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存储器:半导体产能扩张的新线路

时间:2018-02-11 作者:Dylan McGrath 阅读:
IC Insights最新的全球晶圆产能报告显示,2018年和2019年晶圆产能预计将增长8%,高出2018年至2019年期间晶圆产业年平均增长约5%。

EETimes旧金山报道,据市场研究公司IC Insights的数据,预计新半导体生产线(特别是DRAM存储器)的导入,将推动2018年和2019年的晶圆总产能高于平均水平。

IC Insights最新的全球晶圆产能报告显示,2018年和2019年晶圆产能预计将增长8%,高出2018年至2019年期间晶圆产业年平均增长约5%。

去年DRAM和NAND闪存库存不足导致价格上涨,这使得半导体行业的销售额首次突破4000亿美元。据世界半导体贸易统计组织统计,去年内存器件收入增长了61.5%,DRAM销售额增长了76.8%,NAND销售额增长了47.5%。

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IC Insights表示,韩国三星电子(Samsung Electronics)和SK Hynix都计划在2018、2019年提高DRAM产能。这些存储器厂商中,除了美光、英特尔、东芝和中国长江存储科技之外,都计划在未来几年大幅提升3D NAND闪存容量。

根据IC Insights的数据,从2017年到2022年,晶圆产能将每年增长6%。

IC Insights表示,如果2019年规划的新产能按计划上线,那么当年半导体制造产能的增量将与2007年创纪录的1800万片晶圆持平。 IC Insights认为,这一预估数值是在假设中国的NAND产能将比预期要慢的基础上得来的。(编按:此前IC Insight估计中国在自研3D NAND量产前会遇到大规模的专利诉讼问题,以至量产时间延后。参考阅读:我就不信了,中国内存厂能在不侵犯三星专利的情况下做出产品
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编译:Luffy Liu

本文授权编译自EE Times,版权所有,谢绝转载

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