广告

决定5G未来的将会是哪些半导体工艺技术?

2018-05-28 阅读:
在未来数年内,仍有数不清的机遇推动5G射频技术创新,而半导体工艺技术的发展无疑将扮演重要角色。从整个行业来看,从工艺和材料开发到设计技巧和建模,再到高频测试和制造,仍有很多工作需要完成。在实现5G目标的道路上所有学科都将参与其中,而半导体工程材料技术是重中之重。
ASPENCORE

“随着5G技术的出现,现在成为一名射频微波工程师是一件令人激动的事情。在我们通往5G——下一代无线通信系统的道路上,工程设计社区有着数不清的挑战和机遇。”ADI公司无线技术部总监Thomas Cameron博士曾经撰文指出,作为射频从业人员对5G的到来充满期待,“5G代表着移动技术的演进和革命,已达到无线生态系统各个成员迄今发布的多项高级别目标。”如何迎接5G带来的机遇和解决相伴而来的挑战?在前不久的中国之行中,Thomas面对中国媒体采访侃侃而谈,其中半导体工艺技术成为其中重要的一环。KvBEETC-电子工程专辑

5G18052801
ADI无线技术部总监Thomas Cameron纵谈5G应用挑战KvBEETC-电子工程专辑

半导体工艺技术路线在5G之后的“新常态”KvBEETC-电子工程专辑

半导体工艺技术的发展路线几乎是全球电子技术核心技术发展的主要轨迹。第一代半导体材料以硅几乎数十年“霸屏”全球半导体产业,至今半导体器件和集成电路绝大多数都是基于硅材料。上世纪90年代以来,随着光纤通讯和互联网的高速发展,促进了以砷化镓(GaAs)为代表的第二代半导体材料的发展需求,成为制造高性能微波、毫米波器件及发光器件的优选材料,广泛应用于光通信、无线通讯、GPS导航等领域。KvBEETC-电子工程专辑

第三代半导体材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、金刚石等,因其高禁带宽度特性(大于或等于2.3 电子伏特,又被称为宽禁带半导体材料),以及具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点,收到业内固态光源、电力电子、微波射频器件制造商的青睐,成为光电子和微电子等产业的“新发动机”。KvBEETC-电子工程专辑

为了满足5G时代三大场景的业务需求,5G对系统及器件提出了高速、宽带、低功耗、高频及低时延等多项技术要求。比如,5G系统的工作频率从低频到 100GHz,瞬时带宽从20MHz 到 1GHz,功率放大器的平均输出功率从几W到几十W。此外,5G系统还需要具有更高的工作效率,更低的能耗及更低的成本要求等。与当前成熟的Sub 6GHz的5G技术相比,寄予业界更大期待的微波和毫米波5G技术面临更大的挑战,半导体工艺技术的创新与变革首当其冲。KvBEETC-电子工程专辑

百花齐放的5G半导体工艺技术族谱KvBEETC-电子工程专辑

毫米波5G的一个信号链,其实在这里面有涉及很多不同的技术,例如低频的地方数字和转化器可以使用CMOS工艺,再往前端走像变频器这些集成电路会用一些SiGe工艺,然后到靠天线这个地方,再用砷化镓或者氮化镓的工艺,所以这是有很多技术的不同工艺技术的结合。“ADI是业界里面唯一一家能够提供从数字到整个天线这一整个solution的一个厂商。” Thomas表示。KvBEETC-电子工程专辑

“GaAs多年来一直是微波行业的主流技术,一流的微波系统通常采用GaAs元件实现。但SiGe工艺正在克服高频工作障碍,以便在多项信号路径功能上与GaAs一较高下。” Thomas指出,“特别是高性能微波SiGe Bi CMOS工艺具有波束成形系统所需的高集成度,惠及很多信号链以及辅助控制功能。”波束成型技术被认为未来5G微波和毫米波通信的关键技术。KvBEETC-电子工程专辑

5G18052802
ADI覆盖了从DC到100GHz的全部无线频段。KvBEETC-电子工程专辑

“取决于每个天线所需的输出功率,可能需要采用GaAs PA。然而,在微波频率下甚至GaAs PA(功率放大器)都效率较低,因为它们在线性区域内通常会发生偏移。” Thomas表示,微波PA的线性化是探索5G时代的必然选择,此趋势相比过去有过之而无不及。KvBEETC-电子工程专辑

那么作为传统集成电路的“霸主”CMOS技术在5G应用中将有哪些机会,能否占有一席之地?“各种文档都已明确指出,CMOS适合大规模调整(scaling),这点在60 GHz的WiGig(无线千兆网络)系统中已经得到了验证。” Thomas肯定的表示。值得指出的是,ADI在微波应用的CMOS半导体技术上的探索走到了业界前面,先后推出了多款创新的28nm CMOS高速转换器,针对4G/5G多频段无线通信基站、多标准生产测试系统和防御电子产品等GHz带宽应用场合而设计。“CMOS在5G的应用上具有高集成度低功耗和低成本的优势,目前ADI在更小的工艺尺寸去挑战并取得成就,这也是ADI未来努力的一个方向。” Thomas表示。KvBEETC-电子工程专辑

“考虑到目前尚处于开发的早期阶段,且使用案例也不甚明确,因而很难说CMOS是否、或者何时会用作5G无线电的技术选择。”Thomas指出,“首先必须完成很多通道建模和使用案例方面的工作,以便总结无线电规格以及未来使用微波CMOS的可行性。”这方面的技术探索无疑还会是未来市场竞争的焦点。KvBEETC-电子工程专辑

5G18052803
从数字信号到毫米波信号,不同的优势的半导体工艺技术覆盖了整个信号链。KvBEETC-电子工程专辑

本文总结:KvBEETC-电子工程专辑

在未来数年内,仍有数不清的机遇推动5G射频技术创新,而半导体工艺技术的发展无疑将扮演重要角色。正如前文所述,严格的系统工程通过在整个信号链中采用最好的技术实现最佳的解决方案。从整个行业来看,从工艺和材料开发到设计技巧和建模,再到高频测试和制造,仍有很多工作需要完成。在实现5G目标的道路上所有学科都将参与其中,而半导体工程材料技术是重中之重。KvBEETC-电子工程专辑

ASPENCORE
本文为EET电子工程专辑 原创文章,禁止转载。请尊重知识产权,违者本司保留追究责任的权利。
您可能感兴趣的文章
  • SiC与GaN器件抢上EV当“老大” 随着宽禁带器件在电动车市场的机会大增,未来SiC与GaN在电动车市场是否发生短兵相接的情况,或各拥山头?
  • 选Si、SiC还是GaN?英飞凌给出了专业的应用建议 Cree推出了首款商用900V SiC功率MOSFET,而且于近期宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET产品组合;Microchip和ROHM均已发布了新的SiC MOSFET和二极管;英飞凌在2017年底推出了氮化镓器件,今年二月推出了八款650V CoolSiC MOSFET器件;另外,意法半导体和安森美半导体在WBG宽带隙半导体材料方面也有相关投资;ADI公司已经生产出用于高频应用的GaN器件,并相信这种材料将有助于设计人员减小尺寸和重量,同时实现更高的效率和扩展带宽...... 可以看出各大厂商在SiC或GaN宽带隙半导体材料均有所布局和有着自己的发展策略。
  • 氮化镓还是碳化硅,电气工程师该如何选择? 氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体,相比于传统的硅材料功率半导体,他们都具有许多非常优异的特性:耐压高,导通电阻小,寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性:氮化镓晶体管的极小寄生参数,极快开关速度使其特别适合高频应用。碳化硅MOSFET的易驱动,高可靠等特性使其适合于高性能开关电源中。本文基于英飞凌科技有限公司的氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET产品,对他们的结构,特性,两者的应用差异等方面进行了详细的介绍。
  • 氮化镓(GaN)在快速充电器市场的应用机遇和设计挑战 氮化镓(GaN)器件以其独特的高开关频率、高功率密度和高转换效率等优势在移动设备PD充电器市场找到了用武之地。但能否成为传统硅器件的理想替代方案而快速普及,还要看其面临的设计、制造和应用问题能否得到有效解决。
  • SiC和GaN的区别及WBG器件市场发展趋势 不久前,人们认为SiC和GaN器件的应用相当困难。但2018年,这些技术的优势开始应用到现实生活中。SiC和GaN被称为“宽带隙半导体”(WBG),WBG器件作为一种新型工具解决了功率器件设计师在这个以“效率”为口号的时代所面临的问题,这将直接给市场带来巨大冲击。
  • GTAT携手安森美半导体签署生产和供应碳化硅材料协议 近日,GT Advanced Technologies(GTAT)和安森美半导体(ON Semiconductor),宣布执行一项为期五年的协议,总价值可达5,000万美元。
相关推荐
    广告
    近期热点
    广告
    广告
    广告
    可能感兴趣的话题
    广告
    向右滑动:上一篇 向左滑动:下一篇 我知道了