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华虹半导体第三代90纳米嵌入式闪存工艺平台成功量产

时间:2019-06-27 作者:华虹半导体 阅读:
华虹半导体有限公司宣布其第三代90 纳米嵌入式闪存(90nm eFlash)工艺平台已成功实现量产。
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华虹半导体有限公司宣布其第三代90 纳米嵌入式闪存(90nm eFlash)工艺平台已成功实现量产。

华虹半导体一直深耕嵌入式非挥发性存储器技术领域,通过不断的技术创新,第三代90纳米嵌入式闪存工艺平台的Flash元胞尺寸较第二代工艺缩小近40%,再创全球晶圆代工厂90纳米工艺节点嵌入式闪存技术的最小尺寸纪录。Flash IP具有更明显的面积优势,使得芯片整体面积进一步减小,从而在单片晶圆上获得更多裸芯片数量。与此同时,光罩层数也随之进一步减少,有效缩短了流片周期。而可靠性指标继续保持着高水准,可达到10万次擦写及25年数据保持能力。

近年来,华虹半导体在90纳米工艺节点连续成功推出三代闪存工艺平台,在保持技术优势的同时,不断探求更高性价比的解决方案。第三代工艺平台的大规模稳定量产,为电信卡、Ukey、交通卡等智能卡和安全芯片产品以及微控制器(MCU)等多元化产品提供持续稳定的支持和解决方案。

华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示:“华虹半导体是嵌入式非易失性存储器技术的领航者,未来将继续聚焦200mm差异化技术的研发创新,面向高密度智能卡与高端微控制器市场,同时不断致力于在功耗和面积方面提供显著的优化,将200mm现有的技术优势向300mm延伸,更好地服务国内外半导体芯片设计公司,满足市场需求。”

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