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华邦推出2Gb+2Gb MCP多芯片封装产品,支持5G终端设备

时间:2019-06-26 作者:华邦 阅读:
新型W71NW20KK1KW MCP所采用的非挥发性闪存与高速动态随机存取内存,为5G终端设备应用提供其所需成本和存储容量之优化组合。
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2019年6月18日,全球半导体储存解决方案领导厂商华邦电子今日宣布推出新型1.8V 2Gb NAND Flash和2Gb LPDDR4x动态随机存取内存8.0mm x 9.5mmx 0.8mm的多芯片封装产品 (以下简称MCP) 。

新的W71NW20KK1KW产品将可靠的SLC NAND Flash以及高速、低功耗的LPDDR4x动态随机存取内存集成在一个单一封装中,完整提供使用于办公室与家庭的5G终端设备相关应用所需的存储容量。

一般而言,行动式5G终端设备通常需要更大的内存,2Gb NAND / 2Gb DRAM的内存容量非常适合在固定式5G终端设备中运行。透过MCP封装组合,华邦的W71NW20KK1KW使5G终端设备的制造商能用恰如其分的容量和较低的生产成本满足系统需求。

过往,在通往高速宽带网络的最后一哩路 (last mile)多数采用有线连结的方式。预期采用W71NW20KK1KW达成成本优化的新一代5G终端设备将有助于消费者加速其采用5G以替代专线铜缆或光纤xDSL。

华邦闪存产品企划经理黄信伟表示:「在家庭和办公室建置固定式5G终端设备将是下一阶段联网市场的成长契机,而华邦的2Gb + 2Gb MCP是最理想的选择。」

「华邦是目前全球唯一一家拥有晶圆厂并同时生产NAND和LPDDR4x的MCP制造商。华邦完整掌握其所有内存部件之生产,因此即使客户大量订购W71NW20KK1KW MCP,也可以100%信赖华邦对供货数量、交期、质量和服务的保证。」

W71NW20KK1KW是一款149球BGA封装的MCP,由2Gb SLC NAND Flash和2Gb LPDDR4x 动态随机存取内存组成。其中的SLC NAND Flash仅需4位纠错码(ECC)引擎即可提供出色的耐久度和数据正确性,然而该器件2K Byte + 128 Byte的页面容量亦能支持到8位纠错码 (ECC)。

W71NW20KK1KW的NAND Flash提供具有8位总线,由64页组成一个区块,最快页面加载时间为25μs,一般页面写入时间为250μs。

LPDDR4x动态随机存取内存芯片可支持高达1866MHz的工作频率,满足LVSTL_11接口需求,并具有8个内部分区,可用于并行操作。它提供高达4267MT / s的数据速率,支持5G通讯所需的快速数据传输速率。

W71NW20KK1KW现已投入量产。 更多信息请访问www.winbond.com。

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