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格芯推出基于ARM架构的3D高密度测试芯片

时间:2019-08-12 作者:网络整理 阅读:
晶圆代工大厂格芯(GlobalFoundries)8 日宣布,开发出基于ARM架构的3D 高密度测试芯片,可提升人工智能/机器学习 (AI/ML) 和高端消费电子移动及无线解决方案等计算应用的系统性能与能效。
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晶圆代工大厂格芯(GlobalFoundries)8 日宣布,开发出基于ARM架构的3D 高密度测试芯片,可提升人工智能/机器学习 (AI/ML) 和高端消费电子移动及无线解决方案等计算应用的系统性能与能效。V6AEETC-电子工程专辑

由于当前芯片封装一直是芯片制造中的一个关键点,使得在传统的2D封装技术已经发展到瓶颈之后,半导体制造商们把目光转向3D堆栈技术上。除了看到大量的3D NAND Flash 闪存的应用,英特尔和AMD也都有提出关于3D芯片的研究报告。如今,ARM和格芯也加入这领域。V6AEETC-电子工程专辑

格芯指出,新开发出基于ARM架构的3D高密度测试芯片,是采用格芯的12纳米FinFET工艺所制造,采用3D的ARM网状互连技术,允许数据更直接的传输到其他内核,极大化的降低延迟性。而这样的架构,可以降低数据中心、边缘运算以及高端消费者应用程序的延迟,并且提升数据的传输速度。V6AEETC-电子工程专辑

格芯强调,新开发出基于ARM架构的3D高密度测试芯片,可以进一步在每平方公厘上达成多达100万个3D的连结,使其具有高度可扩展性,并有望延展12纳米工艺的寿命。另外,3D 封装解决方案(F2F)不仅为设计人员提供了异构逻辑和逻辑 / 内存整合的途径,而且可以使用最佳生产节点制造,以达成更低的延迟、更高的带宽,更小芯片尺寸的目标。V6AEETC-电子工程专辑

Arm Research 副总裁 Eric Hennenhoefer 表示:“Arm 的 3D 互连技术使半导体行业能够强化摩尔定律,以便应对更多样化的计算应用。格芯在制造与先进封装能力方面的专业知识,结合 Arm 的技术,赋予我们共同的合作伙伴更多差异化功能,推动进军下一代高性能计算新模式。”V6AEETC-电子工程专辑

格芯平台首席技术专家 John Pellerin 表示:“在大数据与认知计算时代,先进封装的作用远甚以往。AI 的使用与高吞吐量节能互连的需求,正通过先进封装技术推动加速器的增长。我们很高兴能与 Arm 这样的创新型合作伙伴携手,提供先进的封装解决方案,进一步在小尺寸芯片上集成多种节点技术,优化逻辑拓展、内存带宽和射频性能。合作将使我们发现先进封装新视角,助力我们共同的客户高效创建完备的差异化解决方案。”V6AEETC-电子工程专辑

此外,格芯表示,因为当前的12纳米工艺成熟稳定,因此目前在3D空间上开发芯片更加容易,而不必担心新一代 7 纳米工艺所可能带来的问题。然而,台积电、三星和英特尔能够在比格芯小得多的节点上开发3D芯片,也已经有相关的报告。而何时推出,就只是时间上的问题。届时,格芯是否能以较低廉的价格优势,进一步与其他晶圆生产厂商竞争,就有待后续的观察。V6AEETC-电子工程专辑

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