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量10nm之工艺,结ARM之欢心:英特尔曲线杀入移动领域

时间:2016-08-18 作者:Rick Merritt 阅读:
x86芯片渗入移动市场失败后,Intel持续强化其半导体工艺技术能力,并透过刚起步的晶圆代工业务充分参与手机市场。

英特尔(Intel)透露,其10纳米工艺性能可望超越其他晶圆代工厂,并将为包括乐金电子(LG Electronics)在内的厂商生产ARM核心手机芯片;为此Intel与ARM的Artisan物理层IP部门合作,推出采用ARM的64位核心之10纳米工艺参考设计。oteEETC-电子工程专辑

上述新消息是Intel在近日于美国旧金山举行的该公司年度技术论坛IDF (Intel Developer Forum)期间发布,显示这家处理器巨擘正持续强化其半导体工艺技术能力,并凸显了该公司需要透过刚起步的晶圆代工业务来充分参与手机市场。oteEETC-电子工程专辑

此外中国芯片设计业者展讯(Spreadtum)将以Intel目前的14纳米工艺生产手机芯片。还有Intel的14纳米Stratix 10系列FPGA组件将于下一季开始提供样品;该组件采用创新的封装技术,号称能提供比现有2.5D技术更低的成本。oteEETC-电子工程专辑

Intel的10纳米工艺节点仍在开发阶段,将可达到54纳米的闸极间距(gate pitch);Intel制造部门资深院士Mark Bohr表示:“这会是数年来所有半导体业者可量产之技术中,闸极间距最紧密的;”他指出,Intel的10纳米与7纳米工艺将继续朝向提供更高密度芯片以及更低晶体管单位成本的趋势发展。oteEETC-电子工程专辑

Bohr补充,尽管晶圆成本随着工艺步骤以及光罩层数增加而持续提升:“摩尔定律(Moore’s law)仍然活跃,晶体管成本也持续下降,至少在Intel这里是这样。”
20160817 Intel NT02P1
*Intel表示其10纳米工艺的晶体管闸极间距比同业领先两年
(来源:Intel)*oteEETC-电子工程专辑

市场研究机构VLSI Research 总经理G. Dan Hutcheson 表示,Intel仅两岁半的晶圆代工业务一路走来十分低调,看起来甚至像是已经退出了,但藉由新公布的合作案,Intel已经准备好为采用ARM架构的Android手机以及物联网(IoT)设备生产芯片:“很多物联网设备都会是采用ARM架构。”oteEETC-电子工程专辑

Intel的14纳米与10纳米工艺节点,预期将提供比以往都紧密的逻辑区域以及更低的晶体管成本,但Bohr表示,有鉴于晶圆片成本以及工艺复杂度不断提高,各个世代节点之间的时间差距仍将维持在2~2.5年。oteEETC-电子工程专辑

他指出:“我们正投资更多心力在衍生技术上,好让这些非常昂贵的工艺节点能有更多的应用、延长它们的生命周期;而在二十年前,我们会是在某个工艺节点量产两年之后就让它功成身退;”因此Intel已经准备好开始生产下一代的14+节点芯片,性能可望提升12%;至于其10纳米工艺节点,预期将会有10+、10++等衍生技术,但Bohr婉拒透露更多细节。
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Intel预期在10纳米节点提供最紧密的逻辑晶体管区域,并一直到7纳米节点持续降低晶体管成本oteEETC-电子工程专辑

EUV微影与EMIB封装技术

Intel的10纳米节点仍将只使用浸润式微影(immersion lithography)技术,而Bohr表示,开发中的7纳米工艺节点:“一开始将会以采用全浸润式微影来设计,不过一旦EUV工具正常运作时间达到九成以上、产能也更高,我们会很乐意将部份层数改为EUV,以减少光罩数量;”而对于EUV的量产,他表示有“合理的信心”,但很难说会是在一年之内或是还要三年。oteEETC-电子工程专辑

VLSI Research的Hutcheson表示,尽管有台积电(TSMC)等同业紧追在后,Intel在10纳米节点仍维持领先地位:“Intel的微影技术是只要能取得工具,马上就能做──他们的光罩厂(mask shop)无人能及。”oteEETC-电子工程专辑

Intel在封装领域似乎也因为其一年多前发表的嵌入式多芯片互连桥接技术(embedded multi-die interconnect bridge,EMIB)而拥有成本优势;该公司FPGA事业群(即过去的Altera)总经理在IDF上展示了以EMIB连结4个外部Serdes的Stratix 10组件。oteEETC-电子工程专辑

EMIB以无须完整硅中介层(silicon interposer)的方式连结并排的裸晶,可因此降低成本并超越光罩极限扩展组件规模;而Intel晶圆代工事业群另一位主管Zane Ball表示,EMIB工艺也很容易生产,未来的Stratix产品将采用EMIB链接内存以及模拟组件,搭配14纳米与10纳米的芯片。oteEETC-电子工程专辑

对此Hutcheson表示,与Xilinx等竞争对手采用的硅中介层方案相较,EMIB技术显然能以更低的成本达到相同的性能;而晶圆代工业者在封装技术上的较劲也越来越激烈。
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Stratix 10将是首款采用EMIB技术的组件oteEETC-电子工程专辑

Ball表示,Intel的晶圆代工业务将专注于两个关键市场:网络基础建设与手机:“手机应用是晶圆代工市场的最大宗。”oteEETC-电子工程专辑

这样的决策对Intel来说是合理的,为了寻求大量设计填满其晶圆厂产能;不过对军事航天芯片设计业者来说可能会感到失望,这些厂商正抱怨失去了IBM那样在进行国防项目时的可信任伙伴,却又不容易取得Intel节点的相关信息。oteEETC-电子工程专辑

Intel的14纳米节点已经生产了Achronix的FPGA以及Netronome网络处理器,其Serdes技术包括56Gbit/second的PAM-4功能区块,也能提供晶圆代工客户。Intel的晶圆代工部门在一年前经历管理层变动;而今年稍早Intel则决定放弃手机应用处理器业务。oteEETC-电子工程专辑

编译:Judith ChengoteEETC-电子工程专辑

本文授权编译自EE Times,版权所有,谢绝转载oteEETC-电子工程专辑

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Rick Merritt
EE Times硅谷采访中心主任。Rick的工作地点位于圣何塞,他为EE Times撰写有关电子行业和工程专业的新闻和分析。 他关注Android,物联网,无线/网络和医疗设计行业。 他于1992年加入EE Times,担任香港记者,并担任EE Times和OEM Magazine的主编。
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