向右滑动:上一篇 向左滑动:下一篇 我知道了
广告

2018年半导体资本超五成用于内存

时间:2018-08-31 作者:Dylan McGrath 阅读:
IC Insights预测,2018年半导体产业资本支出(capex)总额将首次突破千亿美元大关,其中,内存芯片的资本支出将占整体产业的一半以上…

 根据市场研究公司IC Insights的调查报告,2018年半导体产业资本支出(capex)总额将达到1,020亿美元,其中,内存芯片的资本支出预计将占整体产业的53%,几乎是五年前内存所占比重的两倍。56ZEETC-电子工程专辑

根据IC Insights的最新版McClean Report,随着所有的NAND闪存(flash)供应商提高3D NAND的产能,预计与NAND相关的资本支出总额将超过310亿美元,占半导体产业总额的31%。不过,相较于2017年NAND Flash资本支出成长暴增91%,今年NAND资本支出总额增幅减缓至13%。56ZEETC-电子工程专辑

同时,该报告预测,DRAM和SRAM的资本支出增幅将比其他任何产业更高,继2017年大幅成长82%后,今年将再成长41%。根据该报告,DRAM/SRAM的资本支出预计将达到229亿美元,占整体半导体产业的22%。56ZEETC-电子工程专辑

20180831-memory-1.png56ZEETC-电子工程专辑

IC Insights预计,全球半导体产业总计将达到1,020亿美元——包括现有晶圆厂产线和全新制造设施的升级,象征着半导体产业第一次为资本支出注入突破1,000亿美元大关。该公司称,今年的总资本支出将比2017年增加9%,并较2016年的资本支出增加了38%。56ZEETC-电子工程专辑

IC Insights警告道,经过两年的资本支出大幅增加后,业界过度看好NAND flash市场需求的风险相当高且不断成长。IC Insights指出,三星(Samsung)、海力士(SK Hynix)、美光(Micron)、英特尔(Intel)、东芝(Toshiba)/Western Digital/ SanDisk和XMC /长江存储科技(YMTC)都计划在未来几年内大幅提升3D NAND flash产能,此外,还有其他新的中国内存新创公司可能进入市场。56ZEETC-电子工程专辑

IC Insights在新闻发布中指出:“内存市场的历史先例显示,过多的支出通常会导致产能过剩以及紧随而来的价格疲软。”56ZEETC-电子工程专辑

20180831-memory-2.png56ZEETC-电子工程专辑

编译:Susan Hong56ZEETC-电子工程专辑

 本文授权编译自EE Times,版权所有,谢绝转载56ZEETC-电子工程专辑

qrcode_EETCwechat_120.jpg56ZEETC-电子工程专辑

关注最前沿的电子设计资讯,请关注“电子工程专辑微信公众号”56ZEETC-电子工程专辑

本文为EET电子工程专辑 原创文章,禁止转载。请尊重知识产权,违者本司保留追究责任的权利。
Dylan McGrath
EE Times美国版执行编辑。Dylan McGrath是EE Times的执行编辑。 Dylan在电子和半导体行业拥有20多年的报道经验,专注于消费电子、晶圆代工、EDA、可编程逻辑、存储器和其他专业领域。
您可能感兴趣的文章
  • 格芯推出基于ARM架构的3D高密度测试芯片 晶圆代工大厂格芯(GlobalFoundries)8 日宣布,开发出基于ARM架构的3D 高密度测试芯片,可提升人工智能/机器学习 (AI/ML) 和高端消费电子移动及无线解决方案等计算应用的系统性能与能效。
  • 东芝工厂7月中旬恢复生产 ,西数称损失闪存晶圆数6EB 6月28日消息,据国外媒体报道,周五,东芝存储公司(Toshiba Memory)表示,其位于日本中部的NAND闪存芯片工厂将在7月中旬前恢复全面生产。
  • 一季度NAND Flash品牌商营收季减23.8%,二季度跌势难止 从2018年第四季开始,智能手机及服务器OEM便因需求疲弱而调节库存,今年第一季度还受到传统淡季影响,因此各项产品的位元出货量表现均呈现衰退,进而导致整体NAND Flash的合约价跌幅来到自2018年第一季以来最剧烈的一季。
  • 全新问世: 华邦的高效能Serial NAND系列,一种为了高阶 有鉴于平板和智慧手机的普及化,大家都已经习惯在日常生活中,使用这些拥有炫丽屏幕和结合许多功能的装置,而目前这股风潮也渐渐渗透到了日常会使用到的车子上。在车用仪表板、中控台和抬头显示器等等的车用显示器上,也逐渐朝着大尺寸、多功能甚至多屏幕的趋势靠拢。
  • NOR闪存技术如何让FOTA升级更加可靠 FOTA升级非常适于偏远区域或需要持续升级的应用,包括无线基础设施、智能工厂和联网汽车。典型的系统包含通过非易失性存储器来启动和配置的处理器。由于系统连接性不断增强,可编程芯片架构不断发展,非易失性存储器更加可靠、安全和稳定,使无缝FOTA升级成为现实——这些趋势和行业变革正在加速FOTA应用的发展势头。
  • RDIMM或LRDIMM适合你的设计吗? 下一代DDR5缓冲芯片呼之欲出,服务器和系统设计人员将很快将DDR5服务器双列直插存储器模块(DIMM)缓冲芯片组纳入其新设计中。但服务器/系统设计师可能在思考的问题是:在带寄存器的DIMM(RDIMM)或减负(load-reduced)DIMM(LRDIMM)间如何取舍?了解RDIMM和LRDIMM之间基本差异非常重要,因为这些差异如何有助于指导你正确使用DIMM进行设计。某些规范对于帮助你确定要使用的DIMM也至关重要。最后,了解一些关键设计注意事项是有帮助的,它们可作为选择正确DIMM类型的基础。
相关推荐
    广告
    近期热点
    广告
    广告
    广告
    可能感兴趣的话题
    广告