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争什么争,英特尔三星台积电三家工艺数值都有水分!

时间:2016-07-26 作者:Technews 阅读:
从 Linley Group 与 Techinsights 实际分析的结果,包含英特尔、台积电与三星在 14/16 纳米实际线宽其实都没达到其所称的工艺数字……
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近日转载了《天下杂志》一篇“台积电10nm只等于英特尔12nm,晶圆代工数字猫腻有多深?”的文章,文中讨论台积电、三星的技术节点数字恐怕做过美化的问题引起不小的关注,这样的问题其实在先前即为半导体业界所持续论战,并在苹果 A9 芯片门事件,iPhone 6s A9 处理器分由台积电、三星代工时讨论来到最高峰,以实际情况而言,台积电、三星工艺技术真的跟英特尔差很大?dNQEETC-电子工程专辑

半导体三雄纳米工艺到底在争什么?

台积电、三星与英特尔的先进工艺竞赛打得火热,在目前 14/16 纳米之后,工艺战一路来到了 10 纳米。这些数字背后的意义其实指的是“线宽”,精确一点而言,就是金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)的闸极长度(Gate Length)。dNQEETC-电子工程专辑

场效电晶体用闸极来控制电流的通过与否,以代表 0 或 1 的数码讯号,也是整个结构中最细微、复杂的关键,当闸极可以缩小,电晶体体积也能跟着缩小,一来切换速度得以提升,每个芯片能塞入更多电晶体或缩小芯片体积;再者,当闸极长度愈小,闸极下方电子通道愈窄,之间的转换效率提升、能量的耗损也能降低,收减少耗电量之效,但当闸极太薄,源极与汲极距离愈靠近,电子也可能不小心偷溜过去产生漏电流,加以也有推动力不足的问题,这也是为何工艺微缩难度愈来愈高;台积、英特尔与三星群雄间争的你死我活的原因。
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(Source:Hightech 科技台湾)dNQEETC-电子工程专辑

三者 14/16 工艺节点数字都灌水?

包含半导体芯片和系统还原工程与分析厂商 ChipWorks、Techinsights 与半导体分析厂商 Linley Group 都对台积电、三星、英特尔 16/14 纳米做过比较。dNQEETC-电子工程专辑

从 Linley Group 与 Techinsights 实际分析的结果,包含英特尔、台积电与三星在 14/16 纳米实际线宽其实都没达到其所称的工艺数字,根据两者的数据,台积电 16 纳米工艺实际测量最小线宽是 33 纳米,16 纳米 FinFET Plus 线宽则为 30 纳米,三星第一代 14 纳米是 30 纳米,14 纳米 FinFET 是 20 纳米,英特尔 14 纳米工艺在两家机构测量结果分别为 20 纳米跟 24 纳米。
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(Source:Linley Group)
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(Source:Techinsights)dNQEETC-电子工程专辑

英特尔技术真的依然狠甩台积、三星?

调研 The Linley Group 创办人暨首席分析师 Linley Gwennap,在 2016 年 3 月接受半导体专业期刊 EETimes 采访时,也透露了晶圆代工厂间工艺的魔幻数字秘密,Gwennap 指出,传统表示工艺节点的测量标准是看闸极长度,但在行销的努力下,节点名称不再与实际闸极长度相符合,不过,差距也不会太大,Gwennap 即言,三星的 14 纳米约略等于英特尔的 20 纳米。Gwennap 认为,台积电与三星目前的工艺节点仍落后于英特尔,以三星而言,14 纳米工艺称作 17 纳米会较佳,而台积电 16 工艺其实差不多是 19 纳米。dNQEETC-电子工程专辑

但美国知名财经博客 The Motley Fool 技术专栏作家 Ashraf Eassa 从电子显微镜图来看,认为英特尔、三星甚至台积电在三者 14/16 纳米工艺差距或许不大。Ashraf Eassa 对比英特尔 14 与 22 纳米,以及三星 14 纳米的电子显微镜图,其指出,英特尔 14 纳米侧壁的斜率要比 22 纳米垂直,根据官方的说法,这能使英特尔的散热鳍片(fin)更高更瘦,以提升效能。
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(Source:The Motley Fool)dNQEETC-电子工程专辑

而三星 14 纳米工艺电子显微镜图相较起来,和英特尔 14 纳米工艺还比较相近,加以 Ashraf Eassa 用台积电宣称 16 纳米 FinFET Plus 能比三星最佳的 14 纳米技术在相同功率下,效能能比三星提升 10% 来推测,台积电 16 纳米 FinFET Plus 的晶体管结构应与三星相差不远,甚至鳍片(fin)会更加细长。
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(Source:The Motley Fool)dNQEETC-电子工程专辑

然而,线宽并非衡量半导体工艺的唯一条件,也并非半导体厂技术能力的唯一评定标准。dNQEETC-电子工程专辑

就像调研 International Business Strategies(IBS)创办人暨CEO Handel Jones 所言,没有一项单一的测量方式就能评定技术的效能、功耗以及电晶体密度。Jones 进一步指出, M1 金属层间距是重要的,但局部互连(local interconnect)也可能影响芯片闸的密度与效能,闸极间距对闸极密度重要,但散热鳍片(fin)对性能影响同样甚钜。dNQEETC-电子工程专辑

另外,耗电量的不只是闸极长度而已,包括:材料种类、元件结构、工艺品质等等都会有影响。也因此,分析师们对英特尔、台积电、三星工艺技术孰优孰劣仍是莫衷一是。Gwennap 认为,如同 14 纳米工艺,英特尔 10 纳米工艺同样会优于台积电和三星;Jones 觉得英特尔与台积电到了 10 纳米工艺效能应能旗鼓相当;VLSI Research CEO G. Dan Hutcheson 则语带保留指出,台积电 10 纳米将大幅超越英特尔 14 纳米节点,但其也称英特尔 14 纳米节点目前维持了两年,台积电已发展到 10 纳米与 7 纳米计划,正以比其他厂商都还要快的速度在前进。dNQEETC-电子工程专辑

从几位分析师的说法,可以看出英特尔在技术上仍有所领先,但领先的幅度已慢慢缩小,而对客户而言,看的更不仅仅是技术领先与否,包含良率、耗电量等因素都在考量范围之内,而非只有工艺一项因素而已。如果光从数字就可评断,那在先前苹果 A9 芯片门事件也不会因此而闹得沸沸扬扬了,毕竟三星的整体数字是优于台积电。dNQEETC-电子工程专辑

原文链接:http://technews.cn/2016/07/25/intel-tsmc-samsung-node/dNQEETC-电子工程专辑

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