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智能手机备货旺季,Q3移动内存产值得以增长

时间:2016-11-30 作者:TrendForce 阅读:
受惠于全球智能手机进入传统备货旺季,加上DRAM价格同步上扬,2016年第三季移动式内存总产值成长约16.8%。

TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange最新调查显示,受惠于全球智能手机进入传统备货旺季,加上各DRAM产品价格同步上扬,2016年第三季移动式内存总产值达45.88亿美元,季成长约16.8%。bYkEETC-电子工程专辑

DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示,第三季有苹果(Apple) iPhone 7与三星(Samsung) Note 7旗舰机型发布,让全球移动式内存出货大增,纵使Note 7受爆炸影响于第四季宣布停产,先前的备料动作已为第三季移动式内存的营收做出贡献。bYkEETC-电子工程专辑

以三大DRAM厂移动式内存营收市占来看,三星半导体营收持续扩大到约64.5%,SK海力士(Hynix)约为22.8%,美光半导体(Micron)为10.6%,三大主要DRAM厂的营收占比达97.9%,而排名第四的南亚科仅有1.3%。bYkEETC-电子工程专辑

吴雅婷指出,第三季移动式内存占DRAM总营收比例上升至43.5%,在Note 7停产后各品牌厂纷纷抢占三星失去的市场,且移动式内存价格上涨趋势不变的情况下,预计今年第四季移动式内存在DRAM总营收占比仍将持续扩大。
20161129 DRAMeXchange NT21P1
就三大DRAM厂竞争能力分析,三星仍是移动式内存霸主,除20纳米工艺已进入相当成熟的阶段,今年第四季更有LPDDR4 16Gb mono die正接受客户的验证,其技术领先业界,如验证成功,2017年的高阶手机将有望搭载8GB内存。此外,其18纳米工艺技术也将于明年放量,有望进一步提升三星半导体部门获利。bYkEETC-电子工程专辑

SK海力士21纳米工艺良率正逐步提升,加上适逢手机传统出货旺季,其移动式内存的21纳米工艺的投片量也在第三季放大,SK海力士计划将21纳米工艺良率推至更成熟的阶段,明年下半年也将导入18纳米的试产,提高自身竞争力。bYkEETC-电子工程专辑

美光集团先前由于财务状况不稳定,在移动式内存采取20/25纳米并重的策略,并以华亚科20纳米转进速度最快,专注于提供苹果阵营的需求,而非苹果阵营的移动式内存需求交由广岛厂与台湾美光内存的25纳米工艺供应比重较高。明年美光集团也可望导入18纳米工艺。
20161129 DRAMeXchange NT21P2
台系DRAM厂方面,受惠于移动式内存的生产比重提升,加上移动式内存涨价,南亚科在全球DRAM厂季营收市占从1.1%提升至1.3%。目前南亚科厂内正进入20纳米工艺转换工程,该工艺的移动式内存产能将于明年开出。bYkEETC-电子工程专辑

华邦电子第三季在全球DRAM厂的营收市占与上季持平,约0.8%,整体营收在客制化产品与ASIC产品价格提升后小幅成长,华邦电子新工艺38纳米有机会于今年少量生产,且将优先利用在利基型内存与移动式内存上。bYkEETC-电子工程专辑

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