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长江存储新型3D NAND架构速度堪比DDR4

时间:2018-08-07 作者:Rick Merritt 阅读:
长江存储(YMTC)针对3D NAND打造出全新的Xtacking技术架构,据称可提供堪比DRAM DDR4的I/O速度,同时带来领先的位密度…

长江存储技术公司(Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.;YMTC)即将推出最新一代3D NAND芯片。该公司首席执行官杨士宁将在本周于加州举行的闪存高峰会(Flash Memory Summit)介绍这款新芯片架构,象征着中国首次公开讨论生产先进内存的计划。

长江存储将介绍针对3D NAND打造的所谓Xtacking技术架构,据称提供了“堪比DRAM DDR4的I/O速度,同时带来业界领先的位密度,象征着NAND市场的巨大飞跃。”该公司指出,Xtacking能够“实现NAND数组和外围的平行处理……这种模块化途径‘将’缩短新一代3D NAND的上市时间,并开启客制NAND闪存产品的可能性。”

该公司被誉为中国之光,长久以来被视为中国最可能提供商用化主流内存芯片的公司之一。长江存储成立于2016年,累积资金高达240亿美元,并利用中国武汉新芯集成电路公司(XMC)在武汉的12吋晶圆厂进行生产。

去年,长江存储曾经发布了一款32层3D NAND芯片,并表示将在今年推出48层版本。今年2月,一位华尔街(Wall Street)分析师表示,长江存储的32层NAND芯片产量仍然非常低,显示可能还需要几个月的时间才会推出48层组件。

如果长江存储的目标保持不变,那么它与其大型竞争对手之间的差距将只有一、两步之遥。英特尔(Intel)、美光(Micron)、三星(Samsung)以及东芝(Toshiba)/WD等公司都已经发布或正出货96层、每单元4位的组件了。三星并指称其芯片可达到类似DDR4的速度——约1.4Gbits/s。

长江存储发布此消息之际,正逢中美贸易紧张局势升温,而半导体一直是这场战争的导火线。

多家产业贸易组织长期以来一直在游说美国政府,期望协助在中国建立一个公平的竞争环境。他们声称,中国政府正大力投资芯片业,并要求外国公司进行技术移转,以换取市场准入。然而,他们抗议特朗普政府(Trump administration)最近的关税政策,并批评它是一种无效甚至有害的方法。

长江存储表示,其Xtacking架构打造的芯片将用于“通用闪存储存”(UFS),以及智能手机、PC和数据中心的客户端和企业固态硬盘(SSD)。该公司声称它“得到了客户、业界合作伙伴和标准组织的协助,可望‘开启’高性能NAND解决方案的全新篇章。”

三星曾经是率先在闪存高峰会上发布商用3D NAND芯片的公司,但讽刺的是,今年并未参与此次活动。三星的缺席,让长江存储在所有主要闪存供应商均参与的展会上顺势成为热门话题。


编译:Susan Hong

本文授权编译自EE Times,版权所有,谢绝转载

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