广告

UFS 3.0正式发布,性能比UFS 2.1翻倍

时间:2018-02-01 作者:网络整理 阅读:
UFS 3.0是针对需要高性能、低功耗的移动应用和计算系统而开发的。简单来说,UFS 3.0是第一个引入了MIPI M-PHY HS-Gear4标准的闪存存储,单通道带宽提升到11.6Gbps,是HS-G3(UFS 2.1)性能的2倍。

1月31日上午消息,固态技术协会(JEDEC)发布了Universal Flash Storage v3.0标准,其中UFS对应JESD220D,UFSHCI对应JESD223D,和UFS存储卡v1.1标准(JESD220-2A)。
20180201-UFS30-2
UFS也就是我们通常所说的通用闪存存储,UFS 3.0是针对需要高性能、低功耗的移动应用和计算系统而开发的。简单来说,UFS 3.0是第一个引入了MIPI M-PHY HS-Gear4标准的闪存存储,单通道带宽提升到11.6Gbps,是HS-G3(UFS 2.1)性能的2倍。

由于UFS的最大优势就是双通道双向读写,所以接口带宽最高23.2Gbps,也就是2.9GB/s。

互联层设计方面,严格遵守MIPI移动产业处理器接口的规范协议,其中物理层依据MIPI M-PHY v4.1,传输层依据MIPI UniProSM v1.8。

其它方面,UFS 3.0支持的分区增多(UFS 2.1是8个),纠错性能提升,电压2.5V,支持最新的NANG Flash闪存介质。除了面向智能手机、平板等电子设备外,UFS 3.0还加入了一些汽车市场的特性,如工作温度支持零下40度-零上105摄氏度。除此之外还加入了主机控制机制,以提高设备数据的可靠性。

至于UFSHCI v3.0规范则面向主控厂商参考,用于简化通行设计。

除了发布UFS 3.0存储标准外,JEDEC还公布了UFS存储卡v1.1标准(JESD220-2A),UFS存储卡v1.1将对HS-Gear1/2/3的全部兼容,理论最高存储速度可达到1.5GB/s。
20180201-UFS30-1
另外,三星已经宣布,将在2018年第一季首发推出UFS 3.0接口的产品。由于骁龙845、Exynos 9810等尚无证据支持UFS 3.0接口,所以是否对应Galaxy S9终端或者仅仅是主控、闪存这类零部件,暂不得而知。

拓展阅读

UFS(通用闪存,Universal Flash Storage)其更快速的传输速度被市场认为是eMMC的继承者。2016年JEDEC发布了UFS 2.1的通用闪存标准,与UFS 2.0相比,UFS 2.1并没有定义新的速度,仍为标准的HS-G2和可选HS-G3,并增加了设备健康、性能优化、固件升级、安全写入保护等功能。
ufs_01
UFS在不同的接口协议规范下其传输速度也大不相同,UFS HS-G2(High Speed Gear 2)单通道(1Lane)最高读写速度为2.9Gbps,双通道(2Lane)最高读写速度为5.8Gbps,相当于SSD SATA 3.0接口的传输速度。UFS HS-G3 1Lane最高读写速度为5.8Gbps,2Lane最高读写速度为11.6Gbps。UFS2.0采用HS-G2 1Lane读写速度由于与eMMC5.1(400MB/s)相比没有明显的优势,HS-G2 2Lane接口协议速度约eMMC5.1的2倍,便成为了主流配置,实现速度的升级。

2017年UFS 2.0向UFS 2.1规范提升,HS-G2 2Lane已无法满足对速度提升的需求,因此更高传速度的HS-G3 2Lane,即最高传输速度11.6Gbps成为三星、东芝、SK海力士、美光等UFS2.1主流配置。

本文综合自快科技、太平洋电脑网、爱搞机报道

EETC wechat barcode


关注最前沿的电子设计资讯,请关注“电子工程专辑微信公众号”。

本文为EET电子工程专辑 原创文章,禁止转载。请尊重知识产权,违者本司保留追究责任的权利。
广告
相关新闻
广告
广告
广告
广告