向右滑动:上一篇 向左滑动:下一篇 我知道了
广告

2019年第一季DRAM合约价跌幅扩大至近20%

时间:2019-01-16 作者:Trendforce 阅读:
DRAMeXchange指出,2019年第一季合约价已于去年12月开始议定,综合库存过高、需求比原先预估更为疲弱,以及短中期经济展望不明朗等因素,买卖双方已有8GB均价降至55美元或更低的共识,预期1月份合约价将较上一个月份下跌至少10%。

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查,2018年12月正值欧美年节时期,DRAM成交量清淡,因此不列入合约价计算,意味着12月份合约价与11月份大致持平。主流模组8GB均价仍在60美元左右,而4GB约在30美元水位,但两种模组的最低价分别已跌破60与30美元关卡。v1TEETC-电子工程专辑

DRAMeXchange指出,2019年第一季合约价已于去年12月开始议定,综合库存过高、需求比原先预估更为疲弱,以及短中期经济展望不明朗等因素,买卖双方已有8GB均价降至55美元或更低的共识,预期1月份合约价将较上一个月份下跌至少10%,并且2、3月持续下探的可能性极高。整体来看,第一季价格跌幅将由原先预估较前一季衰退15%,扩大到近20%,尤其以服务器内存的下修最为明显。v1TEETC-电子工程专辑

目前DRAM市场最大问题并非供给端的增加,而是需求端在2018年第四季提前进入淡季,使得库存攀升问题提早浮现。以2018年第四季来看,所有供货商当中以美光降价幅度最大,因此部分偏高的库存水位得以适时去化。而韩系厂因为降价幅度较小,导致出货量萎缩,库存持续累积至2019年第一季将相当可观。短期之内,生产位元成长(supply bit growth)将持续大于销售位元成长(sales bit growth),库存水位的不断上升,成为价格的最大压力。预期自2018年第四季开始的DRAM价格跌势恐怕将延续四个季度以上。v1TEETC-电子工程专辑

上肥下瘦,模组厂获利空间遭压缩

虽然DRAM价格自2018年下半年开始走跌,但由于产业集中度高,削价竞争只会侵蚀目前丰厚的获利,因此,2019年各厂纷纷计划减少资本支出,以稳定DRAM价格并平衡市场供需环境。v1TEETC-电子工程专辑

值得注意的是,上游原厂享有高毛利,但下游的内存模组厂与客户的获利空间却遭到压缩,这使地整体内存产业获利表现在2018年呈现上肥下瘦。2017年因DRAM价格在短期大幅上涨,模组厂受惠于手中持有的低价库存得以转为实际获利,大多数模组厂获利表现相当优异。但从2018年开始,DRAM价格已处于高档水位,颗粒价差获利空间变小,模组厂仅能从加工费用中获利。加上DRAM价格于下半年开始下跌,下游模组厂手上持有的库存损失则拖累获利,不少下游厂商2018年的实际获利较前一年相比仅剩一成水平,甚至开始亏损。由此,DRAMeXchange预期2019年模组厂的生存将面临更严峻的考验。v1TEETC-电子工程专辑

本文为EET电子工程专辑 原创文章,禁止转载。请尊重知识产权,违者本司保留追究责任的权利。
您可能感兴趣的文章
  • 尔必达社长坂本幸雄复出,担任紫光集团高级副总裁兼日本 2019年11月15日,紫光集团今天宣布:任命坂本幸雄(Yukio Sakamoto)为紫光集团高级副总裁兼日本分公司CEO。紫光集团目前是中国大型集成电路领军企业,坂本幸雄将借助紫光集团的整体优势,负责拓展紫光在日本市场的业务。
  • 中国存储器产业能否实现自给自足? 中国一直希望本土存储器产业能走进主流市场。为此,中国必须采取什么行动?中国的积极投入将会对全球存储器市场带来什么影响?
  • 新兴存储:从“介质创新”到“与计算融合”的未来 上周在Micron Insight 2019期间美光科技推出了X100 SSD,这是美光第一款3D XPoint技术的产品,旨在填补DRAM和NAND闪存之间的存储市场空白。“X100是基于第一代3D XPoint技术的产品,年内会向少量受邀客户发送样品。”美光技术开发高级副总裁Naga Chandrasekaran透露,同时美光第二代3D XPoint也在研制中,未来还将会有显著的性能提升。
  • 三星开发出12层3D-TSV封装,24GB HBM即将量产 10月7日,三星电子宣布已率先在业内开发出12层3D-TSV(Through-Silicon Via,硅穿孔)技术。该技术在保持芯片尺寸的同时增加了内存容量,不久后将量产24GB的高带宽内存(HBM)。
  • 长鑫DRAM投产,首次公开源自奇梦达的技术细节 长鑫曾表示将在年底生产首颗 8Gb DDR4 芯片,不过9月20日,长鑫宣布12英寸DRAM生产线已经提前投产,据悉投产的DDR4芯片通过了多个国内外大客户验证,今年底会正式交付,这将有助于替代进口DRAM。同时在CFMS2019上,长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士首次公开这家本土DRAM企业的技术细节,以及他们对DRAM技术现状和未来的看法……
  • NAND全产业分析:2019逆风不怂,技术过渡明年反弹 过去几年,存储器一直是半导体产业增长的强劲驱动力。不过在过去的18个月,随着产量剧增,NAND Flash和DRAM都进入供过于求的状态,再加上贸易战等外部因素,出现了需求趋缓、价格下跌、库存压力等情况。但类似的周期性调整其实一直都存在……
相关推荐
    广告
    近期热点
    广告
    广告
    广告
    可能感兴趣的话题
    广告