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三星宣布量产第五代V-NAND闪存芯片

时间:2018-07-13 作者:网络整理 阅读:
随着闪存市场价格逐渐稳定下来,人们的期待也开始从“不涨”慢慢往“降价”上转移;而想要价格降下来,那就一定要依靠技术和生产工艺的提升。三星日前已开始量产它们的第五代3D NAND闪存颗粒,层叠层数从64层加厚至96层,进一步提升存储密度的同时而不影响耐久和可靠性,更重要的是产能也能得到30%的提升。

据外媒10日报道,三星电子宣布已开始大规模生产其第五代V-NAND 3D堆叠闪存。

三星第五代V-NAND内存芯片是业内第一个利用Toggle DDR 4.0接口的产品。该接口被称为数据传输的高速公路,在存储之间的传输速度可达1.4 Gbps。与前一代64层堆叠产品相比,后者使存储的传输速度提高了40%。

此外,新的V-NAND数据写入速度仅延迟了500微妙,与前一代相比改进了30%,读取信号时间已降低到50微妙。值得一提的是新的96层V-NAND闪存芯片也更加节能,电压从1.8V降至1.2V。

为了实现上述所有的改进,新一代V-NAND采用了96层层堆叠设计。它们堆叠成金字塔状结构,中间有微小孔,这些小孔用作通道,尺度仅有几百微米宽,包含超过850亿个CTF闪存单元,每个单元存储多达3比特数据,单Die容量达256Gb(32GB)。这种制造方法包括了许多先进技术,比如电路设计、新工艺技术等。具体细节三星未详述,但该公司称,V-NAND的改进让每个存储层的厚度已经削薄了20%,并使其生产效率提高了30%以上。

三星还透露,正在开发1Tb(128GB)容量的QLC V-NAND闪存颗粒。因为首批第五代3D NAND颗粒为256Gb TLC,是消费市场和手机存储里常见的规格,对它来说优先考虑需求量大的市场是必然的选择,至于供应服务器和数据中心SSD的1Tb QLC NAND之后再说。

所以对普通消费者来讲,用上这批新颗粒应该就是三星下一代SSD产品的事情了。

本文综合自环球网、快科技、新浪科技报道

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