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豪投一亿美元!美光押宝AI新创公司

时间:2018-10-17 作者:Rick Merritt 阅读:
美光科技宣布将透过美光创投(Micron Ventures),针对人工智能(AI)投入1亿美元的创投基金,该公司在消息发布后股价即开始上涨。
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美光科技(Micron Technology)在日前于旧金山举办的Micron Insight 2018大会上宣布,该公司将透过美光创投(Micron Ventures),针对人工智能(AI)投入1亿美元的创投基金;该公司首席执行官Sanjay Mehrotra并誓言将加速推出新产品。美光的股价在消息发布后的交易日即开始上涨。NNBEETC-电子工程专辑

除了美光科技,Micron Insight 2018大会还邀请来自亚马逊(Amazon)、Google、辉达(Nvidia)和微软(Microsoft)等公司高层和业界专家共同讨论AI、机器学习和深度学习的未来,以及储存技术在其中将扮演的角色。NNBEETC-电子工程专辑

对于美光科技这家内存和储存巨擘来说,现在正值充满挑战的时期,因为他们已在储存领域落后于三星(Samsung)、海力士(SK Hynix)和东芝(Toshiba)等竞争对手。其混合内存立方体(Hybrid Memory Cube;HMC)和Automata处理器等突破性产品,未能取得明显的成长动能,再加上与英特尔(Intel)共同设计的3DXPoint内存延迟,而使得美光的收益被推迟至2020年。NNBEETC-电子工程专辑

从积极面来看,该公司希望在明年稍晚出样3DXPoint组件。美光还将切入高带宽内存(HBM)堆栈市场,最早将于2019年推出HBM2。NNBEETC-电子工程专辑

在其核心业务中,美光目前正在研发类似DRAM的产品,其目标是在2021年出样。该公司的工艺技术蓝图中包括三种新的节点正投入生产。此外,它还向客户展示了一种能将NAND储存性能提高3倍至5倍的软件。NNBEETC-电子工程专辑

美光科技的高层认为,深度学习的崛起将有助于推动对于内存和储存的需求。这笔1亿美元的创投基金将有助于美光科技利用AI趋势扩展该公司涉及的DRAM、NAND和NOR Flash内存等应用领域,其目标在于藉由投资于AI的硬件、软件和服务,从而推动该公司的成长,特别是在该公司看好的自动驾驶、AR/VR以及工厂自动化等技术领域。NNBEETC-电子工程专辑

美光科技执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana说:“这不仅仅与钱有关,更重要的是技术合作伙伴关系。我们还有一些新兴的内存技术尚未投产,未来将寻求合作伙伴协助推向市场。”NNBEETC-电子工程专辑

美光的研究人员正在研究像Mythic和Syntiant等新创公司期望开创的各种内存处理器(processor-in-memory;PIM)架构。他们也看好所谓的神经形态芯片——采用BrainChip等公司追逐中的类似突触般核心之网状网络。NNBEETC-电子工程专辑

至于美光科技计划何时或如何将这种概念转变成产品,目前还不得而知。NNBEETC-电子工程专辑

Sadana说:“我们在内存和未来架构方面有许多创新工作,其中一些专注于深度学习。我们取得了美国政府的补助款,将用于研究记忆处理和深度学习加速的先进技术,但这方面的很多工作都极其敏感和机密。”NNBEETC-电子工程专辑

亚马逊和微软的发言人都指出,机器学习仍处于早期阶段。NNBEETC-电子工程专辑

例如,亚马逊Alexa与自然语言理解副总裁Prem Natarajan说,开发人员正致力于使亚马逊的Alexa能够理解情境脉络以及句子中的多个指令。微软AI与研究副总裁程莉莉(Lili Cheng)表示,微软最近发布了一项服务,让公司能创造自己的语音助理,目标在于使其有朝一日能够进行实际对话。NNBEETC-电子工程专辑

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AI训练将需要更高7倍DRAM和2倍NAND储存容量(来源:Micron)NNBEETC-电子工程专辑

看好3DXPoint与工艺技术

美光高层仍然看好其核心DRAM发展蓝图,以及3DXPoint在主存储器和储存方面的前景。NNBEETC-电子工程专辑

该公司期望将3DXPoint用于密集、快速的内存产品和储存中,实现较英特尔现有Optane内存更低的延迟。美光计划将于2019年晚期出样以期于2020年带来收益,并表示该公司正在等待与英特尔共同开发的第二代3DXPoint组件。NNBEETC-电子工程专辑

不过,该公司高层并未透露任何产品细节或市场预测。美光运算与网络业务部门副总裁Tom Eby说:“我们的信念是(3DXPoint)成为数据中心分层结构中一个有意义的部份,它将蚕食DRAM和NAND两大市场,但整体市场的成长将会相当大。”NNBEETC-电子工程专辑

美光科技非挥发内存工程部门资深副总裁Jeff VerHeul说:“相较于DRAM和NAND,3DXPoint仍于发展早期,未来将会发展得更有效率。”NNBEETC-电子工程专辑

在其核心DRAM领域,“我们看到比起我们现正开发中的技术节点至少超越了三代......我们也比过去十年来的能见度更高。”美光技术开发执行副总裁Scott DeBoer说:“每个节点的成本降低和位密度增加正逐步放缓,而且并未达到过去20年的发展脚步。”NNBEETC-电子工程专辑

美光的DRAM开发蓝图并不需要极紫外光(EUV)微影,而且也已经采用双重曝光和四重曝光了。DeBoer补充说,先进的电路设计使其能在更高电容器储存比过去更少电荷的方式运作,但总体架构则是传统的。NNBEETC-电子工程专辑

Eby表示,美光已经开始生产采用20nm以下10x工艺制造的DRAM,预计下一季将首次在其1y工艺中获得收入。从今天的主流8-Gbit设计转向16-Gbit芯片的时代接近了,但他并未讨论32Gbit设计的可行性。NNBEETC-电子工程专辑

编译:Susan HongNNBEETC-电子工程专辑

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Rick Merritt
EE Times硅谷采访中心主任。Rick的工作地点位于圣何塞,他为EE Times撰写有关电子行业和工程专业的新闻和分析。 他关注Android,物联网,无线/网络和医疗设计行业。 他于1992年加入EE Times,担任香港记者,并担任EE Times和OEM Magazine的主编。
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