向右滑动:上一篇 向左滑动:下一篇 我知道了
广告

新创公司联手IMEC用GAA晶体管打造最小SRAM

时间:2018-05-30 作者:Rick Merritt 阅读:
Unisantis与Imec研究机构连手,打造出号称至今最小的SRAM单元,采用GAA晶体管,可望成为打造未来先进芯片的基础…
ASPENCORE

新创公司Unisantis与Imec研究机构连手,打造出号称至今最小的SRAM单元。0.0205mm2和0.0184mm2的6T-SRAM单元采用由Unisantis开发的垂直gate-all-around (GAA)晶体管,可望成为打造明日先进芯片的建构模块。2SiEETC-电子工程专辑

这项开发工作是Imec年度技术论坛开幕当日的少数几项新发布之一。其他新闻还包括透过蓝牙实现更精确的室内定位、高密度的芯片实验室(lab-on-a-chip)以及无需摄影机的眼动追踪方法,而这些都是由Imec独自开发的成果。2SiEETC-电子工程专辑

由Unisantis和Imec共同组成的研究团队使用该新创公司所谓的环绕闸极晶体管,其最小间距为50纳米(nm)。该设计适用于5-nm SRAM,但不适合逻辑单元,因为它需要3个晶体管,才能提供单个FinFET的性能。2SiEETC-电子工程专辑

Unisantis的设计类似于一般被称为垂直纳米线的设计,这可说是未来几年的候选晶体管。他们可望显著减少芯片面积——而且是CMOS微缩的最后进展领域之一。2SiEETC-电子工程专辑

多年来,大多数研究人员都认为垂直晶体管的挑战阻碍了其于商用芯片中的实际应用。特别是Unisantis的设计还需要更高2~3倍的性能,才足以与FinFET逻辑竞争。2SiEETC-电子工程专辑

FinFET预计将微缩至采用将在2020年量产的5nm节点。横向GAA晶体管——有时被为纳米片(nanosheet)、纳米线(nanowire)或纳米板(nanoslab),普遍预期将在3nm节点成为其后续产品。2SiEETC-电子工程专辑

Unisantis首席技术官Fujio Masuoka在1980年代时曾经是东芝公司(Toshiba)的NAND先驱。其新创公司明确地瞄准先展开下一代晶体管的开发,期望它有朝一日在明日半导体扮演更重要的角色。2SiEETC-电子工程专辑

今年2月,三星(Samsung)介绍了具有0.026-mm2位单元的6T 256-Mbit SRAM,采用FinFET和极紫外光微影(EUV)技术制造,这是当时最小的组件。该韩国巨擘表示已在测试该设计的芯片,并有信心成为第一个商用化应用EUV的计划。2SiEETC-电子工程专辑

Unisantis的设计于对三星的开发工作带来了重大的影响,当时并超越了芯片巨擘英特尔(Intel)的工作进展。根据Imec,使用EUV,Unisantis的晶体管能以相当于FinFET SRAM的成本,在5nm工艺进行制造。2SiEETC-电子工程专辑

然而,市场观察人士指出,“这并不是一项可在像Imec这样的小型研究机构中执行的简单研究计划。你需要具备从晶体管到完成设计的制造规模,以及具有一定的经济规模足以让任何事情上都易于销售,而不是损失。”
Unisantisx800
新创公司Unisantis和Imec宣称开发出比三星、英特尔和台积电更小的SRAM位单元(来源:Imec)2SiEETC-电子工程专辑

蓝牙室内定位准确度达30cm范围2SiEETC-电子工程专辑

此外,Imec还发布了一款软件,采用时间和相位数据估算飞行时间(ToF)信息,透过蓝牙提供高达30公分(cm)的室内定位准确度。目前的技术使用信号强度来提供3到5公尺的精度。2SiEETC-电子工程专辑

该软件可以得以让蓝牙与来自DecaWave等公司的超宽带芯片室内精确度竞争。其目标在于以更低的成本提供类似的准确度,并将蓝牙广泛整合至智能手机中。2SiEETC-电子工程专辑

Imec并在Atmel 802.15.4和恩智浦(NXP)的蓝牙参考设计上展示其软件。它执行于Arm Cortex M4F上,并使用不到32 Kbits的ROM和64 Kbits RAM。2SiEETC-电子工程专辑

研究人员正为修改蓝牙米兰(Bluetooth Milan)协议的下一代版本提议修改,以便广泛使用其技术。该标准流程可能需要大约一年的时间。同时,拥有蓝牙链接两端的用户可以在其连接上启用软件。2SiEETC-电子工程专辑

另外,Imec正与合作伙伴合作,在不增加硬件要求的情况下为设计添加加密和身份验证功能。该技术可将蓝牙定位能作为汽车等各种系统的数字锁,从而可能取代NFC。此外,Imec还创造了一款高阶的实验室芯片,将16,384个电极数组与16孔微流数组结合在一起。
Eyetrackers
Imec的眼动追踪眼镜原型采用Datwyler的干式电极2SiEETC-电子工程专辑

最后,Imec还展示了一款整合在眼镜上的无相机眼动追踪技术。它使用电子眼图传感器来减轻重量、成本和功耗。这款智能眼镜则透过眨眼等眼动姿势来提供控制系统的方式。2SiEETC-电子工程专辑

编译:Susan Hong2SiEETC-电子工程专辑

本文授权编译自EE Times,版权所有,谢绝转载2SiEETC-电子工程专辑

EETC wechat barcode


关注最前沿的电子设计资讯,请关注“电子工程专辑微信公众号”。
2SiEETC-电子工程专辑

2SiEETC-电子工程专辑

ASPENCORE
本文为EET电子工程专辑 原创文章,禁止转载。请尊重知识产权,违者本司保留追究责任的权利。
Rick Merritt
EE Times硅谷采访中心主任。Rick的工作地点位于圣何塞,他为EE Times撰写有关电子行业和工程专业的新闻和分析。 他关注Android,物联网,无线/网络和医疗设计行业。 他于1992年加入EE Times,担任香港记者,并担任EE Times和OEM Magazine的主编。
您可能感兴趣的文章
  • 莫大康:决战3纳米 全球半导体从工艺制程角度,仅剩下三家在比拼,英特尔的路径可能有些起伏,导致只剩下两家,分别是台积电与三星,观察总的趋势台积电获得了更大的市场份额,暂时走在前列。
  • 中国研发世界首个具有自对准栅极的垂直纳米环栅晶体管 从英特尔首发22nm FinFET工艺之后,全球主要的半导体厂商在22/16/14nm节点开始启用FinFET鳍式晶体管,一直用到现在的7nm,未来5nm、4nm也会用FinFET。但是进入3nm节点需要新型晶体管,三星已经宣布改用GAA环绕栅极晶体管,中国科学家日前在这一领域也有突破……
  • FD-SOI的低功耗,究竟有什么用? 前年的ISSCC 2017大会上,意法半导体做过一个题为“针对智能嵌入式系统、采用28nm FD-SOI工艺的2.9TOPS/W深度卷积神经网络SoC”(A 2.9 TOPS/W Deep Convolutional Neural Network SoC in FD-SOI 28nm for Intelligent Embedded Systems)的演讲。演讲中的这颗SoC应用,当然如其名就是卷积神经网络(CNN),不过其真正的亮点在2.9TOPS/W,宣传词汇常规一套就是高能效、低功耗,毕竟这是用在嵌入式与IoT应用中的。
  • 中芯国际14nm风险量产,预计年底贡献有意义的营收 8月8日晚,中芯国际在公布2019年第二季度财报中透露,其FinFET工艺14nm已经进入客户风险量产,预期在年底贡献有意义营收。第二代FinFET N+1技术平台已开始进入客户导入……
  • 半导体先进工艺制程之路:5纳米是个坎,3纳米复杂尚不确定 摩尔定律象一盏明灯推动半导体业进步,特征尺寸缩小立下汗马功劳。然而现阶段尺寸缩小已近极限。不容置疑,全球代工业在进入逻辑制程7nm之后已经开始生变,由于研发费用及成本高耸等因素,2018年格罗方德与联电声言止步,因此导致全球只剩下台积电及三星两家在代工中争霸。
  • 中国大陆晶圆厂跟踪调研:2019年中国20家FAB情况中期盘 近年来,国内各地纷纷上马晶圆制造厂,各级地方政府盲目支持项目上马。为了自主可控,为了提升我国的集成电路水平,是需要建设自己的晶圆厂,但是真的需要遍地开发,几乎每个省市都投资建设晶圆厂项目吗?为了让大家对国内各家FAB情况有新的了解,现将今年上半年20家FAB有关情况整理如下:其中,有2家在投产,12家在建,4家在规划中或新增规划,2家已经处于停摆状态。
相关推荐
    广告
    近期热点
    广告
    广告
    广告
    可能感兴趣的话题
    广告