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最新650V碳化硅二极管提供更出色的开关性能

时间:2018-02-28 阅读:
安森美半导体最新发布的650 V SiC 二极管系列提供6安培(A)到50 A的表面贴装和穿孔封装。所有二极管均提供零反向恢复、低正向压、不受温度影响的电流稳定性、高浪涌容量和正温度系数。

推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor)推出最新650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管系列产品,扩展了SiC二极管产品组合。这些二极管的尖端碳化硅技术提供更高的开关性能、更低的功率损耗,并轻松实现器件并联。7mrEETC-电子工程专辑

安森美半导体最新发布的650 V SiC 二极管系列提供6安培(A)到50 A的表面贴装和穿孔封装。所有二极管均提供零反向恢复、低正向压、不受温度影响的电流稳定性、高浪涌容量和正温度系数。7mrEETC-电子工程专辑

工程师在设计用于太阳能光伏逆变器、电动车/混和动力电动车(EV / HEV)充电器、电信电源和数据中心电源等各类应用的PFC和升压转换器时,往往面对在更小尺寸实现更高能效的挑战。这些全新的二极管能为工程师解决这些挑战。7mrEETC-电子工程专辑

这些650 V器件提供的系统优势包括更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性。其固有的低正向电压(VF)及SiC二极管的无反向恢复电荷能减少功率损耗,因而提高能效。SiC二极管更快的恢复速度令开关速度更高,因此可以缩减磁性元件和其他无源元件的尺寸,实现更高的功率密度和更小的整体电路设计。此外,SiC二极管可承受更高的浪涌电流,并在 -55至 +175°C的工作温度范围内提供稳定性。7mrEETC-电子工程专辑

安森美半导体的SiC肖特基二极管具有独特的专利终端结构,加强可靠性并提升稳定性和耐用性。此外,二极管提供更高的雪崩能量、业界最高的非钳位感应开关(UIS)能力和最低的电流泄漏。7mrEETC-电子工程专辑

安森美半导体MOSFET业务部高级副总裁兼总经理Simon Keeton表示:“安森美半导体新推出的650 V SiC二极管系列与公司现有的1200 V SiC器件相辅相成,为客户带来更广泛的产品范围。SiC技术利用宽带隙 (WBG) 材料的独特特性,比硅更实惠,其稳健的结构为严苛环境中的应用提供可靠的方案。我们的客户将受益于这些简化的、性能更佳、尺寸设计更小的新器件。”7mrEETC-电子工程专辑

650 V SiC二极管器件提供DPAK、TO-220和TO-247封装,每千件的单价为1.30美元至14.39美元。7mrEETC-电子工程专辑

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