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英飞凌新型高压MOSFET提供出色的功率密度,树立效率新标杆

时间:2017-04-10 阅读:
600 V CoolMOS P7和600 V CoolMOS C7 Gold (G7)这两个产品系列的击穿电压高达600 V,具备更出色的超结MOSFET性能。它们可在目标应用中实现非常出色的功率密度。

英飞凌科技股份公司壮大现有的CoolMOS技术产品阵容,推出600 V CoolMOS P7和600 V CoolMOS C7 Gold (G7)系列。这两个产品系列的击穿电压高达600 V,具备更出色的超结MOSFET性能。它们可在目标应用中实现非常出色的功率密度。qVDEETC-电子工程专辑

600 V CoolMOS P7:高效率和易用性的优化组合

新推出的P7树立效率标杆并具备更高的性价比,可大大简化设计。该器件的目标应用包括充电器、适配器、照明装置、电视、PC电源、太阳能、服务器、电信和电动汽车充电等,其功率级别从100 W到15 kW不等。在不同的拓扑中,600 V CoolMOS P7能够将目标应用的效率提高1.5%,并且,相比竞争产品而言,工作温度最多可降低4.2 °C。 qVDEETC-电子工程专辑

表面贴装(SMD)和通孔封装型号的导通电阻RDS(on) 范围均为37 - 600 mΩ,因此,600 V CoolMOS P7适合功率范围很宽的多种应用。此外,超过2 kV(HBM)的出色的防静电能力可保护器件免受生产中的静电放电损坏,从而有效提高制造品质。最后,坚固耐用的体二极管能在LLC电路中硬换向事件期间保护器件。
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600 V CoolMOS C7 Gold(G7):一流的FOM采用创新型无引线SMD TO封装

G7具备较低的导通电阻RDS(on)、最小的栅极电荷QG,同时存储于输出电容的能量减少,并具备无引线TO封装的4管脚开尔文源极能力。这可以最大限度降低PFC和LLC电路中的损耗,并将性能提升0.6%,同时提高PFC电路的满载效率。G7只有1 nH的极低源极寄生电感,也有助于提高效率。qVDEETC-电子工程专辑

G7采用无引线TO封装,热性能得以改善,适用于大电流的设计,同时SMD工艺有助于降低安装成本。此外,600 V G7具备业界最低的导通电阻RDS(on) ,从28 mΩ到150 mΩ不等。相比传统的D2PAK封装而言,该器件的表面积、高度和占板空间分别减小30%、50%和60%。所有这些特性,使该器件成为服务器、电信、工业和太阳能等应用领域实现最高效率并树立功率密度标杆的理想选择。qVDEETC-电子工程专辑

供货情况

600 V CoolMOS P7与600 V CoolMOS C7 Gold系列器件已开始批量生产,可订购样品。qVDEETC-电子工程专辑

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