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比NAND快千倍的MRAM将发布,未来不分RAM/ROM

时间:2017-04-28 作者:网络整理 阅读:
估计在 5 月 24 日的一场晶圆厂商论坛上,三星将会发布该公司所研发的 MRAM 内存,此种次世代存储器兼具 NAND Flash 和 DRAM 的优点,被认为是一种通用型存储器,能够让手机实现内存/闪存二合一。

随着存储行业快速的技术迭代,LPDDR4X、UFS2.1等产品纷纷面市,但由于标准型内存 DRAM、NAND Flash 等微缩工艺已逼近极限,素以半导体巨头皆正大举发展次世代内存。jUHEETC-电子工程专辑

英特尔研发“3D cross point”技术,拟推相变化内存(PRAM)。三星电子不甘示弱,发布磁阻式随机存取存储器(MRAM,magnetoresistant random access memory),号称读写速度比 NAND Flash 快上一千倍。jUHEETC-电子工程专辑

fudzilla、IBTimes、韩国经济日报报导,市场估计在 5 月 24 日的一场晶圆厂商论坛上,三星将会发布该公司所研发的 MRAM 内存,此种次世代存储器兼具 NAND Flash 和 DRAM 的优点,被认为是一种通用型存储器,能够让手机实现内存/闪存二合一。它无须电源也能储存资料,而且处理速度极快,三星还加入了自旋转矩技术(STT),可以加大降低功耗。
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MRAM结构图(Sources:samsung)jUHEETC-电子工程专辑

三星宣称,MRAM 是非挥发性存储器,采用自旋传输科技(Spin-torque transfer)读写数据,速度比 NAND 快了一千倍。不仅如此,MRAM 更省电,使用时(active)耗电量比传统存储器少,停用时(inactive)更无需用电。jUHEETC-电子工程专辑

目前次世代存储器包括 MRAM、PRAM、ReRAM,其中 MRAM 速度最快,但是量产难度较高。现在三星只能少量生产,但是预期能尽速克服生产障碍。jUHEETC-电子工程专辑

全球最大半导体代工厂台积电亦曾在 4 月 13 日对外说明,台积电绝对不会踏入标准型内存领域,因为台积电目前已具备“量产”MRAM 及电阻式动态随机存取内存 (RRAM) 等新型内存的技术。jUHEETC-电子工程专辑

三星同时宣布,欧洲大厂恩智浦半导体(NXP Semiconductors)的物联网半导体将采用 MRAM,双方签订晶圆代工协定,将量产 28 纳米的全耗尽型绝缘层上硅(FD-SOI)。jUHEETC-电子工程专辑

IBTimes 猜测,倘若三星 MRAM 量产进展顺利,或许今年下半问世的 Galaxy Note 8 就会内建 MRAM,以便做出市场差异化。MRAM 用于智能手机可加快处理速度,并更为省电。jUHEETC-电子工程专辑

外媒phonearena持有不同意见,他们认为三星目前无法生产出超过几兆字节MRAM,因此MRAM目前只适用于作为处理器的高速缓存。jUHEETC-电子工程专辑

不过,我们依然看好MRAM的应用前景。据知名爆料人士@i冰宇宙消息,未来MRAM将具备更大容量,作为闪存和内存二合一的存储体,上市节点可能在2020年以后。
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如果这一愿景成真,那么我们无需区分RAM和ROM,逆天的512G/1TB内存不再是梦想。jUHEETC-电子工程专辑

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