,并造访了中国存储器厂商紫光集团。虽然外界并不了解双方具体谈了什么,但却让韩国两大存储芯片公司三星、SK海力士如临大敌。他们担心美光若与中国半导体厂合作,或是对当地有新投资,都可能造成韩国内存厂的威胁。
  • 满足5G无线基础设施的故障安全要求 如果您一直关注有关5G的新闻,您就会知道它可以显著提高带宽,最高可达10Gbps。此外,它还具有低于1ms的系统时延,与现有的网络相比,功耗大大降低。5G将在工业物联网、车辆间通信和互联边缘计算等领域实现大量新应用。除了高带宽和超低时延以外,这些应用还需要具备另外两个不太受关注的特性,即99.99%的可靠性和24x7的全天候可用性。本文讨论了无线基础设施应用中NOR Flash 存储器的重要选择标准。
  • 中国量产64层3D NAND闪存,明年直上128层! 9月2日,紫光集团旗下长江存储官方宣布,公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存。其实在8月下旬,重庆举办的2019中国国际智能产业博览会上,紫光集团就已经公开展示了该产品。原本预计今年年底正式量产的64层3D闪存,现在提前发布消息,看来进展比预期更为顺利……
  • 3D NAND堆栈跨越100层大关! NAND供货商及其合作伙伴竞相卡位Flash Memory Summit!三星和海力士宣布即将推出堆栈超过100层的3D芯片,东芝首度亮相低延迟NAND,还有PCIe Gen 4 SSD以及各种储存加速器都是这场活动的亮点...
相关推荐
    广告
    近期热点
    广告
    广告
    广告
    可能感兴趣的话题
    广告