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西部数据全新iNAND嵌入式闪存盘提升智能手机使用体验

时间:2017-12-08 阅读:
基于创新的UFS和e.MMC设备将助力下一代智能手机,支持专为满足5G网络、人工智能和以数据为中心的应用需求。

存储技术和解决方案领导厂商西部数据公司日前宣布推出全新先进的iNAND嵌入式闪存盘 (EFD) ,使智能手机用户能够充分发挥当前数据驱动型应用的潜力,提升使用体验。借助西部数据的64层3D NAND技术和先进的UFS与e.MMC接口技术,新型的智能iNAND® 8521和iNAND 7550嵌入式闪存盘能够提供卓越的数据性能和高容量存储。当该产品用于智能手机和轻薄型计算设备中时,他们可以为以数据为中心的大量应用加速,包括增强现实(AR)、高分辨率视频捕捉和丰富的社交媒体体验,当然还有新兴的终端人工智能 (AI) 和物联网 (IoT)体验。zfNEETC-电子工程专辑

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西部数据公司 嵌入式及集成解决方案(EIS) 产品市场管理总监-包继红女士zfNEETC-电子工程专辑

数据量、数据的产生速度、多样化和其带来的价值都持续呈指数级增长和演变,包括大数据、快速数据和个人数据各个方面。全球众多消费者都将在智能手机上体验到这些数据的整合。zfNEETC-电子工程专辑

Counterpoint Research智能设备及生态系统研究总监闫占孟先生表示:“我们预计到2018年末,全球每部智能手机的平均存储容量将攀升到超过60GB,用以支持由设备上人工智能和增强现实所带来的日益增多的丰富多媒体内容和数据驱动体验。这推动了我们向先进的3D NAND嵌入式闪存解决方案演进,从而进一步推动这些丰富的体验。”zfNEETC-电子工程专辑

西部数据公司嵌入式和集成解决方案副总裁Christopher Bergey表示:“除了360度视频和多镜头摄像头,移动应用中人工智能的出现提供了更加沉浸式的体验,将把智能手机以数据为中心的特点提升到新的水平。我们创新的新型iNAND解决方案推动数据在高度密集的移动应用和体验中繁荣。我们将西部数据业界领先的X3 3D NAND技术、与新款增强的独特应用感知型SmartSLC技术相结合,为客户提供了我们智能的高性能iNAND设备。这些iNAND系列的全新解决方案使得我们能够继续从容应对全球变化多端的移动市场中日益提高的移动数据需求。”zfNEETC-电子工程专辑

iNAND 8521 嵌入式闪存盘-满足旗舰移动设备在5G网络中的性能需求zfNEETC-电子工程专辑

iNAND 8521嵌入式闪存盘专为需要使用大量数据的用户设计,采用UFS 2.1接口和西部数据新型第五代SmartSLC 技术。相比于公司面向旗舰智能手机的上一代iNAND移动解决方案iNAND 7232嵌入式闪存盘,这次的iNAND 8521提供了两倍的顺序写入速度1和高达10倍的随机写入速度2。通过快速并智能响应用户的应用性能需求,它使用户能够快速玩转虚拟现实游戏,并且快速下载高清电影。此外,当服务提供商向5G网络演进时,iNAND 8521嵌入式闪存盘卓越的数据传输速度还将允许移动用户利用更快的Wi-Fi和网络增强功能。zfNEETC-电子工程专辑

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闪迪iNAND 8521 UFS嵌入式闪存盘zfNEETC-电子工程专辑

iNAND 7550嵌入式闪存盘-适用于灵敏的高容量主流智能手机zfNEETC-电子工程专辑

iNAND 7550嵌入式闪存盘帮助移动设备制造商打造存储空间充足且具有高性价比的智能手机和计算设备,以满足消费者不断增长的存储需求,同时提供快速且具吸引力的应用体验。iNAND 7550嵌入式闪存盘基于e.MMC 5.1规范,是目前西部数据基于广为使用的e.MMC接口的高性能iNAND嵌入式解决方案,可提供高达260 MB/秒的顺序写入性能以及20K IOPS和15K IOPS的随机读/写性能3,更有助于同时加快自身和应用启动的速度。zfNEETC-电子工程专辑

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闪迪iNAND 7550 嵌入式闪存盘zfNEETC-电子工程专辑

产品上市和其他信息zfNEETC-电子工程专辑

iNAND系列的新成员iNAND 8521和iNAND 7550嵌入式闪存盘以西部数据公司旗下的SanDisk®品牌销售。十余年来,该系列得到了全球主流智能手机和平板电脑制造商的信任。西部数据公司目前向OEM提供容量为256GB4的iNAND 8521和iNAND 7550闪存盘的样品。zfNEETC-电子工程专辑

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