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5G时代需求扩张,美光再加码4000亿元新台币扩产

时间:2019-08-26 作者:TechNews 阅读:
美光这次的扩厂主因,除了看准未来5G时代的市场需求之外,另外就是在日韩贸易战的状况下,有可能使得韩国三星与SK海力士的生产遭受影响,导致市场的需求与价格的提升,逐步摆脱先前内存低档的情况,因此才会大动作宣布扩厂。而扩产的当下,未来也预计美光将需要增加人手,进一步进行大规模征才的动作。
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根据《经济日报》报导,为了满足未来在5G时代中包括人工智能、物联网、智能驾驶等运用的需求,全球三大DRAM制造商之一的美光 (Micron) 将斥资超过台币4,000亿元,于台湾省台中中科厂区扩大产线。u2EEETC-电子工程专辑

报导指出,目前为在台湾投资最大外商的美光,这次再加码投资台湾,是计划在中科再兴建A3及A5两座厂房。其中,在A3厂房方面,预计2020年8月份完工,并且在第4季陆续导入试产最新的第3代10 纳米级 (1z nm) 工艺。至于,在第2期的A5厂房方面,美光则会依据届时市场上的需求,逐步增加产能。据了解,目前规划的月产能为6万片。u2EEETC-电子工程专辑

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对此,美光坦承目前在A3厂已进入兴建阶段,并且以扩建无尘室为主,而且还将加入包括桃园与台中中科前段晶圆厂的生产线,并进一步提升美光在DRAM卓越中心的设备更新、技术升级。至于两个厂的投资金额与其他细节规划,美光则不方便透露。另外,除了产能的扩充之外,美光将进一步合并现有的组织架构,包括当前的A1及A2厂将直属美光台湾董事长兼台中厂运营长徐国晋管辖,其他职务重复的主管将进行优退。u2EEETC-电子工程专辑

事实上,美光日前就已经正式宣布开始量产第3代10 纳米级 (1z nm) 工艺 DRAM,而且市场人士也预计将会在台中中科厂区规划产线生产。如今,证实该项消息。而根据美光日前的表示,与第2代10纳米级(1y nm)工艺相比,美光的第3代10纳米级 (1z nm) 工艺技术将使该公司能够提高其DRAM的位密度,进而增强性能,并且降低功耗。u2EEETC-电子工程专辑

此外,以第3代10纳米级工艺所生产新一代DRAM,就同样是16GB DDR4的产品来比较,功耗较第2代10 纳米级工艺产品低 40%。另外,在16GB LPDDR4X DRAM方面,1z nm工艺技术将较1y nm工艺技术的产品节省高达10%的功率。而且,由于1z nm工艺技术提供的位密度更高,这使得美光可以降低生产成本,未来使得内存更加便宜。u2EEETC-电子工程专辑

美光这次的扩厂主因,除了看准未来5G时代的市场需求之外,另外就是在日韩贸易战的状况下,有可能使得韩国三星与SK海力士的生产遭受影响,导致市场的需求与价格的提升,逐步摆脱先前内存低档的情况,因此才会大动作宣布扩厂。而扩产的当下,未来也预计美光将需要增加人手,进一步进行大规模征才的动作。u2EEETC-电子工程专辑

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原文标题及链接:美光斥资4,000亿元台币在台扩产,1z nm DRAM生产技术落脚中科u2EEETC-电子工程专辑

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