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28纳米FD-SOI工艺嵌入式内存即将问世

时间:2016-07-28 作者:Peter Clarke 阅读:
Samsung Foundry准备开始以28纳米FD-SOI工艺,提供SST-MRAM以及闪存嵌入式非挥发性内存(eNVM)选项。

三星晶圆代工业务(Samsung Foundry)准备开始以28纳米FD-SOI工艺,提供SST-MRAM (spin torque transfer magnetic RAM)以及闪存,做为嵌入式非挥发性内存(eNVM)选项。uygEETC-电子工程专辑

Samsung Foundry营销暨业务开发负责人Kelvin Low在接受EE Times欧洲版访问时表示,该公司的技术蓝图显示,28纳米FD-SOI嵌入式非挥发性内存将分两阶段发展,首先是在2017年底进行嵌入式闪存(eFlash)的风险生产(risk production),嵌入式MRAM (eMRAM)的风险生产则安排在2018年底。uygEETC-电子工程专辑

不过Low也指出:“我们虽然会同时提供eFlash与eMRAM (STT-MRAM)技术选项,但预期市场需求会导致最后只剩下一种嵌入式非挥发性内存方案。”
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风险生产指的是晶圆代工厂客户运作其完整电路、并不测试结构,但仍有可能改变工艺与设计,以优化芯片性能以及改善良率;而因为工艺还未最后确定,这类生产对客户来说必须负担风险,因此被称为风险生产。此生产阶段可能会持续数个月时间,而正式提供eFlash与eMRAM量产的时程,分别会在2018与2019年。uygEETC-电子工程专辑

MARM这种非挥发性内存技术已经发展多年,最近才有业者Everspin Technologies提供单独的MRAM芯片;三星在2011年收购了MRAM技术新创公司Grandis。uygEETC-电子工程专辑

要提供28纳米嵌入式非挥发性内存得克服许多挑战,产业界公认将闪存微缩至28纳米节点并不实际,但MRAM、相变化内存(PCM)以及电阻式内存(ReRAM)等其他技术选项仍不成熟。28纳米节点eFlash的问题包括耐久性以及功耗,而通常SoC设计会选择以较不积极的节点来制作嵌入式闪存电路、放弃微缩。uygEETC-电子工程专辑

这也可能是三星先推eFlash技术,但预期客户会在长期使用STT-MRAM;MRAM在长期看来会是较受欢迎的技术,因为与CMOS融合的简易性以及其电压架构,能以最少三层额外光罩就能被整合,而eFlash则通常需要6~8层额外光罩。uygEETC-电子工程专辑

MRAM通常是以平面内(in-plane)方式制作,不过也有选项是将磁性层垂直布置以进一步缩小面积;不过Low表示,三星不方便透露其eMRAM的制作技术细节。uygEETC-电子工程专辑

不过三星在2016年6月于美国德州奥斯汀举行的设计自动化大会(DAC)上,确实展示了以28纳米HKMG块状CMOS工艺生产的独立MRAM;Low表示:“我们的团队正在研究将此成果转移至28纳米FD-SOI工艺。”uygEETC-电子工程专辑

编译:Judith ChenguygEETC-电子工程专辑

本文授权编译自EE Times,版权所有,谢绝转载uygEETC-电子工程专辑

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Peter Clarke
业内资深人士Peter Clarke负责EETimes欧洲的Analog网站。 由于对新兴技术和创业公司的特殊兴趣,他自1984年以来一直在撰写有关半导体行业的文章,并于1994年至2013年为EE Times美国版撰稿。
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