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用GaN造出的功率放大器最适合5G技术

时间:2016-08-23 作者:Christoph Hammerschmidt 阅读:
德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所(Fraunhofer IAF)近日开发出实现5G网络不可或缺的建构模块:以氮化镓(GaN)技术制造的高功率放大器晶体管...

下一代移动无线网络——5G,将为需要极低延迟的间和/或高达10Gbps数据传输速率的创新应用提供平台。德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics,Fraunhofer IAF)近日开发出实现5G网络不可或缺的一种建构模块:以氮化镓(GaN)技术制造的高功率放大器晶体管。sb3EETC-电子工程专辑

Fraunhofer的研究人员Rüdiger Quay表示,芯片上的特殊结构可让基地台设计人员以极高的电压(较一般更高的传送功率)执行该组件。在其Flex5Gware计划中,Fraunhofer IAF已经开始在6GHz频率展开组件的原型测试了。sb3EETC-电子工程专辑

在这一类的应用中,能量需求取决于传输带宽。Quay解释,所传送的每1位都需要稳定且一致的能量。由于5G可实现较现有商用行动无线基础架构更高200倍的带宽,因而有必要大幅提高用于传统5G高带宽讯号的半导体组件能效。sb3EETC-电子工程专辑

除了创新的半导体,研究人员们还使用高度定向天线等措施来提高能量效率。sb3EETC-电子工程专辑

在金属加工工艺中产生的副产品——镓(Gallium)十分普及。包含GaN的白光与蓝光LED也有助于提高GaN的产量,使得GaN成为当今一种更可负担的组件。其结果是,Fraunhofer IAS指出,相较于硅(Si)组件,GaN组件由于在整个产品寿命周期已超过其更高的制造成本,因而实现更节能的组件。sb3EETC-电子工程专辑

编译:Susan Hongsb3EETC-电子工程专辑

本文授权编译自EE Times,版权所有,谢绝转载sb3EETC-电子工程专辑

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Christoph Hammerschmidt
Christoph Hammerschmidt负责EE Times Europe的汽车相关内容。
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