广告

适合小型穿戴设备的ReRAM:密度最高,读取电流最低

2019-08-08 富士通电子 阅读:
可变电阻式随机存取内存(ReRAM)为非挥发性内存,藉由电压脉冲于金属氧化物薄膜,产生的大幅度电阻变化以记录1和0。其制程化繁为简,由两电极间简易金属氧化物架构组成,使其同时拥有低功耗和高写入速度的优点。富士通电子推出业内最高密度8Mbit ReRAM,拥有业内最低的读取电流,适合需要电池供电的小型穿戴设备……
ASPENCORE

富士通电子元器件(上海)有限公司日前宣布,推出业内最高密度8Mbit 可变电阻式随机存取内存 (ReRAM)。ReRAM为非挥发性内存,藉由电压脉冲于金属氧化物薄膜,产生的大幅度电阻变化以记录1和0。其制程化繁为简,由两电极间简易金属氧化物架构组成,使其同时拥有低功耗和高写入速度的优点。edwEETC-电子工程专辑

此款型号为MB85AS8MT 的ReRAM量产产品,由富士通与松下电器半导体(Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.)合作开发,将于今年9月开始供货。MB85AS8MT是采用SPI接口并与带电可擦可编程只读存储器 (EEPROM) 兼容的非挥发性内存,能在1.6至3.6伏特之间的广泛电压范围运作。其一大特色是极低的平均电流,在5MHz工作频率下仅需0.15mA读取数据,这让需透过电池供电且经常读取数据的装置能达到最低功耗。MB85AS8MT采用极小的晶圆级封装 (WL-CSP),所以非常适用于需电池供电的小型穿戴装置,包括助听器、智能手表及智能手环等。edwEETC-电子工程专辑

MB85AS8MT采用极小的晶圆级芯片封装(WL-CSP).jpgedwEETC-电子工程专辑
MB85AS8MT采用极小的晶圆级封装 (WL-CSP)edwEETC-电子工程专辑

20190808-reram.jpgedwEETC-电子工程专辑
MB85AS8MT的三大特色与相关应用edwEETC-电子工程专辑

富士通自1999年开始生产铁电随机存取内存 (FRAM)产品,FRAM是一种采用铁电质薄膜作为电容器以储存数据的内存,亦称为FeRAM。即便在没有电源的情况下仍可保存数据。FRAM结合了ROM和RAM的特性,并拥有高速写入数据、低功耗和高速读写周期的优点。edwEETC-电子工程专辑

FRAM能提供比EEPROM与闪存更高的耐写次数与更快的写入速度,尤其是需要非常频繁记录及保护写入的数据以避免突然断电时导致数据遗失。但同时,也有些客户提出需要较低电流读取运作的内存,因为他们的应用仅需少量的写入次数,却极频繁地读取数据。edwEETC-电子工程专辑

为满足此需求,富士通电子特别开发出新型态的非挥发性ReRAM内存“MB85AS8MT”,兼具“高密度位存取”及“低读取电流”的特色。其为全球最高密度的8Mbit ReRAM量产产品,采用SPI接口、支持1.6至3.6伏特的广泛电压,且包含指令与时序在内的电气规格都兼容于EEPROM产品。edwEETC-电子工程专辑

“MB85AS8MT”最大的特色在于即使拥有超高密度,仍能达到极小的平均读取电流。例如,在5MHz的工作频率下,平均读取电流为0.15mA,仅相当于高密度EEPROM器件所需电流的5%。edwEETC-电子工程专辑

因此,在需要透过电池供电的产品中,像是特定程序读取或设定数据读取这类需要频繁读取数据的应用中,透过此内存的超低读取电流特性,该产品即能大幅降低电池的耗电量。edwEETC-电子工程专辑

20190807-reram.pngedwEETC-电子工程专辑
在5MHz的工作频率下,MB85AS8MT的平均读取电流仅为高密度EEPROM器件的5%edwEETC-电子工程专辑

除了提供与EEPROM兼容的8针脚小外形封装 (SOP) 外,还可提供2mm x 3mm的超小型11针脚WL-CSP,适用于装设在小型穿戴设备中。edwEETC-电子工程专辑

20190807-reram-1.pngedwEETC-电子工程专辑
MB85AS8MT也可提供2mm x 3mm的超小型11针脚WL-CSPedwEETC-电子工程专辑

高密度内存与低功耗的MB85AS8MT采用极小封装规格,成为最适合用于需以电池供电的小型穿戴设备的内存,例如助听器、智能手表及智能手环等。edwEETC-电子工程专辑

关键规格

· 器件型号:MB85AS8MTedwEETC-电子工程专辑
· 内存密度 (组态):8 Mbit (1M字符x 8位)edwEETC-电子工程专辑
· 界面:序列外围接口 (SPI)edwEETC-电子工程专辑
· 运作电压:1.6V至3.6VedwEETC-电子工程专辑
· 运作频率:最高10MHzedwEETC-电子工程专辑
· 低功耗:读取运作电流0.15mA (5MHz下取平均值)edwEETC-电子工程专辑
· 写入周期时间:10msedwEETC-电子工程专辑
· 分页容量:256 bytesedwEETC-电子工程专辑
· 保证写入周期:100万次edwEETC-电子工程专辑
· 保证读取周期:无限edwEETC-电子工程专辑
· 数据保留:10年 (最高耐热达85°C)edwEETC-电子工程专辑
· 封装:11-pin WL-CSP与8-pin SOPedwEETC-电子工程专辑

 edwEETC-电子工程专辑

ASPENCORE
本文为EET电子工程专辑 原创文章,禁止转载。请尊重知识产权,违者本司保留追究责任的权利。
您可能感兴趣的文章
  • 为何内存决定着移动设备的未来? 目前上市的5G手机处理能力接近疯狂,我们发现,每当处理速度加快时,设备制造商便开始寻求更低功耗、更低延迟和更高容量的内存和存储。对未来的移动设备而言,内存和存储之间的界限不但会变得越来越模糊,而且基于用户的移动设备情境化,会让设备完全为你识别,为你定制。
  • SSD资料存储也需要专用处理器! 存储技术突飞猛进,处理器的性能提升速度却没跟上,甚至成为一个瓶颈──专为数据存储量身打造的处理器会是一种解决方案。
  • 华为禁令短期内不会对存储器产业造成实质冲击 美国商务部工业和安全局(BIS)于5月15日公布针对华为出口管制的新规范,未来使用美国半导体相关设备的外国芯片制造商必须要特别申请核准,才可对华为、海思以及其他相关公司出货。虽然相关法条仍存有进一步解释的空间,但目前观察对于存储器的采购(含DRAM与NAND Flash)影响有限
  • 《电子工程专辑》杂志专题汇编之一:AI、AI芯片及行业融 人工智能(AI)时代到来了,AI芯片开始大爆发,但AI芯片是如何开发出来的?AI与物联网、5G、自动驾驶和智能制造等各个行业如何融合发展?《电子工程专辑》编辑部精心挑选2018年以来发布在杂志上的有关AI专题的文章,希望为有兴趣了解AI芯片的读者提供完整的学习资料和最新的技术趋势。
  • 如何利用PUF技术保护物联网设备? 越来越多的IC厂商开始探索一种芯片级的安全技术来保护数据,这种技术被称为物理不可克隆功能(Physically Unclonable Function,简称PUF)。从料单(BOM)成本的角度看,PUF技术在防篡改SRAM的安全性方面具有很大优势。虽然单靠PUF技术本身不足以保证密钥安全,但它无疑可将嵌入式设备的安全风险降到最低。
  • 群联宣布全线主控支持长江存储3D NAND 日前,群联董事长潘健成表示,长江存储虽然是NAND Flash产业新人,但产品质量已受到特定应用市场的验证与认可,有机会在各储存应用领域逐渐普及。“而群联电子身为全球最大的独立闪存控制芯片暨储存方案整合厂商,也将逐步地加深与长江存储的合作,期盼双方能互利共赢,让更多消费者享受到闪存所带来的高速及稳定的好处。 ”……
相关推荐
    广告
    近期热点
    广告
    广告
    广告
    可能感兴趣的话题
    广告
    向右滑动:上一篇 向左滑动:下一篇 我知道了