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解读全球DRAM大厂延缓建新厂背后原因:内存跌价+华为事件

时间:2019-06-21 作者:网络整理 阅读:
近日,美国DRAM大厂美光延迟日本新厂投资计划,韩国海力士也正计划推迟位于中国无锡的全球最先进内存芯片工厂的投产计划,就连DRAM龙头老大也开始规划调整产品制程的配置。这些全球DRAM大厂延缓建新厂计划或新厂投产计划背后,究竟有何原因?都只是单纯地与华为有关?

从今年年第一季的全球DRAM市场占有率来看,全球三大厂中,三星的DRAM市场占有率为42.7%,SK海力士则以29.9% 排名第二,美光市占率在23%位居第三。从去年第四季度开始,DRAM内存芯片的整体合约价格就已经出现下跌,加上中美贸易战的影响,巨头们的投资计划不得不作出相应的调整。美光延迟日本新厂投资计划,海力士也正计划推迟位于中国无锡的全球最先进内存芯片工厂的投产计划,而老大三星也开始规划调整产品制程的配置。dStEETC-电子工程专辑

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2019年第一季度全球DRAM厂自由品牌存储器营收排名dStEETC-电子工程专辑

根据日本媒体《日刊工业新闻》报导,由于美国对中国华为祭出禁售令的影响,使得美国内存大厂美光(Micron)延迟了在日本广岛的新厂投资计划。原因在于对华为的禁售令,导致对整体内存市场需求的下滑,因此美光不得不修正之前的计划。dStEETC-电子工程专辑

市场调查研究机构 TrendForce 旗下内存储存研究(DRAMeXchange)就研究指出,在美国祭出华为禁售令的影响下,华为的智能手机与服务器生产将面临严重出货障碍,冲击 DRAM 产品旺季需求与价格跌底时间。dStEETC-电子工程专辑

报导还指出,美光在日本广岛的工厂实际上是在2012年买下尔必达(Elpida)后纳入旗下的,原计划在2019年中期在该厂展开1Z nm制程的下一代 DRAM生产。美光原本表示,将在今后数年内于广岛工厂投资数十亿美元,发展新一代 DRAM 内存的生产,不过,据传该厂已动工的F栋厂房部分扩建,原本预计在2020年的7月份完成兴建,如今已经延迟到2021年的2月,足足向后延迟了7个月的时间。dStEETC-电子工程专辑

排名DRAM大厂的第二的海力士为何推迟无锡二工厂的投产计划呢?目前,SK海力士占有中国内存芯片市场大约35%的份额,无锡二厂投用后预计可升至超过45%。据韩媒The Investor报道,由于DRAM内存芯片价格不断下跌,近期又有华为事件的影响,SK海力士正在计划推迟位于中国无锡的全球最先进内存芯片工厂的投产计划。dStEETC-电子工程专辑

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The Investor的报道还指出,SK海力士去年在中国的销售额为15.8万亿韩元,占其全部收入的近40%,特别是华为占据了12%。一位不愿透露姓名的业内知情人士暗示,项目推迟与华为技术等中国合作伙伴的内存芯片需求下降有关。dStEETC-电子工程专辑

据了解,今年4月18日,SK海力士无锡二工厂(C2F)举行了竣工仪式。二工厂是在原有DRAM生产线C2的基础上实施的扩建工程。作为海力士现有工厂(C2) 的延伸项目,新工厂建设周期2017-2026年,全部完成后将成为全球单体投资规模最大、月产能最大、技术最先进的10纳米级别工艺内存芯片生产基地,月产能可达18万块300毫米晶圆,年销售额可达33亿美元。另外,无锡高新区在线报道指出,无锡工厂将承担SK海力士存储半导体生产总量的一半份额。dStEETC-电子工程专辑

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其实,DRAM厂老大三星也作了相应的计划调整,其Line 17与平泽厂的二楼将持续转进1Y nm制程,但是为顺应目前的市场状况,转换速度并不快。针对1X nm服务器问题,三星规划调整产品制程的配置,以期将伤害降至最低。dStEETC-电子工程专辑

注释:文章中出现的1X nm,1Y nm,1Z nm,其中,1X nm位于16nm和19nm之间,1Y nm则定义为14nm到16nm,1Z nm则是12nm到14nm。dStEETC-电子工程专辑

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