向右滑动:上一篇 向左滑动:下一篇 我知道了
广告

联电晋华和我比内存?美光不服被禁,提专利无效申请

时间:2018-07-06 作者:网络整理 阅读:
7月5日晚间,美光称中国2家子公司已收到福州中级人民法院针对联电与晋华提起的专利侵权案所发布的临时禁令。美光对裁决结果感到失望,并认为联电欠缺先进DRAM与NAND Flash技术,坚信联电与晋华的专利无效……

7月5日晚间,美光发布声明称,中国2家子公司已收到福州中级人民法院针对联电与晋华提起的专利侵权案所发布的临时禁令。美光表示,对裁决结果感到失望,并坚信联电与晋华的专利无效,且美光的产品并不侵害专利。至于受影响的产品约占美光年度营收逾1%,将使美光第4季度营收减少约1%,但仍会与原先预订目标相同。rjoEETC-电子工程专辑

相关阅读:中国对美光下禁售令,美芯片商股价集体下挫rjoEETC-电子工程专辑

法院判决令我们失望

美光指出,该临时禁令要求美光的中国子公司停止销售或进口 Crucial 英睿达品牌的 DRAM 模组与 SSD 等产品,受影响的产品约占美光年度营收逾 1%,将使美光第4季度营收减少约1%。不过,美光预期,第4季度营收仍会落在原先预订的80亿美元至84亿美元目标间。rjoEETC-电子工程专辑

美光资深副总裁兼总法律顾问Joel Poppen表示,对福州中级人民法院的裁决感到失望,坚信联电与晋华的专利无效,而美光的产品并不侵害专利,且该法院在还未给予美光辩护机会前,就发布这项临时裁决,判决结果并非经过适当的法律程序所裁定。美光表示,会依循法院判决结果,同时也要求福州中级人民法院重新考虑是否维持原判决。rjoEETC-电子工程专辑

Joel Poppen表示,美光已长期深耕中国业务发展,包括在西安拥有一座重要的组装和测试生产设施,并与许多中国客户拥有着深厚的关系。美光将继续积极为这些毫无根据的专利侵权指控辩护,同时继续与客户和合作伙伴密切合作。rjoEETC-电子工程专辑

美光:联电哪有什么正经内存技术?

综合各媒体的消息,国内侧重点在于美光作为全球三大内存供应商之一,侵犯了福建晋华的专利权,从而导致法院发布临时禁令;而国外媒体则侧重于台湾联合电子与美光去年的恩怨纠纷,将诉中禁令与中美贸易战相关联。rjoEETC-电子工程专辑

美光表示,联电欠缺先进DRAM与NAND Flash技术,美光也并未使用联电声称的自家专利,联电及福建晋华扭曲解释专利内容,并诬指美光侵权,美光已经强力证据递交至中国国家知识产权局专利复审委员会,证明其中技术早已有其他公司在非中国地区申请,借此证明联电声称的专利无效。rjoEETC-电子工程专辑

福建晋华的公告及新闻稿则对美光涉嫌侵犯的专利语焉不详。微信公众号@专利方舟 深扒了这次几家公司的专利纠纷。rjoEETC-电子工程专辑

一、如何根据公开的信息锁定涉案专利rjoEETC-电子工程专辑

福建晋华集成电路成立于2016年2月,其申请的专利也在其成立后,并且处于公开或审查阶段,并没有获得授权。福建晋华的涉案专利权并非来源于自身申请。rjoEETC-电子工程专辑

根据福建晋华公司网站介绍,其与台湾联华电子开展技术合作,建设圆晶厂生产线,并且在福建晋华发布诉中禁令公告的同时,台湾联华电子也同样发布了公告,可知两家公司关系密切。rjoEETC-电子工程专辑

在incopat数据库中查询,发现台湾联华电子曾将25件专利权转让给福建晋华,并于2018年1月3日完成转让,而晋华起诉美光的日期在2018年1月19日,推测专利的转让即为起诉做准备,晋华起诉专利必然存在于这转让的25件专利之中。rjoEETC-电子工程专辑

根据福建晋华的公告“晋华的专利已于2009年及2012年获得授权并向外界公布”,可知专利授权日为2012年和2009年,而转让专利之中,授权日符合规定的只有5件,如下表所示。rjoEETC-电子工程专辑

20180706-micron-1
(图自:专利方舟) rjoEETC-电子工程专辑

“焊垫结构”专利授权日为2012年,且仅有一件,必为涉案专利之一。根据公告中的“先进实验室延续进行着精细严谨的逐层剖析”,侵权产品为内存条、固态硬盘及相关芯片,以及“将剖析取得的特征与晋华主张权利要求中的技术特征进行一一比对”,合理推断侵权专利为芯片专利,跟结构相关,可以排除专利序号4-5。而逐层剖析取得特征更大可能是“内连线结构”。rjoEETC-电子工程专辑

综合上述分析,可以确定福建晋华与美国美光的涉案专利必然包括“焊垫结构”,很大可能性包括“内连线结构及其制作方法”,“使用基底触发硅控整流器的静电放电防护电路”也具有一定的可能性。rjoEETC-电子工程专辑

20180706-micron-2
(图自:专利方舟) rjoEETC-电子工程专辑

福建晋华受让了25件专利,随着逐层剖析的进行,可能会发现美光产品侵犯其它专利权,在这25件专利中,除去内存芯片的制造工艺、制造设备等方面的专利,还包括“局部耗尽SOI金属氧化物半导体元件”、“发光二极管照明装置”、“具有基体触发效应的硅可控整流器”等与产品结构有关的专利,这些专利也是引发专利侵权的重点专利。rjoEETC-电子工程专辑

二、涉案专利介绍rjoEETC-电子工程专辑

根据晋华网站公告,美光涉嫌侵犯专利权的产品不仅包括MX300 2.5-inch SSD 525GB 固态硬盘、Crucial DDR4 2133 8G 笔记本内存条,还包含数款DDR4笔记本与台式机内存条,MX500系列的2TB、1TB、500GB、250GB 2.5英寸的固态硬盘,及相关侵权芯片。综合各方面的信息,内存条、固态硬盘因使用了侵权芯片而导致相应专利侵权。rjoEETC-电子工程专辑

1、CN200810109427.X——焊垫结构rjoEETC-电子工程专辑

权利要求1:一种焊垫结构,位于主动电路结构上方,其特征在于包括:焊垫;保护层,覆盖该焊垫且具有开口,而该开口暴露出部分该焊垫;以及该主动电路结构中的最上层金属层,该最上层金属层的位于该开口下方的部分为支撑层,该支撑层具有至少一个缝隙,且该最上层金属层通过多个介层窗插塞与该焊垫电性连接。rjoEETC-电子工程专辑

20180706-micron-3
(图自:专利方舟) rjoEETC-电子工程专辑

该专利于2012年获得授权,根据说明书,在焊垫结构中,支撑层具有至少一个缝隙,因此能够提高支撑层的杨氏系数,进而提高焊垫的引线拉力强度及可靠度,而避免在进行接线的过程中造成焊垫破裂或与介电层脱离。此外,支撑层还可以防止引线压力对焊垫下方的半导体结构造成伤害。rjoEETC-电子工程专辑

2、CN200510118495.9——内连线结构及其制作方法rjoEETC-电子工程专辑

权利要求1:一种内连线结构,包括:一衬底,该衬底具有一导电区;一第一介电层,配置于该衬底上;一第一光吸收层,配置于该衬底与该第一介电层之间;一双镶嵌结构,配置于该第一介电层与该第一光吸收层中,且该双镶嵌结构与该导电区电性连接;一第二介电层,配置于该第一介电层上;以及一第二光吸收层,配置于该第一介电层与该第二介电层之间,其中,该第一光吸收层与该第二光吸收层吸收紫外光。rjoEETC-电子工程专辑

20180706-micron-1
(图自:专利方舟) rjoEETC-电子工程专辑

该专利于2009年获得授权,根据说明书,因为在内连结构中的各介电层之间形成一层光吸收层,利用光吸收层能有效吸收紫外光线的特性,使得位于较低层的介电层在光照光熟化工艺中,不会受到多次紫外光照光熟化的影响,以避免介电层的物理性质随着照光熟化处理次数的增加而改变,进而导致每一层介电层之间的物理性质有所差异。rjoEETC-电子工程专辑

三、可能的后果rjoEETC-电子工程专辑

1、被诉专利侵权,美光必然会对相应专利提起无效,釜底抽薪。福州中院已经发布诉中禁令,由于标的额大,涉及担保,法院必是经过慎重考虑作出的,再加上当下中美关系的国际背景,美光复议撤销禁令的概率不大,最终结果对美光极其不力。根据福建晋华的网站公告以及专利转让情况,晋华诉美光专利侵权有备而来,随着对美光产品“精细严谨的逐层剖析”不断进行,晋华还可能针对美光其它产品提起专利侵权诉讼。rjoEETC-电子工程专辑

2、内存行业已经形成美光、三星、SK海力士三家寡头控制的格局,其中美光50%的营收来自中国市场,中国市场对美光之重要性犹如美国市场之对于中兴,不同的是美国政府可以直接让中兴休克、破产。美光可能选择与中兴相同的应对策略,与福建晋华及其关联企业台湾联合电子和解。rjoEETC-电子工程专辑

3、福建晋华作为内存产业的新进入者,未见产品上市,但经此一役,“未见其人,先闻其声”,有利于开拓国内外市场,打破寡头垄断局面。rjoEETC-电子工程专辑

说好的外国公司在中国受公平保护呢?

美光先前曾在台湾控告3名员工窃取机密技术投靠联电,并于2017年底在美国加州控告联电侵害营业秘密。美光表示,联电与中国福建晋华集成电路此次在中国提起的专利侵权诉讼,是为了报复美光先前分别在台湾与美国分别提起的刑事与民事诉讼,目前在美国的诉讼仍在进行中。rjoEETC-电子工程专辑

按照流程,如美光不服裁定,可在收到裁定书十日内,向福州中院提起复议一次。复议期间不停止裁定执行。这意味着至少在现阶段,美光将无法在华销售相关侵权产品。rjoEETC-电子工程专辑

美光在声明中表示,中国政府经常表示,外国公司的权利在中国受到公平和平等的保护,而福州中院发布的这项临时禁令与这项政策不一致。rjoEETC-电子工程专辑

过去一年来,美光成长快速,2年来股价飙涨近300%,但上个月以来却成了市场抛售和贸易战紧张局势下的受害者,跌幅约14%。美光股价在3日下跌5.51%,收报51.48美元,5日晚间美光回应禁令影响后,盘前上涨3.63%,暂报53.35美元。rjoEETC-电子工程专辑

本文综合自鉅亨網、专利方舟报道rjoEETC-电子工程专辑

EETC wechat barcode


关注最前沿的电子设计资讯,请关注“电子工程专辑微信公众号”。
rjoEETC-电子工程专辑

rjoEETC-电子工程专辑

本文为EET电子工程专辑 原创文章,禁止转载。请尊重知识产权,违者本司保留追究责任的权利。
您可能感兴趣的文章
  • 新兴存储:从“介质创新”到“与计算融合”的未来 上周在Micron Insight 2019期间美光科技推出了X100 SSD,这是美光第一款3D XPoint技术的产品,旨在填补DRAM和NAND闪存之间的存储市场空白。“X100是基于第一代3D XPoint技术的产品,年内会向少量受邀客户发送样品。”美光技术开发高级副总裁Naga Chandrasekaran透露,同时美光第二代3D XPoint也在研制中,未来还将会有显著的性能提升。
  • Micron Insight 2019亮点:从3D XPoint SSD到AI平台、安 美国时间10月24日,Micron Insight 大会在旧金山27号码头召开,本届大会重点关注智能化加速,了解如何在边缘设备中通过数据访问和分析速度来加速智能,从而丰富科学和医学领域的生活。
  • 以DRAM反制日本?韩国队用错必杀了 韩国政府已于8月12日宣布,计划在9月份将日本从韩国的“白色名单”中剔除,同时加强战略物资对日本的出口管制。更有韩国政府官员暗示限制DRAM出口日本也是可能的选项之一,但随后被韩国总统府辟谣。有媒体指出,即便韩国政府真的管制DRAM对日本的出口,对日本也影响不大,因为日本占韩国 DRAM出口比重还不到1%……
  • 一季度全球DRAM厂整体产值大幅下滑28.6% 据集邦咨询调查显示,在第一季传统淡季,DRAM价格下滑的压力加剧。除了供应商在2018年下半年增加的产能于第一季陆续开出以外,需求端积极去化库存的同时也压缩采购力道,导致第一季DRAM量价齐跌的情况十分显著,也使得整体产值较上季大幅下滑28.6%。
  • AI需求带动内存运算架构崛起 人工智能(AI)和机器学习正进一步展现硬件和硬件架构如何在成功部署中发挥关键作用;然而,关键的问题在于内存应该要设计在哪里?
  • 反转向下!2018年第四季DRAM产值下滑18.3% 由于需求端的库存水位普遍偏高,导致采购力道薄弱,连带使得DRAM供应商的位元出货(sales bit)多呈现大幅季衰退。在量价齐跌的压力下,2018年第四季DRAM总营收较上季下滑18.3%。
相关推荐
    广告
    近期热点
    广告
    广告
    广告
    可能感兴趣的话题
    广告