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三星计划2020年推出4nm工艺和第二代FD-SOI

时间:2017-05-26 作者:EETimes 阅读:
在未来三年内,也就是 2017 年至 2020 年之间,三星半导体的工艺技术将一步步的向前推进。计划在 2017 年底之前试产 8 nm工艺技术……

根据EETimes美国报导,日前积极宣布准备拆分晶圆制造事业,并期望能在市场上一举超越台积电的韩国三星,24 日举办了记者说明会,现场公布了旗下最新的工艺技术路线图。根据规划,在新的路线图中,三星希望能够在 2020 年推出 4 nm工艺技术,与届时将推出 5 纳米工艺的台积电一较高下。
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三星半导体部门总裁Kinam Kim在加州圣克拉拉的Foundry Forum上公布了该公司的工艺路线图。2wrEETC-电子工程专辑

报导中指出,根据三星的计划,在未来三年内,也就是 2017 年至 2020 年之间,三星半导体的工艺技术将一步步的向前推进。计划在 2017 年底之前试产 8 nm工艺技术,2018 年量产 7 nm工艺技术,2019 年则陆续研发 6 nm以及 5 nm工艺,时程再推进到 2020 年之际,三星希望直接将MBCFET技术投入到其4nm低功耗(LPP)工艺中。
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路线图中还包括第二代FD-SOI平台,4nm与5nm体硅FinFET工艺等2wrEETC-电子工程专辑

从现在到2020年之间,三星计划在今年投产8nm LPP工艺,明年则是一个采用EUV 的7nm LPP工艺,并于2019年推出5nm和6nm LPP工艺。2wrEETC-电子工程专辑

三星市场高级总监 Kelvin Low 表示,三星对于未来的发展路线充满希望和野心。因为,三星不单单只是规划这些新的工艺技术,而是在这些时间点上,三星真的能够实现预定的计划如。2wrEETC-电子工程专辑

目前,三星还指出,自己晶圆厂所使用的光刻机已经可以达到每天 1,000 片晶圆的产量。而未来,三星还希望能将产量提升 50%,来到 1,500 片的数量。同时,三星还宣布,将会在 2018 年引进艾司摩尔(ASML)最先进的 EUV 光刻机加入到晶圆的生产过程中,以提高产能及良率。2wrEETC-电子工程专辑

至此,EUV这个被寄予厚望,在193nm沉浸式光刻技术上获得成功,却迟迟无法量产的光刻技术,终于要步入正轨了。三星,台积电和Globalfoundries都宣布将把EUV技术用在2019年的量产中。2wrEETC-电子工程专辑

相对于三星在工艺上的规划,晶圆制造龙头台积电也逐步推进自己的工艺发展。在 2017 年 10 nm工艺正式量产之后,2018 年将开始 7 nm工艺的生产,之后更先进的5nm工艺则会在 2020 年量产。而台积电共同CEO暨总经理刘德音之前也透露,目前台积电已经组成数百人的研发团队,针对更先进的 3 nm工艺研发中,成为首家透漏已在 3 nm工艺上布局的晶圆制造企业。所以,面对三星的来势汹汹,台积电方面似乎也已经做好了准备。2wrEETC-电子工程专辑

三星还详细介绍了2019年面向风险生产的18nm FD-SOI工艺技术。该公司计划在导入第二代FD-SOI之前,将射频和嵌入式MRAM集成到一个更广的平台上,逐步扩展其现有的28nm FD-SOI工艺。这个平台与前代相比,将节省40%的功率,实现20%的性能提升和面积优势。2wrEETC-电子工程专辑

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