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7nm大客户被抢光?三星改谈3nm技术路线

时间:2018-09-06 作者:网络整理 阅读:
三星近年来把代工业务当作重点,曾豪言要争取25%的代工市场,并在7纳米上发力。日前随着格芯和联点宣布退出先进工艺研发,全球7纳米玩家仅剩英特尔、台积电和三星了,英特尔代工不是主业,台积电在7纳米大获全胜,这让三星看不到7纳米的未来……

三星周二(9月4日)在日本举行“三星晶圆代工论坛2018日本会议”(Samsung Foundry Forum),简称SFF Japan 2018。这是三星第二次在日本举行代工会议,日本PCwatch网站介绍了三星这次会议的主要内容,三星的口号是“最受信任的代工厂”,并公布了三星在晶圆代工上最新的3纳米工艺技术路图,以及7纳米投产进度,将抢攻高端计算与联网设备市场。

三星高管在这次会议上表示,三星7纳米是第一个采用FinFET EUV技术的半导体工艺,将于2018年晚些时候推出。这点没错,台积电要到第二代7纳米工艺N7+上才会使用EUV工艺,但是三星比较激进,7纳米节点上会直接上7纳米工艺,未来的5/4/3纳米节点也会全面使用EUV工艺。
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据三星表示,关键知识产权(IP)已在开发,将于2019年上半年完成。而8纳米LPU工艺也会开始风险试产,2019年则会推出5/4纳米 FinFET EUV工艺,同时开始18纳米FD-SOI工艺的风险试产,后者主要面向RF射频、eMRAM等芯片产品。

根据三星的说法,他们在韩国华城的S3 Line生产线上部署了ASML的NXE3400 EUV光刻机,这条生产线原本是用于10纳米工艺的,现在已经被改造,据说现在的EUV产能已经达到了大规模生产的标准。
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此外,三星还在S3生产线之外建设全新的生产线,这是EUV工艺专用的,计划在2019年底全面完成,EUV的全面量产计划在2020年完成。

2020年三星则会推出3纳米EUV工艺,三星晶圆代工部门总裁郑恩昇(E.S. Jung)表示,3纳米工艺晶体管架构将首度由FinFET变成闸极全环(GAA,Gate-All-Around),GAA公认为7纳米节点之后取代FinFET晶体管的新一代技术候选,并将配合极紫外光(EUV)微影设备,来克服物理限制。
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对三星来说,他们的7纳米客户都有谁至关重要,特别是在台积电抢下绝大多数7纳米订单的情况下,不过台积电7纳米产能不可能包揽所有订单,三星依然有机会抢得客户。

有趣的是,三星在会上表示其7纳米将应用在网络、汽车领域,而非效能要求较高的图像处理器(GPU),意谓着三星7纳米技术似乎未能获得Nvidia与AMD青睐。AMD日前已宣布下一代Zen 2中央处理器与Navi图像处理器,都将交予台积电以7纳米工艺代工。 耗费巨资的7纳米如果只能拿来小打小闹,意义也就不大了。

下面是三星在封装测试方面的路线图了,目前三星已经可以提供FOPLP-PoP、I-Cube 2.5D封装,明年则会推出3D SiP系统级封装,其中I-Cube封装已经可以实现4路HBM 2显存堆栈了。

 

 

 

 

 

 

本文综合自MoneyDJ、超能网报道

 

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