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高性能射频前端决定着5G盛宴的未来

时间:2019-02-13 作者:Qorvo总裁兼CEO Bob Bruggeworth 阅读:
2018年全球经济存在很多不确定因素,很多半导体企业纷纷下调了对全年业绩的预期。再加之中美贸易战, 也给半导体行业发展带来了很多挑战和反思。我们认为,提升用户体验的需求将极大推动2019年半导体市场发展,包括继续部署LTE Advanced/Pro和5G,以及扩大物联网(IoT)应用范围等。

2018年全球经济存在很多不确定因素,很多半导体企业纷纷下调了对全年业绩的预期。再加之中美贸易战, 也给半导体行业发展带来了很多挑战和反思。我们认为,提升用户体验的需求将极大推动2019年半导体市场发展,包括继续部署LTE Advanced/Pro和5G,以及扩大物联网(IoT)应用范围等。不过,这也同时为用户带来了新的设计挑战,例如需要更多射频(RF)器件, 更注重性能、技术和产品组合的广度、系统级专业知识和集成。HvmEETC-电子工程专辑

在中国市场,窄带物联网(NB-IoT)和5G将成为关键的市场驱动因素。前者对运营商来说是一个巨大的机遇,将会推动智慧城市、资产跟踪和环境/ 工业计量等应用的发展,客户需要采用包括业界领先的功率放大器和片上系统(SoC)在内的高性价比完整解决方案;而随着5G在2019年的推出,中国手机制造商开始寻求高度集成的小型RF前端模块和行业标准的参考设计,力求更快上市。HvmEETC-电子工程专辑

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Bob Bruggeworth,Qorvo总裁兼CEOHvmEETC-电子工程专辑

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对于我们和RF行业来说,像LTE Advanced Pro和5G这样迅速发展的机会是可遇不可求的,意义十分重大。目前,基站制造商正从硅向氮化镓(GaN)功率放大器(PA)转变,以满足包括宏基站和大规模MIMO网络在内的5G高频率需求。这一趋势将会加速推进,未来几年,大约一半的功率放大器市场都将转向GaN技术。2019年以及之后,随着基础设施的不断部署,GaN PA、PA模块以及接收模块必将成为5G系统的核心。HvmEETC-电子工程专辑

考虑到5G手机预计最早将在2019年下半年实现上市供货,且每款5G智能手机都需要具备完整的4G功能,而大部分4G组件又需要具备更好的RF性能(包括高级滤波器),以便与5G频段共存, 这使得几乎所有组件的性能要求都在提高,产品设计也更加复杂。HvmEETC-电子工程专辑

众所周知,5G成功与否,关键是要将所有组件整合到高度集成的小型模块中。因此,除GaN技术外,砷化镓(GaAs)pHEMT技术同样扮演着重要角色,这是能否成功开发出适合毫米波(mmWave)应用的高性能功率放大器,将5G技术融入智能手机的关键所在。此外,是否具备丰富的包络跟踪、大规模MIMO、天线调谐、高级滤波器和相控阵专业知识,也将在5G架构定义方面发挥至关重要的作用。HvmEETC-电子工程专辑

物联网应用是另一个值得高度关注的领域。不过,与射频技术不同,物联网应用有着高度“碎片化”的特征, 生态系统也极为复杂。2019年,随着越来越多的汽车实现互联,智能家居应用不断扩展,新的细分市场会不断涌现出来,物联网应用规模将持续扩大和增长。目前,Qorvo正助力实施蜂窝车对万物(C-V2X)连接的现场试验,目标是在全球范围内支持汽车与蜂窝网络“ 始终”相连。HvmEETC-电子工程专辑

在智能家居领域,Wi-Fi、ZigBee和蓝牙低功耗技术让老人日常生活系统、遥控器、智能照明和其他物联网产品获得了强劲的RF连接,能够延长电池使用寿命并率先实现物联网标准认证的低功耗无线通信技术, 是否能够提供完整的前端模块、片上系统和软件/固件产品,将成为未来不同厂商间竞争的焦点。HvmEETC-电子工程专辑

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